InP-on-Si（IMOS）作為一種新興的光子集成平臺，因其能夠?qū)⒏咝阅苡性磁c無源光子器件異質(zhì)集成在硅基電路之上而備受關注。然而，隨著波導尺寸的急劇縮小，光場與波導表面的相互作用顯著增強，導致刻蝕
2025-12-15 18:03:48
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 六氟磷酸鋰作為鋰電池電解液的核心關鍵材料，其技術成熟度直接影響鋰電池的能量密度、循環(huán)壽命與安全性能。長期以來，該材料的核心合成技術與生產(chǎn)工藝主要被國外企業(yè)掌控，國內(nèi)鋰電池產(chǎn)業(yè)鏈
2025-12-12 00:51:005443 鋁電解電容作為電子電路中不可或缺的儲能與濾波元件，其容量大小直接影響電路的穩(wěn)定性與性能。容量并非固定值，而是由材料特性、結構設計及制造工藝共同決定。以下從四個維度解析鋁電解電容容量的核心影響因素
2025-12-11 17:08:05763 
隨著精密儀器制造與半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對微小結構表面形貌的高精度、高效率測量需求日益迫切。共聚焦顯微成像技術以其高分辨率、高信噪比和優(yōu)異的光學層切能力，在三維表面形貌測量中展現(xiàn)出重要價值。下文
2025-12-09 18:05:46189 
磨損是一種常見的表面失效現(xiàn)象，磨損表面形貌直接反應設備材料的磨損，疲勞和腐蝕等特征。 相互接觸的零件原始表面形貌可以通過相對運動阻力的變化而影響磨損，磨損導致的表面形貌變化又將影響到隨后磨損階段
2025-12-05 13:22:0649 
靜電噴涂沉積（ESD）作為一種經(jīng)濟高效的薄膜制備技術，因其可精確調(diào)控薄膜形貌與化學計量比而受到廣泛關注。然而，薄膜的厚度均勻性是影響其最終性能與應用可靠性的關鍵因素，其優(yōu)劣直接受到電壓、流速、針基距
2025-12-01 18:02:44404 
特征，給表面形貌的精確測量帶來巨大挑戰(zhàn)。光子灣科技的共聚焦顯微鏡作為非接觸式光學測量技術，因其高分辨率和對陡峭特征的探測能力，成為測量金屬增材表面形貌的重要工具。#
2025-11-27 18:04:40173 在追求高效光傳輸?shù)目萍嫉缆飞希阉继匾簯B(tài)光導以其獨特的結構和卓越的性能，正逐漸成為一種創(chuàng)新解決方案。與傳統(tǒng)玻璃光纖相比，液態(tài)光導由內(nèi)部的特殊成分液體、外部的含氟聚合物管構成，兩端用石英或玻璃窗密封。
2025-11-13 13:19:34278 
晶圓濕法刻蝕技術作為半導體制造中的重要工藝手段，具有以下顯著優(yōu)點：高選擇性與精準保護通過選用特定的化學試劑和控制反應條件，濕法刻蝕能夠?qū)崿F(xiàn)對目標材料的高效去除，同時極大限度地減少對非目標區(qū)域（如掩膜
2025-10-27 11:20:38369 
光刻與刻蝕是納米級圖形轉(zhuǎn)移的兩大核心工藝，其分辨率、精度與一致性共同決定器件性能與良率上限。
2025-10-24 13:49:061669 
表面形貌的平均高度與最大幅度直接影響零部件的使用功能。工業(yè)中常通過二維輪廓測量獲取相關參數(shù)，但輪廓最大高度存在較大波動性。Flexfilm探針式臺階儀可以實現(xiàn)表面微觀特征的精準表征與關鍵參數(shù)的定量
2025-10-17 18:03:17436 一、引言
12 英寸及以上的大尺寸玻璃晶圓在半導體制造、顯示面板、微機電系統(tǒng)等領域扮演著關鍵角色 ?？偤穸绕睿═TV）的均勻性直接影響晶圓后續(xù)光刻、鍵合、封裝等工藝的精度與良率 。然而，隨著晶圓
2025-10-17 13:40:01399 
在“雙碳”目標驅(qū)動下，n-TOPCon晶體硅太陽能電池因其優(yōu)異的鈍化接觸結構而成為研究焦點。但其效率受背面形貌影響顯著：背面拋光雖能提升長波長光利用率以提高開路電壓（V?c），卻會減小金屬接觸面
2025-10-15 09:02:51545 
在微電子、光電子等高端領域，半導體增材膜的性能與其三維形貌及內(nèi)部缺陷高度關聯(lián)，表面粗糙度影響器件電學接觸穩(wěn)定性，孔隙、裂紋等缺陷則直接決定薄膜的機械強度與服役壽命。共聚焦顯微鏡憑借其高分辨率三維成像
2025-09-30 18:05:152568 引言 晶圓濕法刻蝕工藝通過化學溶液對材料進行各向同性或選擇性腐蝕，廣泛應用于硅襯底減薄、氧化層開窗、淺溝槽隔離等工藝，其刻蝕深度均勻性、表面平整度、側(cè)向腐蝕量等參數(shù)直接影響器件性能。例如，MEMS
2025-09-26 16:48:41934 
充磁是永磁電機制造過程中必不可少且極其關鍵的一環(huán)。它決定了永磁體能否發(fā)揮其設計潛能，為電機轉(zhuǎn)子提供強大、穩(wěn)定、方向正確的磁場。其中充磁的磁極準確與磁場均勻性，直接決定電機轉(zhuǎn)速穩(wěn)定性、力矩輸出效率等
2025-09-23 08:34:26618 之一便是如何保證總厚度偏差（TTV）的厚度均勻性。TTV 厚度均勻性直接影響芯片制造過程中的光刻、刻蝕、薄膜沉積等工藝，進而決定芯片的性能與良率。因此，研究大尺寸
2025-09-20 10:10:23507 
。保證焊接強度:潔凈的金表面能提供極佳的潤濕性，使焊錫能夠輕松、均勻地鋪展，形成堅固、可靠的焊點。這對于自動化的SMT貼片生產(chǎn)至關重要，能大幅降低虛焊、假焊等缺陷
2025-09-19 15:07:18547 
SuperViewW白光干涉表面形貌3D輪廓儀可測各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等。SuperViewW白光干涉表面形貌
2025-09-12 17:27:11
PVD硬質(zhì)涂層的表面形貌直接影響其摩擦學、潤濕性等功能性能，而精準表征形貌特征是優(yōu)化涂層工藝的關鍵。臺階儀因可實現(xiàn)大掃描面積的三維形貌成像與粗糙度量化，成為研究PVD涂層形貌的核心工具。費曼儀器
2025-09-10 18:04:111117 三維形貌變化，為材料力學性能評估與損傷機制分析提供有力支撐。本研究采用氣流挾沙噴射法模擬風沙環(huán)境，結合光子灣科技的共聚焦顯微鏡三維形貌分析，量化玻璃表面損傷，系統(tǒng)探
2025-09-09 18:02:56475 控制。該速率由化學試劑濃度、反應溫度及溶液流動性共同決定。例如，在較高溫度下，分子熱運動加劇會加速化學反應；而高濃度刻蝕液雖能提升速度，但可能引發(fā)過蝕風險。調(diào)控方式
2025-09-02 11:49:32764 
飛秒激光輻照金屬絲波導，通過電子發(fā)射過程激發(fā)太赫茲表面波 近日，我校核科學技術學院胡廣月團隊在高功率太赫茲表面波研究方面取得重要進展。團隊利用飛秒激光聚焦作用金屬絲波導，通過電子發(fā)射過程產(chǎn)生10兆瓦
2025-09-01 09:15:17446 
摘要
本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測量需求，分析常規(guī)采樣策略的局限性，從不均勻性特征分析、采樣點布局優(yōu)化、采樣頻率確定等方面提出特殊采樣策略，旨在提升測量效率與準確性，為碳化硅襯底
2025-08-28 14:03:25545 摘要
本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測量需求，分析常規(guī)采樣策略的局限性，從不均勻性特征分析、采樣點布局優(yōu)化、采樣頻率確定等方面提出特殊采樣策略，旨在提升測量效率與準確性，為碳化硅襯底
2025-08-27 14:28:52995 VT6000三維表面形貌共聚焦顯微鏡用于對各種精密器件及材料表面進行微納米級測量?？蓽y各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等
2025-08-21 14:45:15
在精密制造與前沿科研領域，微觀表面形貌的量化表征是保障產(chǎn)品性能與推動技術創(chuàng)新的關鍵環(huán)節(jié)。臺階儀作為一種高精度表面測量儀器，通過對樣品表面高度差、粗糙度及薄膜厚度等參數(shù)的精確獲取，為半導體、納米材料、光學工程等領域提供了不可或缺的技術支撐。
2025-08-19 10:31:051226 
提供精準測量解決方案。Flexfilm探針式臺階儀進行刻蝕深度測試，進行表面粗糙度、表面形貌及均勻性的調(diào)控，直接支撐刻蝕深度與均勻性的精準評估。本研究聚焦四甲基氫氧
2025-08-13 18:05:24700 濕法刻蝕SC2工藝在半導體制造及相關領域中具有廣泛的應用，以下是其主要應用場景和優(yōu)勢：材料選擇性去除與表面平整化功能描述：通過精確控制化學溶液的組成，能夠?qū)崿F(xiàn)對特定材料的選擇性去除。例如，它能
2025-08-06 11:19:181198 
濕法刻蝕通常是各向同性的（即沿所有方向均勻腐蝕），但在某些特定條件下也會表現(xiàn)出一定的各向異性。以下是其產(chǎn)生各向異性的主要原因及機制分析：晶體結構的原子級差異晶面原子排列密度與鍵能差異：以石英為例
2025-08-06 11:13:571422 集流體在鋰離子電池中扮演著不可或缺的角色，其材質(zhì)、物理性質(zhì)、表面處理、穩(wěn)定性等方面都會對電池的性能產(chǎn)生影響。通過對集流體表面進行粗糙化處理，如退火，可以幫助陽極電流集流體形成扁平的石墨電極片和均勻
2025-08-05 17:56:03663 共聚焦顯微鏡：可應對各種精密器件及材料表面以及多樣化的測量場景，超寬視野范圍、高精細彩色圖像觀察和多種分析功能，可為激光熔覆工藝后的表面形貌進行精準測量，為工藝質(zhì)
2025-08-05 17:52:28964 粗糙度和形貌是衡量切割質(zhì)量的重要指標。通過美能光子灣3D共聚焦顯微鏡的高精度測量，我們能夠深入分析不同切割參數(shù)對藍寶石晶片表面質(zhì)量的影響，從而為工藝優(yōu)化提供科學依據(jù)
2025-08-05 17:50:48907 冷軋汽車鋼（DC04）的表面微觀形貌直接影響沖壓成形、涂裝附著、儲油潤滑及耐蝕等性能，精準表征是提升質(zhì)量的關鍵。光子灣共聚焦顯微鏡憑借激光高分辨率與三維合成技術，能在無損樣品前提下獲取清晰三維形貌
2025-08-05 17:46:34752 摘要
本文聚焦半導體晶圓研磨工藝，介紹梯度結構聚氨酯研磨墊的制備方法，深入探究其對晶圓總厚度變化（TTV）均勻性的提升作用，為提高晶圓研磨質(zhì)量提供新的技術思路與理論依據(jù)。
引言
在半導體制造過程中
2025-08-04 10:24:42683 在光通信系統(tǒng)鏈路中，光模塊與光纖的耦合效率直接決定了系統(tǒng)的傳輸性能與可靠性。耦合過程本質(zhì)上是光波模式從光源 / 光器件到光纖波導的能量轉(zhuǎn)換與傳輸，其效率損耗每增加 0.5dB，就可能導致傳輸距離縮短
2025-08-02 10:10:17679 
在半導體制造中，溝槽刻蝕工藝的臺階高度直接影響器件性能。臺階儀作為接觸式表面形貌測量核心設備，通過精準監(jiān)測溝槽刻蝕形成的臺階參數(shù)（如臺階高度、表面粗糙度），為工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。Flexfilm費
2025-08-01 18:02:17845 摘要：本文圍繞基于納米流體強化的切割液性能提升及對晶圓 TTV 均勻性的控制展開研究。探討納米流體強化切割液在冷卻、潤滑、排屑等性能方面的提升機制，分析其對晶圓 TTV 均勻性的影響路徑，以及優(yōu)化
2025-07-25 10:12:24420 LED太陽光模擬器作為材料化學、綠色能源等領域關鍵的測試工具，其光照均勻性直接影響實驗數(shù)據(jù)的可靠性。Luminbox聚焦太陽光模擬器技術創(chuàng)新，深度洞悉光照均勻性對各行業(yè)技術突破的關鍵作用。如何確保
2025-07-24 11:28:27753 
摘要：本文聚焦切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響。深入剖析切割液冷卻、潤滑、排屑等性能影響晶圓 TTV 的內(nèi)在機制，探索實現(xiàn)多性能協(xié)同優(yōu)化的參數(shù)設計方法，為提升晶圓切割質(zhì)量、保障
2025-07-24 10:23:09500 在MEMS中，玻璃因具有良好的絕緣性、透光性、化學穩(wěn)定性及可鍵合性（如與硅陽極鍵合），常被用作襯底、封裝結構或微流體通道基板。玻璃刻蝕是制備這些微結構的核心工藝，需根據(jù)精度要求、結構尺寸及玻璃類型選擇合適的方法，玻璃刻蝕主要分為濕法腐蝕和干法刻蝕兩大類。
2025-07-18 15:18:011490 超薄晶圓厚度極薄，切割時 TTV 均勻性控制難度大。我將從闡述研究背景入手，分析淺切多道切割在超薄晶圓 TTV 均勻性控制中的優(yōu)勢，再深入探討具體控制技術，完成文章創(chuàng)作。
超薄晶圓（
2025-07-16 09:31:02469 我將從超薄晶圓淺切多道切割技術的原理、TTV 均勻性控制的重要性出發(fā)，結合相關研究案例，闡述該技術的關鍵要點與應用前景。
超薄晶圓（
2025-07-15 09:36:03486 一、引言
在半導體制造中，晶圓總厚度變化（TTV）均勻性是決定芯片性能與良品率的關鍵因素，而切割過程產(chǎn)生的應力會導致晶圓變形，進一步惡化 TTV 均勻性。淺切多道工藝作為一種先進的晶圓切割技術，在
2025-07-14 13:57:45465 超薄晶圓因其厚度極薄，在切割時對振動更為敏感，易影響厚度均勻性。我將從分析振動對超薄晶圓切割的影響出發(fā)，探討針對性的振動控制技術和厚度均勻性保障策略。
超薄晶圓（
2025-07-09 09:52:03580 一、引言
在半導體晶圓制造流程里，晶圓切割是決定芯片質(zhì)量與生產(chǎn)效率的重要工序。切割過程中，振動與應力的耦合效應顯著影響晶圓質(zhì)量，尤其對厚度均勻性干擾嚴重。深入剖析振動 - 應力耦合效應對晶圓厚度均勻
2025-07-08 09:33:33591 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()高 CMR、高速邏輯門密封表面貼裝光耦合器相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有高 CMR、高速邏輯門密封表面貼裝光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，高 CMR
2025-07-07 18:33:59
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2025-07-07 18:33:15
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2025-07-07 18:32:37
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2025-07-07 18:32:00
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2025-07-07 18:30:29
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2025-07-07 18:30:00
在MEMS制造工藝中，干法刻蝕是通過等離子體、離子束等氣態(tài)物質(zhì)對薄膜材料或襯底進行刻蝕的工藝，其評價參數(shù)直接影響器件的結構精度和性能。那么干法刻蝕有哪些評價參數(shù)呢？
2025-07-07 11:21:571620 
一、引言
在半導體制造領域，晶圓切割是關鍵環(huán)節(jié)，其質(zhì)量直接影響芯片性能與成品率。晶圓切割過程中，熱場、力場、流場等多物理場相互耦合，引發(fā)切割振動，嚴重影響晶圓厚度均勻性。探究多物理場耦合作用下
2025-07-07 09:43:01598 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封表面貼裝、高速施密特觸發(fā)器光耦合器相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有密封表面貼裝、高速施密特觸發(fā)器光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，密封表面貼裝、高速
2025-07-04 18:37:03
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2025-07-04 18:36:09
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2025-07-04 18:33:33
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2025-07-04 18:32:45
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2025-07-04 18:31:18
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2025-07-04 18:30:49
SuperViewW白光三維表面形貌儀基于白光干涉原理，以3D非接觸方式，測量分析樣品表面形貌的關鍵參數(shù)和尺寸?？蓽y各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的粗糙度
2025-07-02 15:28:54
SuperViewW系列光學表面形貌輪廓儀可測各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等。SuperViewW具有測量精度高、操作
2025-06-30 15:41:38
碳化硅襯底切割過程中，厚度不均勻問題嚴重影響其后續(xù)應用性能。傳統(tǒng)固定進給量切割方式難以適應材料特性與切割工況變化，基于進給量梯度調(diào)節(jié)的方法為提升切割厚度均勻性提供了新思路，對推動碳化硅襯底加工
2025-06-13 10:07:04523 中圖儀器納米級表面形貌臺階儀單拱龍門式設計，結構穩(wěn)定性好，而且降低了周圍環(huán)境中聲音和震動噪音對測量信號的影響，提高了測量精度。線性可變差動電容傳感器（LVDC），具有亞埃級分辨率，13μm量程下可達
2025-06-10 16:30:17
構成光學系統(tǒng)最基礎的結構單元都離不開單透鏡、膠合透鏡以及各種形式反射棱鏡的組合。所有的光學系統(tǒng)進行初始設計階段都必然要從該類結構單元設計為起點。其中透鏡單元中最基礎的則是單透鏡、雙膠合透鏡以及由單
2025-06-09 08:44:16
一、設備概述高溫磷酸刻蝕設備是半導體制造中用于各向異性刻蝕的關鍵設備，通過高溫磷酸溶液與半導體材料（如硅片、氮化硅膜）的化學反應，實現(xiàn)精準的材料去除。其核心優(yōu)勢在于納米級刻蝕精度和均勻
2025-06-06 14:38:13
半導體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料，其表面性質(zhì)對器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導體制造工藝中的關鍵環(huán)節(jié)，通過在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅（SiO?）層，顯著改善了硅材料的電學、化學和物理
2025-05-30 11:09:301781 
干法刻蝕技術作為半導體制造的核心工藝模塊，通過等離子體與材料表面的相互作用實現(xiàn)精準刻蝕，其技術特性與工藝優(yōu)勢深刻影響著先進制程的演進方向。
2025-05-28 17:01:183197 
在先進制程中，厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)三者共同決定了晶圓的幾何完整性，是良率提升和成本控制的核心參數(shù)。通過WD4000晶圓幾何形貌測量系統(tǒng)在線檢測，可減少其對芯片性能的影響。
2025-05-28 11:28:46
2 在先進制程中，厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)三者共同決定了晶圓的幾何完整性，是良率提升和成本控制的核心參數(shù)。通過WD4000晶圓幾何形貌測量系統(tǒng)在線檢測，可減少其對芯片性能的影響。
2025-05-23 14:27:491203 
位移傳感器模組的編碼盤，其粗糙度及碼道的刻蝕深度和寬度，會對性能帶來關鍵性影響。優(yōu)可測白光干涉儀精確測量表面粗糙度以及刻蝕形貌尺寸，精度最高可達亞納米級，解決產(chǎn)品工藝特性以及量化管控。
2025-05-21 13:00:14829 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器真值表，耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-05-19 18:33:42
相位。這里展示了發(fā)散的情況。第二個透鏡用于準直入射光，從而將球面相位轉(zhuǎn)換回平面相位。因此，使用兩個透鏡是必要的。光束擴展的程度由透鏡之間的距離d及其數(shù)值孔徑決定。透鏡的扁平化不會改變這一結果。
幻燈片
2025-05-15 10:36:58
中圖儀器NS系列接觸式表面形貌臺階儀線性可變差動電容傳感器（LVDC），具有亞埃級分辨率，13μm量程下可達0.01埃。高信噪比和低線性誤差，使得產(chǎn)品能掃描到幾納米至幾百微米臺階的形貌特征。主要
2025-05-09 17:42:39
，節(jié)省時間和預算，在設計階段就決定最合適的生產(chǎn)方案。這些信息必須是客觀的，與生產(chǎn)的具體類型和數(shù)量有關，并且易于在初始設計階段進行驗證和控制。
方法：該方法包括在“交鑰匙”的基礎上結合光學設備創(chuàng)建的所有階段
2025-05-09 08:51:45
的基本原理 刻蝕的本質(zhì)是選擇性去除材料，即只去除不需要的部分，保留需要的部分。根據(jù)刻蝕方式的不同，可以分為以下兩類： （1）濕法刻蝕（Wet Etching） 原理：利用化學液體（如酸、堿或溶劑）與材料發(fā)生化學反應，溶解目標材料。
2025-05-06 10:35:311972 PanDao軟件當前可以接受ISO10110標準定義的形狀精度參數(shù)格式3/A(B)，其中A代表功率公差，B代表不規(guī)則性。
測量單位是條紋數(shù)，表示的是波前偏差（非表面高度偏差），該方法源自光學大師
2025-05-06 08:45:53
摘要
對于AR/MR（增強現(xiàn)實或混合現(xiàn)實）設備領域的光導系統(tǒng)的性能評估，眼盒中光分布的橫向均勻性是最關鍵的參數(shù)之一。為了在設計過程中測量和優(yōu)化橫向均勻性，VirtualLab Fusion提供了一
2025-04-30 08:49:14
半導體BOE（Buffered Oxide Etchant，緩沖氧化物蝕刻液）刻蝕技術是半導體制造中用于去除晶圓表面氧化層的關鍵工藝，尤其在微結構加工、硅基發(fā)光器件制作及氮化硅/二氧化硅刻蝕中廣
2025-04-28 17:17:255516 刻蝕工藝的核心機理與重要性 刻蝕工藝是半導體圖案化過程中的關鍵環(huán)節(jié)，與光刻機和薄膜沉積設備并稱為半導體制造的三大核心設備。刻蝕的主要作用是將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到功能膜層，具體而言，是通過物理及化學
2025-04-27 10:42:452200 
中圖儀器WD4000系列半導體晶圓表面形貌量測設備通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷
2025-04-21 10:49:55
WD4000晶圓表面形貌量測系統(tǒng)通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。
2025-04-11 11:11:00
。
光刻工藝、刻蝕工藝
在芯片制造過程中，光刻工藝和刻蝕工藝用于在某個半導體材料或介質(zhì)材料層上，按照光掩膜版上的圖形，“刻制”出材料層的圖形。
首先準備好硅片和光掩膜版，然后再硅片表面上通過薄膜工藝生成一
2025-04-02 15:59:44
LED光效LED光效是衡量光源性能的關鍵指標，其定義為光通量（lm）與光源消耗功率（W）的比值，單位為lm/W。瞬態(tài)光效是LED光源啟動瞬間的發(fā)光效率，也稱初始冷態(tài)光效。它主要反映了LED在短時間
2025-03-20 11:19:571869 
表面形貌分析中，波紋度和粗糙度是兩種關鍵特征。通過濾波技術設置截止波長，可將兩者分離。分離后，通過計算參數(shù)或FFT驗證效果。這種分析有助于優(yōu)化加工工藝、提升產(chǎn)品性能和質(zhì)量。
2025-03-19 18:04:391033 
SuperViewW光學3D表面形貌特征輪廓儀基于白光干涉原理，以3D非接觸方式，測量分析樣品表面形貌的關鍵參數(shù)和尺寸。它是以白光干涉技術為原理、結合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等對器件表面進行
2025-03-19 17:39:55
，在特定場景中展現(xiàn)出獨特的優(yōu)勢。讓我們走進濕法刻蝕的世界，探索這場在納米尺度上上演的微觀雕刻。 濕法刻蝕的魔法：化學的力量 濕法刻蝕利用化學溶液的腐蝕性，選擇性地去除晶圓表面的材料。它的工作原理簡單而高效：將晶圓浸入特定的
2025-03-12 13:59:11983
你好，請問TIDA-00554的光譜模組在安裝和調(diào)試階段光機是如何進行校驗的呢？比如光電探測器的調(diào)試、DMD微鏡的調(diào)試以及光譜曲線的校正？如何保證多個光機之間的一致性呢？
2025-02-20 07:19:20
在氮化鎵藍光?VCSEL?發(fā)展方面，1996年?Redwing?等人成功制作了第一個室溫下光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL，其元件結構由10?μm?厚的GaN?主動層與30?對?Al0.12Ga0.88N
2025-02-18 09:56:041102 
工藝的核心材料。它由高分子樹脂、光敏劑、溶劑及添加劑組成。其特性直接影響芯片圖形化的精度。 ? 光阻的作用： 圖形轉(zhuǎn)移：通過曝光顯影，在硅片表面形成納米級圖案，作為后續(xù)刻蝕或離子注入的掩膜。 保護作用：阻擋刻蝕劑或離子對非目標區(qū)域的損傷
2025-02-13 10:30:233889 
的反射（視野范圍均勻性測量）
眼睛模型（PSF和MTF計算）
連接建模技術：光柵
光柵（耦入耦合器、光瞳擴展器、耦出耦合器）
自由空間（平板玻璃內(nèi)傳播）
平板玻璃表面的反射
區(qū)域邊界（光柵邊界）
探測器
2025-02-13 08:50:27
設備綜合管理是設備管理發(fā)展的關鍵階段，系統(tǒng)性強調(diào)整體觀念，全壽命周期管理涵蓋全過程，綜合管理體系運用多學科知識和方法。經(jīng)濟性追求最經(jīng)濟，成本效益分析和全員參與是重要手段，培訓激勵激發(fā)員工積極性。
2025-02-11 17:18:54672 
為了輸入和輸出耦合光，以及將光從光源引導到預期眼盒的目的，通常使用不同種類的表面形貌甚至是全息光柵。 因此，這些光柵在效率和均勻性方面的設計是 AR/MR 設備設計過程中的主要挑戰(zhàn)之一
2025-02-11 09:49:44
傳統(tǒng)AFM檢測氧化鎵表面三維形貌和粗糙度需要20分鐘左右，優(yōu)可測白光干涉儀檢測方案僅需3秒，百倍提升檢測效率！
2025-02-08 17:33:50995 
或部分相干疊加。
?對于部分相干疊加，可以通過輸入相干時間(或從相干時間和長度計算器復制)來指定相干程度。
探測器功能：光瞳參數(shù)
?均勻性探測器評估在配置的局部區(qū)域(稱為光瞳)的照射強度。
?每個光
2025-02-08 08:57:22
原子層為單位，逐步去除材料表面，從而實現(xiàn)高精度、均勻的刻蝕過程。它與 ALD（原子層沉積）相對，一個是逐層沉積材料，一個是逐層去除材料。 ? 工作原理 ALE 通常由以下兩個關鍵階段組成： ? 表面活化階段：使用氣相前體或等離子體激活表面，形成化學吸附層或修飾層。 ? 例如，
2025-01-20 09:32:431280 
ADS7864數(shù)據(jù)手冊上說當采用8M外部時鐘的時候,采樣頻率為500kHz，但是有人說可以通過HOLDX頻率來控制采樣頻率，一個HOLDX下降沿采樣一次，HOLDX頻率就是采樣頻率。請問采樣頻率到底是由外部時鐘決定還是HOLDX信號頻率決定？
2025-01-14 06:47:29
半導體濕法刻蝕過程中殘留物的形成，其背后的機制涵蓋了化學反應、表面交互作用以及側(cè)壁防護等多個層面，下面是對這些機制的深入剖析： 化學反應層面 1 刻蝕劑與半導體材料的交互：濕法刻蝕技術依賴于特定
2025-01-08 16:57:451468 WD4000半導體晶圓幾何表面形貌檢測設備兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準確。它通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度
2025-01-06 14:34:08
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