它究竟有何獨(dú)特之處。 文件下載: BFU520YX.pdf 產(chǎn)品概述 基本描述 BFU520Y是一款采用6引腳SOT363塑料封裝的雙NPN硅射頻晶體管。它屬于BFU5晶體管家族,適用于高達(dá)2 GHz的小信號到中功率應(yīng)用。這種封裝形式不僅便于安裝,而且在一定程度上保護(hù)了晶體管,使其在各種環(huán)境下
2025-12-30 17:35:13
410 探索Broadcom HLPT-B3x0-00000硅NPN光電晶體管的卓越性能 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,選擇合適的光電晶體管至關(guān)重要。今天,我們來深入了解一下Broadcom
2025-12-30 11:40:07
194 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的晶體管至關(guān)重要。今天,我們就來深入了解一下ON Semiconductor的NSS40301MZ4 NPN晶體管,看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢。
2025-12-02 16:14:18
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RoHS指令。這些晶體管的集電極-發(fā)射極電壓為65V,集電極連續(xù)電流為100mA。NST856MTWFT晶體管非常適合用于低功耗表面貼裝應(yīng)用。
2025-11-26 13:45:33
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安森美 (onsemi) MJD31C雙極晶體管為NPN設(shè)備,專為通用放大器和低速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。此系列互補(bǔ)功率晶體管采用環(huán)氧樹脂,符合UL 94 V-0(0.125英寸)標(biāo)準(zhǔn);其引腳經(jīng)成型處理
2025-11-25 11:38:42
506 安森美 (onsemi) NSVT5551M雙極晶體管通過了AEC-Q101認(rèn)證,是一款NPN通用型低V~CE(sat)~ 放大器。這款NPN雙極晶體管具有匹配的芯片,存放溫度范圍為-55°C至
2025-11-25 10:50:45
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HC20DT2003是芯圣電子推出的七路高耐壓、大電流達(dá)林頓晶體管陣列,具備500mA單路輸出電流、50V高耐壓、TTL/CMOS邏輯兼容輸入等特性,廣泛用于繼電器、步進(jìn)電機(jī)、LED顯示屏等驅(qū)動場景
2025-11-14 09:57:47
1 仁懋電子(MOT)推出的MOT9N50F是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-07 10:23:59
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RS2A SMA/DO-214AC快恢復(fù)二極管,電流:2A 50V
2025-11-06 17:24:43
0 ,繼續(xù)朝著成為GaN技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)的目標(biāo)邁進(jìn),并進(jìn)一步鞏固了其全球汽車半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。 ? ? 英飛凌CoolGaN? 100V G1車規(guī)級晶體管 ? 英飛凌正式推出CoolGaN? 100V G1
2025-11-05 14:31:05
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仁懋電子(MOT)推出的MOT13005DA是一款NPN硅晶體管,憑借400V高耐壓、8A大電流及1700V擊穿能力,廣泛適用于熒光燈、電子變壓器、開關(guān)模式電源等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝
2025-11-04 15:28:13
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列GaN氮化鎵晶體管現(xiàn)新增底部散熱型ThinPAK8x8和DPAK封裝版本,專為各種工業(yè)與消費(fèi)類應(yīng)用中的最優(yōu)散熱性能而設(shè)計(jì)。產(chǎn)品型號:■IGD70R500D2■IGD7
2025-11-03 18:18:05
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2025-09-29 15:40:09
0 新產(chǎn)品發(fā)布ULN200350V,7路達(dá)林頓驅(qū)動陣列ULN2003A是7通道達(dá)林頓管陣列,采用達(dá)林頓復(fù)合管電路結(jié)構(gòu),相比單NPN管,大幅降低晶體管輸出大電流時(shí)的基極輸入電流。該系列電路可與MCU的I
2025-09-29 10:59:55
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隨著集成電路科學(xué)與工程的持續(xù)發(fā)展,當(dāng)前集成電路已涵蓋二極管、晶體管、非易失性存儲器件、功率器件、光子器件、電阻與電容器件、傳感器件共 7 個(gè)大族,衍生出 100 多種不同類型的器件,推動集成電路技術(shù)
2025-09-22 10:53:48
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多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實(shí)際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-09-15 15:31:09
以下是關(guān)于220V交流轉(zhuǎn)5V/100mA直流設(shè)計(jì)的降壓芯片PM1132的詳細(xì)解析與設(shè)計(jì)需求整理:
PM1132芯片關(guān)鍵特性
輸入/輸出參數(shù)
輸入范圍 :135-38O6-7573-芯片
2025-09-12 09:37:00
LMR3650x 是業(yè)界最小的 65V、150mA、100mA 同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器,采用 4mm 2 HotRod 封裝。這款易于使用的轉(zhuǎn)換器可以處理高達(dá) 70 V 的輸入電壓瞬變,提供出色的 EMI 性能,并支持固定、3.3 V、5 V 和其他可調(diào)輸出電壓。
2025-06-06 09:45:42
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SC5200音頻配對功率管PNP型晶體管,原裝現(xiàn)貨
2SC5200是一款PNP型晶體管,2SA1943的補(bǔ)充型。
擊穿電壓:250V (集射極電壓 Vceo) min
2025-06-05 10:24:29
LP395 是一款具有完全過載保護(hù)的快速單片晶體管。這非常 片上包括高增益晶體管、電流限制、功率限制和熱 過載保護(hù),使其幾乎難以因任何類型的過載而銷毀。適用于 該器件采用環(huán)氧樹脂 TO-92 晶體管封裝,額定電流為 100 mA。
2025-05-15 10:36:29
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ULx200xA 器件是高電壓、大電流達(dá)林頓晶體管陣列。每個(gè)由七對 NPN 達(dá)林頓對組成,這些對具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于切換感性負(fù)載。
單對 Darlington 的集電極電流
2025-05-15 10:22:17
823 
ULx200xA 器件是高電壓、大電流達(dá)林頓晶體管陣列。每個(gè)由七對 NPN 達(dá)林頓對組成,這些對具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于切換感性負(fù)載。
單對 Darlington 的集電極電流
2025-05-15 10:00:58
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2025-05-14 17:21:59
0 ULQ200xA-Q1 器件是高電壓、大電流達(dá)林頓晶體管陣列。每個(gè)由七對 npn 達(dá)林頓對組成,這些對具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于切換感性負(fù)載。單對 Darlington 的集電極電流額定值為 500mA。Darlington 對可以并聯(lián)以獲得更高的電流能力。
2025-05-14 15:30:50
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ULx200xA 器件是高電壓、大電流達(dá)林頓晶體管陣列。每個(gè)由七對 NPN 達(dá)林頓對組成,這些對具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于切換感性負(fù)載。
2025-05-14 15:23:15
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多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實(shí)際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-04-15 10:24:55
晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作,進(jìn)晶體管
2025-04-14 17:24:55
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2025-03-21 16:52:42
0 LM337L 是一款能夠提供 100mA 電流的可調(diào) 3 引腳負(fù)穩(wěn)壓器 在 –1.2V 至 –37V 輸出范圍內(nèi)。LM337L 易于使用,只需要兩個(gè)外部 電阻器來設(shè)置輸出電壓。線路和負(fù)載調(diào)整率均優(yōu)于
2025-03-19 10:52:21
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LM317L-N 是一款可調(diào)節(jié)的正電壓穩(wěn)壓器,能夠在 1.2V 至 37V 的輸出范圍內(nèi)提供 100mA。LM317L-N 易于使用,只需兩個(gè)外部電阻器即可設(shè)置輸出電壓。線路和負(fù)載調(diào)整率均優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)固定穩(wěn)壓器。LM317L-N 采用易于使用的標(biāo)準(zhǔn)
TO-92 晶體管封裝。
2025-03-19 10:27:10
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電源系統(tǒng)的理想穩(wěn)壓器。應(yīng)用包括存儲器待機(jī)電路、CMOS 和其他低功耗處理器電源,以及需要高達(dá) 100mA 輸出電流的系統(tǒng)。
2025-03-19 09:28:45
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LM317L 是一款可調(diào)節(jié)的 3 端子正電壓穩(wěn)壓器,能夠在 1.25V 至 37V 的輸出電壓范圍內(nèi)提供高達(dá) 100mA 的電流。該器件非常易于使用,只需兩個(gè)外部電阻器即可設(shè)置輸出電壓。
2025-03-14 09:36:07
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2025-03-11 15:22:40
1 電路,上一篇文章講解了VDRV電源處去耦電容的選型計(jì)算,今天,我就結(jié)合這個(gè)電路,聊聊如何設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動電路。
BJT柵極驅(qū)動電路的工作原理
NPN晶體管確實(shí)只能在一個(gè)方向上處理電流,具體來說:當(dāng)基極
2025-03-11 11:14:21
TPS798-Q1 是 50V 高壓微功率低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器系列中的首款器件。該器件能夠提供 50mA 輸出電流,壓差僅為 300mV。TPS798-Q1 專為低靜態(tài)電流、高電壓
2025-03-06 17:13:24
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晶體管、電阻和二極管構(gòu)成,電路結(jié)構(gòu)如下圖所示。Vref提供偏置電壓,使得輸入信號為0V時(shí)輸出電流為4mA;輸入信號IN控制輸出電流;晶體管Q1和Q2實(shí)現(xiàn)信號變換和放大;電阻R1、R2和R3實(shí)現(xiàn)反饋和比率
2025-03-04 15:53:59
。 ? 目的 ?:本手冊詳細(xì)闡述了氮化鎵(GaN)晶體管并聯(lián)設(shè)計(jì)的具體細(xì)節(jié),旨在幫助設(shè)計(jì)者優(yōu)化系統(tǒng)性能。 二、氮化鎵的關(guān)鍵特性及并聯(lián)好處 1. 關(guān)鍵特性 ? 正溫度系數(shù)的R DS(on) ?:有助于并聯(lián)器件的熱平衡。 ? 穩(wěn)定的門檻電壓V GS(th) ?:在工作
2025-02-27 18:26:31
1103 HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個(gè)陣列由位于公共單片襯底上的五個(gè)介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 17:19:09
953 
HFA3102 是一個(gè)全 NPN 晶體管陣列,配置為帶有尾部晶體管的雙差分放大器。該陣列基于 Intersil 鍵合晶圓 UHF-1 SOI 工藝,可實(shí)現(xiàn)非常高的 fT (10GHz),同時(shí)在整個(gè)溫度范圍內(nèi)保持出色的 hFE 和 VBE 匹配特性。集電極漏電流保持在 0 以下。
2025-02-25 16:42:56
940 
HFA3101 是一個(gè)全 NPN 晶體管陣列,配置為 Multiplier Cell。該陣列基于 Intersil 的鍵合晶圓 UHF-1 SOI 工藝,可實(shí)現(xiàn)非常高的 fT (10GHz),同時(shí)
2025-02-25 16:28:59
1000 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個(gè)陣列由位于公共單片襯底上的五個(gè)介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 16:15:33
859 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個(gè)陣列由位于公共單片襯底上的五個(gè)介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 16:05:09
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2025-02-19 15:37:45
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BCP69-Q系列 PNP中等功率晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
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2025-02-17 15:10:45
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2025-02-14 16:21:23
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2025-02-14 15:44:04
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2025-02-13 08:32:49
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2025-02-12 16:18:40
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2025-02-12 15:09:07
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2025-02-11 15:52:52
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2025-02-11 15:04:10
1 顯示尺寸 :W48.6×H57.6 (mm)工作電壓: 3.3V工作溫度: -20℃~+70℃背光亮度 :250Cd/m2工作電流: 75mA ~100mA使用壽命
2025-02-11 10:35:03
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MMBT3904 NPN開關(guān)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-10 14:55:48
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2025-02-10 14:47:49
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2025-02-10 14:23:27
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2025-02-10 14:00:57
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2025-02-10 14:00:00
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2025-02-10 13:59:00
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2025-02-10 13:58:20
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2025-02-09 16:24:13
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2025-02-08 18:20:13
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2025-02-08 18:19:25
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2025-02-08 18:14:01
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2025-01-23 16:26:40
0 顯示尺寸 :W48.6×H57.6 (mm)工作電壓: 3.3V工作溫度: -20℃~+70℃背光亮度 :250Cd/m2工作電流: 75mA ~100mA使用壽命
2025-01-15 12:41:42
0 經(jīng)典的雙極性晶體管(BJT- Bipolar Junction Transistor)的物理原理已有大約100年的歷史,可追溯到Julius E Lilienfeld進(jìn)行的開創(chuàng)性研究,它構(gòu)成了現(xiàn)代
2025-01-10 16:01:50
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