和IP（知識產(chǎn)權(quán)）組合。這一方法旨在讓英特爾加快創(chuàng)新步伐，并將扎根于六大戰(zhàn)略支柱： 英特爾公司處理器核心與視覺計(jì)算高級副總裁Raja Koduri 制程 擁有領(lǐng)先的制程技術(shù)，仍是建構(gòu)領(lǐng)先的產(chǎn)品之關(guān)鍵。先進(jìn)的封裝解決方案在三維空間中擴(kuò)展晶體管
2018-12-13 12:04:02
1012 8月13日，在2020年架構(gòu)日上，英特爾六大技術(shù)支柱持續(xù)創(chuàng)新，揭秘Willow Cove，Tiger Lake和Xe架構(gòu)以及全新的晶體管技術(shù)。
2020-08-14 18:52:266294 ??應(yīng)用材料公司利用 Stensar?CVD取代旋涂鍍膜以擴(kuò)展二維極紫外光邏輯微縮 ??預(yù)覽最廣泛的三維環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)產(chǎn)品組合，包括兩種全新的IMS?系統(tǒng) ? 2022 年 4 月 21 日
2022-04-22 18:16:193618 
什么是3D晶體管？3D晶體管，從技術(shù)上講，應(yīng)該是三個(gè)門晶體管。傳統(tǒng)的二維門由較薄的三維硅鰭（fin）所取代，硅鰭由硅基垂直伸出。
2012-08-08 11:12:013657 在“NEPCON日本2013”的技術(shù)研討會上，英特爾和高通分別就有望在新一代移動SoC（系統(tǒng)級芯片）領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)實(shí)用的 TSV（硅通孔）三維封裝技術(shù)發(fā)表了演講。兩家公司均認(rèn)為，“三維封裝是將來的技術(shù)方向”。
2013-01-22 09:06:011822 Floating-GateTransistor）。這是我國科學(xué)家在該頂級學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表的第一篇微電子器件領(lǐng)域的原創(chuàng)性成果，標(biāo)志著我國在全球尖端集成電路技術(shù)創(chuàng)新鏈中獲得重大突破。
2013-08-22 10:23:524328 兩種晶體管一起造——英特爾正在研究的晶體管堆疊技術(shù)將大幅度提高芯片的計(jì)算密度。 ? 目前我們所熟知的臺積電、三星、英特爾、格芯、中芯國際等芯片代工廠量產(chǎn)的先進(jìn)工藝普遍采用基于多柵鰭型場效應(yīng)晶體管
2021-01-06 16:31:206277 
近日公布2011年“科技創(chuàng)新獎(jiǎng)”，英特爾的3-D三柵極晶體管設(shè)計(jì)獲得半導(dǎo)體類別創(chuàng)新大獎(jiǎng)。英特爾的3-D三柵極晶體管結(jié)構(gòu)代表著從2-D平面晶體管結(jié)構(gòu)的根本性轉(zhuǎn)變
2011-10-23 01:01:041184 節(jié)點(diǎn)，以及全新的封裝技術(shù)和代工客戶。 ? 新的命名：10nm 變7nm ? 過去的報(bào)道中，我們已經(jīng)多次提到了英特爾在10nm和7nm制程上，英特爾在晶體管密度上其實(shí)是領(lǐng)先同節(jié)點(diǎn)名的臺積電和三星的。英特爾也深知這一點(diǎn)，過去的節(jié)點(diǎn)命名方式讓他們在營銷上吃了大虧，7nm開發(fā)進(jìn)度被
2021-07-28 09:44:237509 。 ? 英特爾18A工藝堪稱芯片制造領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破，處于業(yè)界2納米級節(jié)點(diǎn)水平。它采用了兩項(xiàng)極具創(chuàng)新性的基礎(chǔ)技術(shù)——RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)和PowerVia背面供電技術(shù)
2025-10-21 08:52:004858 據(jù)國外媒體報(bào)道，據(jù)硅谷的知情人士透露，蘋果和英特爾目前正在就聯(lián)合生產(chǎn)用于移動設(shè)備的ARM處理器進(jìn)行談判。如果這個(gè)新的傳言是可信的，英特爾與蘋果建立的新的聯(lián)盟對于三星來說可能是一個(gè)大麻煩。雖然沒有證據(jù)
2013-03-12 11:40:10
當(dāng)前生物質(zhì)電廠鍋爐防磨防爆管理以傳統(tǒng)管理方式為主，嚴(yán)重依賴一線管理人員的個(gè)人經(jīng)驗(yàn)，缺少信息化的支撐。針對生物質(zhì)鍋爐設(shè)備特性以及泄漏因素，以三維可視化技術(shù)以及大數(shù)據(jù)分析技術(shù)的應(yīng)用為突破口，打破傳統(tǒng)
2020-09-17 16:45:30
`三維快速建模技術(shù)與三維掃描建模的應(yīng)用隨著數(shù)字化測量的發(fā)展，三維激光掃描儀能夠快速地以多角度、高效、高精度方式獲取物體的表面三維數(shù)據(jù)，可以用于物體的三維建模。首先采用中科院廣州電子
2018-08-07 11:14:41
`| 突破二向箔的束縛：三維觸控然而，人們對觸摸屏交互方法的探索并沒有到此為止。這里不妨再梳理一下手機(jī)與用戶交互方式的進(jìn)化過程。最初，用戶只能通過按手機(jī)上若干位置固定的按鍵來操作手機(jī)，這種方式可以
2016-12-19 15:53:17
。三維CAD的使用，不僅能提高設(shè)計(jì)質(zhì)量，還能縮短設(shè)計(jì)周期，創(chuàng)作良好的經(jīng)濟(jì)效益和社會效益。所以，越來越多的企業(yè)將三維CAD作為企業(yè)進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)和創(chuàng)新最通用的手段和工具。而隨著我國計(jì)算機(jī)技術(shù)的迅速發(fā)展
2019-07-03 07:06:31
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾在半世紀(jì)前提出的摩爾定律，是指每代制程工藝都要讓芯片上的晶體管數(shù)量翻一番?？v觀芯片每代創(chuàng)新歷史，業(yè)界一直遵循這一定律，并按前一代制程工藝縮小約 0.7倍來對新制程節(jié)點(diǎn)命名
2019-07-17 06:27:10
架構(gòu)Willow Trail處理器出現(xiàn)，其同樣支持Windows系統(tǒng)和Android平板電腦?！ ?b class="flag-6" style="color: red">英特爾透露，該公司將在2014年第一季度推出Merrifield智能手機(jī)平臺，而在第三
2013-12-19 16:48:30
Bridge的處理器。這種處理器使用3D（三閘）晶體管?！ at Bliemer還證實(shí)稱，英特爾的Tick-Tock（工藝年-構(gòu)架年）戰(zhàn)略正在按計(jì)劃進(jìn)行。這意味著第一款采用14納米技術(shù)的處理器將在
2011-12-05 10:49:55
嗨伙計(jì)，我的英特爾愛迪生停止通過終端和ssh通過wifi訪問，所以我決定閃存它。$ ./flashall.sh使用U-Boot目標(biāo)：edison-blankcdc現(xiàn)在等待dfu設(shè)備8087：0a99
2018-11-02 10:57:32
英特爾公司今日宣布，英特爾將面向嵌入式市場為全新2010英特爾? 酷睿? 處理器系列中的十款處理器和三款芯片組提供7年以上生命周期支持。全新2010英特爾酷睿處理器系列能夠提供智能性能和高能效表現(xiàn)
2019-07-29 06:13:57
，英特爾欲轉(zhuǎn)型實(shí)現(xiàn)自我救贖，還有很長一段路要走?！ 3凈利潤下滑14% 近日，英特爾公布了2012財(cái)年三季度財(cái)報(bào)，報(bào)告顯示，英特爾三季度凈營收為135億美元，低于去年同期的142億美元;凈利潤為
2012-11-07 16:33:48
%的功耗。這是非常顯著的表現(xiàn)。盡管，三柵極晶體管——這是一項(xiàng)了不起的技術(shù)成就。但這會對英特爾、ARM之戰(zhàn)產(chǎn)生重大影響么？我想不會。英特爾與ARM的較量仍有一些變數(shù)：·ARM已經(jīng)在移動領(lǐng)域盡占先機(jī)。我從
2011-12-24 17:00:32
。圖片：D. Hisamoto等人，1990年 英特爾在 2012 年宣布使用批量配置（22 納米技術(shù)）（圖 11）?！ D 11.英特爾的鰭式場效應(yīng)晶體管。圖片：英特爾公司 一些基本功能
2023-02-24 15:20:59
與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓，采用超微縮技術(shù)，擁有世界上最密集的晶體管和最小
2017-09-22 11:08:53
近日，加入英特爾已有3個(gè)月的明星芯片架構(gòu)師Jim Keller接受了外媒VentureBeat的采訪，在采訪中談及了自己加入英特爾的始末和讓其為之興奮的新角色——英特爾公司技術(shù)、系統(tǒng)架構(gòu)和客戶端事業(yè)部高級副總裁兼芯片工程事業(yè)部總經(jīng)理。
2019-07-25 07:31:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個(gè)或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來說，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
電場控制材料的電導(dǎo)率?！ ■捠綀鲂?yīng)晶體管是一種非平面器件，即不受單個(gè)平面的限制。它也被稱為3D，因?yàn)榫哂械?b class="flag-6" style="color: red">三維度?！ 楸苊饣煜仨毩私獠煌奈墨I(xiàn)在提及鰭式場效應(yīng)晶體管器件時(shí)使用不同的標(biāo)簽
2023-02-24 15:25:29
你好。當(dāng)我在英特爾RST中啟用英特爾Optane，然后重新啟動我的計(jì)算機(jī)時(shí)，Defraggler將加速驅(qū)動器看作只是一個(gè)硬盤驅(qū)動器，在任務(wù)管理器中，它將其視為“1.8TB硬盤+英特爾Optane”我
2018-10-31 10:12:53
什么是SOI技術(shù)？在實(shí)現(xiàn)CAN收發(fā)器EMC優(yōu)化方面有哪些重大突破？
2021-05-10 06:42:44
幾個(gè)月前就有分析師援引彭博社的報(bào)道稱，AMD即將與宿敵英特爾達(dá)成顯卡芯片技術(shù)授權(quán)協(xié)議，上周更有匿名消息人士在一家PC愛好者網(wǎng)站上確認(rèn)了此事。然而，無論從AMD自身利益角度考慮，還是從該公司CEO
2017-05-27 16:12:29
先進(jìn)封裝發(fā)展背景晶圓級三維封裝技術(shù)發(fā)展
2020-12-28 07:15:50
英特爾的未來樂觀嗎？看一看英特爾的盲點(diǎn)在哪里？英特爾有哪些死角？
2021-06-18 08:08:01
。通常又薄又平的微芯片，如今卻堆疊得像薄煎餅?zāi)菢?，由?b class="flag-6" style="color: red">維變成三維——給電子設(shè)備帶來重大的影響。芯片設(shè)計(jì)師們正在發(fā)現(xiàn)那種堆疊方式可在性能、能耗和功能上帶來各種意想不到的好處。沒有這種技術(shù)，蘋果智能
2017-11-23 08:51:12
辦法，用iPhone、iPad的芯片技術(shù)替代Mac電腦中的英特爾芯片。他們認(rèn)為移動設(shè)備芯片設(shè)計(jì)終有一天性能會與桌面機(jī)、筆記本芯片一樣強(qiáng)大?！ ”M管，自2005年起在Mac中使
2012-11-06 16:41:09
采用MMX技術(shù)的英特爾奔騰和奔騰
2019-02-26 08:05:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
Intel[英特爾] 廠商介紹：英特爾是世界上第二大的半導(dǎo)體公司，也是首家推出x86架構(gòu)中央處理器的公司，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉。由羅伯特·諾伊斯、高登·摩爾、安迪·葛洛夫，以
2025-12-21 11:32:23
在本周于舊金山召開的英特爾開發(fā)者大會(IDF)中，英特爾將再揭示其采用三柵極(tri-gate)3D晶體管技術(shù)的22nm元件細(xì)節(jié)，并進(jìn)一步說明超輕薄筆電(Ultrabook)的超薄、超低功耗設(shè)計(jì)概念。
2011-09-16 09:23:431145 Intel在微處理器晶體管設(shè)計(jì)上取得重大突破，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu)，一款名為Tri-Gate的晶體管技術(shù)得到實(shí)現(xiàn)。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個(gè)微薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)
2011-10-25 09:35:401712 晶體管是現(xiàn)代電子學(xué)的基石，而Intel 此舉堪稱晶體管歷史上最偉大的里程碑式發(fā)明，甚至可以說是重新發(fā)明了晶體管。半個(gè)多世紀(jì)以來，晶體管一直都在使用2-D 平面結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在終于邁入
2012-01-18 15:28:52
147 可編程邏輯廠商Tabula 2月21日確認(rèn)，英特爾將使用最新技術(shù)3-D三柵極晶體管技術(shù)為其代工22-nm3PLD產(chǎn)品。
2012-02-21 15:07:151279 
將特別采用英特爾的3-D三維晶體管尖端制造工藝
2012-04-16 08:52:00862 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：英特爾今天推出了首款運(yùn)用22納米3D三維晶體管技術(shù)制造的處理器Ivy Bridge，這款內(nèi)核主要搭載在超薄高亮筆記本上面。分析人士認(rèn)為，這款芯片會縮短其與圖形處理性能
2012-04-24 17:11:521660 本文通過高清圖詳解Intel最新22nm 3D 晶體管 。業(yè)界一直傳說3D三柵級晶體管技術(shù)將會用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在
2012-08-03 17:09:180 本文核心議題： 通過本文介紹，我們將對Intel 22nm 3D三柵極晶體管技術(shù)有著詳細(xì)的了解。業(yè)界一直傳說3D三柵級晶體管技術(shù)將會用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒想到英特爾竟提前將之用
2012-08-15 10:45:278565 
英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個(gè)3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:241252 
近日消息，英特爾計(jì)劃將“3D晶體管”工藝應(yīng)用到SoC移動芯片上，以獲得產(chǎn)品性能飛躍性提升，但對于“3D晶體管”技術(shù)是否適用于SoC芯片的制造，參與舊金山國際電子產(chǎn)品大會的專家們
2012-12-11 09:05:451434 據(jù)消息，英特爾正計(jì)劃利用現(xiàn)有的硬件材料去開發(fā)量子計(jì)算機(jī)。通過量子機(jī)制，量子計(jì)算機(jī)能帶來更強(qiáng)大的計(jì)算性能。 荷蘭代爾夫特理工大學(xué)與英特爾合作開發(fā)的量子計(jì)算設(shè)備 競爭對手IBM、微軟和谷歌都在開發(fā)量子計(jì)算機(jī)，但這些量子計(jì)算機(jī)與當(dāng)前的計(jì)算機(jī)有很大不同。英特爾則計(jì)劃利用當(dāng)前的硅晶體管材料來實(shí)現(xiàn)量子計(jì)算機(jī)。
2016-12-23 02:39:111838 在英特爾制造日，英特爾發(fā)布了10nm晶圓。通過采用超微縮技術(shù)（hyper scaling），英特爾10納米制程工藝擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距，從而實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的晶體管密度。超微縮技術(shù)
2018-03-12 11:48:00891 
本文將介紹雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)。雙極晶體管是雙極型結(jié)型晶體管（BJT）的簡稱，在電力半導(dǎo)體中，也稱作大功率晶體管（GTR），在現(xiàn)代電力電子變換器中大多已經(jīng)被MOSFET或者IGBT所代替。了解雙極晶體管有助于深入理解現(xiàn)代功率器件的結(jié)構(gòu)。
2018-03-05 16:12:1427407 
由于晶體管制造的復(fù)雜性，每代晶體管制程針對不同用途的制造技術(shù)版本，不同廠商的代次間統(tǒng)計(jì)算法也完全不同，單純用代次來比較并不準(zhǔn)確。根據(jù)目前業(yè)界常用晶體管密度來衡量制程水平，英特爾最新10nm制程的晶體管密度堪比三星 EUV版本7nm制程。
2018-07-10 16:31:004668 
Cannonlake架構(gòu)的Core i3-8121處理器，通過分析英特爾的10nm工藝晶體管密度達(dá)到了100MTr/mm2，是14nm節(jié)點(diǎn)的2.7倍，而且英特爾首次使用了貴金屬釕。
2018-06-14 11:08:006886 三星等電腦廠商，開始拋棄英特爾，使用高通的處理器，這給英特爾前景蒙上了一層陰影。
2018-10-23 15:32:365279 模塊，包含英特爾公司領(lǐng)先的技術(shù)和IP（知識產(chǎn)權(quán)）組合。這一方法旨在讓英特爾加快創(chuàng)新步伐，并將扎根于六大戰(zhàn)略支柱： 1. 制程——擁有領(lǐng)先的制程技術(shù)，仍是建構(gòu)領(lǐng)先的產(chǎn)品之關(guān)鍵。先進(jìn)的封裝解決方案在三維空間中擴(kuò)展晶體管密度，將賦予英特
2018-12-17 16:03:01186 華為又亮出新王牌，最新技術(shù)突破，英特爾可能不再是全球第一
2019-08-19 11:35:453245 在2020年架構(gòu)日上，英特爾六大技術(shù)支柱持續(xù)創(chuàng)新，揭秘Willow Cove，Tiger Lake和Xe架構(gòu)以及全新的晶體管技術(shù)。
2020-08-14 14:08:192332 在2020年架構(gòu)日上，英特爾六大技術(shù)支柱持續(xù)創(chuàng)新，揭秘Willow Cove，Tiger Lake和Xe架構(gòu)以及全新的晶體管技術(shù)。
2020-08-14 17:55:333955 制程工藝是非常重要的基礎(chǔ)。在今年“架構(gòu)日”上，英特爾推出了創(chuàng)新的晶體管技術(shù)SuperFin。這項(xiàng)技術(shù)擁有行業(yè)顛覆意義，英特爾在底層晶體管設(shè)計(jì)上做了優(yōu)化，降低了電阻，提高了電流，同時(shí)在電容層級采用了Super MIM的大幅優(yōu)化技術(shù)，電容量提高了5倍，同時(shí)降低了壓降。
2020-08-27 11:14:582869 英特爾在2020年架構(gòu)日上推出10nm SuperFin晶體管技術(shù)，將實(shí)現(xiàn)其有史以來最強(qiáng)大的單節(jié)點(diǎn)內(nèi)性能增強(qiáng)。
2020-08-31 09:52:063204 
芯東西12月30日消息，英特爾在本周的IEEE國際電子設(shè)備會議上展示了一項(xiàng)新的研究，或?yàn)槔m(xù)命摩爾定律提供下一步可行方向。 此項(xiàng)研究是英特爾一直熱衷的堆疊納米片晶體管技術(shù)，通過將PMOS和NMOS兩種
2021-01-02 09:03:002358 ，進(jìn)而大大降低了功耗。這些成對的晶體管已經(jīng)彼此櫛次鱗比在一起好幾十年，但是如果電路要繼續(xù)縮小，它們就必須靠得更近。 英特爾（Intel）在本周的IEEE 國際電子元件大會（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM）上展示全然不同的排列方式：把一對
2021-01-08 09:55:152732 一年一度的CES展會在近日召開，不少科技公司都帶來旗下最新技術(shù)與產(chǎn)品，而在此次大會中，最為吸引用戶眼球的企業(yè)當(dāng)屬英特爾。英特爾不僅帶來了多款新產(chǎn)品，還接連放出新消息，在行業(yè)內(nèi)引起廣泛熱議。
2021-01-15 16:51:012323 方法背后的依據(jù)。 未來之路 英特爾的路線圖是基于無與倫比的制程技術(shù)創(chuàng)新底蘊(yùn)制定而成。結(jié)合世界先進(jìn)的研發(fā)流程，英特爾推出過諸多深刻影響了半導(dǎo)體生態(tài)的行業(yè)首創(chuàng)技術(shù)，如應(yīng)變硅、高K金屬柵極和3D FinFET晶體管等。 如今，英特爾延
2021-08-09 10:40:315625 英特爾的目標(biāo)是在封裝中將密度提升10倍以上，將邏輯微縮提升30%至50%，并布局非硅基半導(dǎo)體 在不懈推進(jìn)摩爾定律的過程中，英特爾公布了在封裝、晶體管和量子物理學(xué)方面的關(guān)鍵技術(shù)突破，這些突破對推進(jìn)和加
2021-12-14 09:22:323592 英特爾展示了集成在硅晶圓上的，被緊密控制的八波長激光陣列，具備適配功率和均勻波長間隔。
2022-07-01 17:46:431476 FinFET確切的說，是一個(gè)技術(shù)的代稱。世界上第一個(gè)3D三維晶體管是由英特爾在2011年5月宣布研制成功，當(dāng)時(shí)英特爾稱其為 “Tri-Gate”（三柵極晶體管）。
2022-07-08 15:04:262297 英特爾正在為 300 毫米硅基 GaN 晶圓打造一條可行的道路，讓世界離超越 5G 更近一步并解決能效挑戰(zhàn)。英特爾在這一領(lǐng)域的突破表明，增益是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) GaN 的 20 倍，并創(chuàng)下了高性能功率傳輸?shù)男袠I(yè)記錄。
2022-12-05 11:50:36735 ）上，英特爾發(fā)布了多項(xiàng)突破性研究成果，繼續(xù)探索技術(shù)創(chuàng)新，以在未來十年內(nèi)持續(xù)推進(jìn)摩爾定律，最終實(shí)現(xiàn)在單個(gè)封裝中集成一萬億個(gè)晶體管。英特爾的研究人員展示了以下研究成果：3D封裝技術(shù)的新進(jìn)展，可將密度再提升10倍；超越RibbonFET，用于2D晶體管微縮的新材料，包括僅三個(gè)
2022-12-06 15:50:211857 針對微芯片行業(yè)速度最快、最精密且最具能效的集成電路的爭奪戰(zhàn)在全球各大制造巨頭之間愈演愈烈，這正是芯片制造商為何要將全新的晶體管設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)集成到其最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)中的原因。臺積電、三星和英特爾都已宣布將在未來幾年采用目前最受關(guān)注的晶體管結(jié)構(gòu)——全環(huán)繞柵極晶體管。
2022-12-19 16:10:101898 在比利時(shí)安特衛(wèi)普舉行的ITF World 2023上，英特爾技術(shù)開發(fā)總經(jīng)理Ann Kelleher概述了英特爾在幾個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的最新進(jìn)展，最有趣的是英特爾將在未來采用堆疊CFET晶體管。
2023-05-20 10:01:14910 
英特爾稱該基板材料是一項(xiàng)重大突破，可解決有機(jī)材質(zhì)基板用于芯片封裝產(chǎn)生的翹曲問題，突破了現(xiàn)有傳統(tǒng)基板的限制，讓半導(dǎo)體封裝晶體管數(shù)量極限最大化，同時(shí)更省電、更具散熱優(yōu)勢，將用于更高速、更先進(jìn)的數(shù)據(jù)中心、AI、繪圖處理等高端芯片封裝。
2023-09-19 17:36:192000 
? ? ? ?在今年9月，英特爾宣布率先推出用于下一代先進(jìn)封裝的玻璃基板，并計(jì)劃在未來幾年內(nèi)向市場提供完整的解決方案，從而使單個(gè)封裝內(nèi)的晶體管數(shù)量不斷增加，繼續(xù)推動摩爾定律，滿足以數(shù)據(jù)為中心
2023-12-06 09:31:42842 在IEDM 2023上，英特爾展示了結(jié)合背面供電和直接背面觸點(diǎn)的3D堆疊CMOS晶體管，這些開創(chuàng)性的技術(shù)進(jìn)展將繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律。
2023-12-11 16:31:051079 英特爾在2023年國際電子設(shè)備制造大會上宣布，他們已經(jīng)成功完成了一項(xiàng)名為PowerVia的背面供電技術(shù)的開發(fā)。這個(gè)技術(shù)是基于英特爾的最新晶體管研究成果，它實(shí)現(xiàn)了互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
2023-12-11 16:10:421642 
在最近的IEDM大會上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設(shè)備。
2023-12-14 09:23:062122 
帕特·基辛格進(jìn)一步預(yù)測，盡管摩爾定律顯著放緩，到2030年英特爾依然可以生產(chǎn)出包含1萬億個(gè)晶體管的芯片。這將主要依靠新 RibbonFET晶體管、PowerVIA電源傳輸、下一代工藝節(jié)點(diǎn)以及3D芯片堆疊等技術(shù)實(shí)現(xiàn)。目前單個(gè)封裝的最大芯片含有約1000億個(gè)晶體管。
2023-12-26 15:07:371221 12月9日，英特爾在IEDM 2023（2023 IEEE 國際電子器件會議）上展示了使用背面電源觸點(diǎn)將晶體管縮小到1納米及以上范圍的關(guān)鍵技術(shù)。英特爾表示將在2030年前實(shí)現(xiàn)在單個(gè)封裝內(nèi)集成1萬億個(gè)晶體管。
2023-12-28 13:58:431311 CFET結(jié)構(gòu)“初露端倪”，讓業(yè)界看到了晶體管結(jié)構(gòu)新的發(fā)展前景。然而，業(yè)內(nèi)專家預(yù)估，CFET結(jié)構(gòu)需要7～10年才能投入商用。
2024-01-02 17:34:332669 
眾所周知，整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域正邁進(jìn)一個(gè)同時(shí)整合多個(gè)‘芯?！–hiplets，也被稱為‘小芯片’）在同一封裝中的多元時(shí)代?；诖耍?b class="flag-6" style="color: red">英特爾的 Foveros 及新型 EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）等高級封裝解決方案被譽(yù)為能將一萬億個(gè)晶體管融于單一封裝之內(nèi)
2024-01-26 09:44:281201 英特爾在封裝技術(shù)方面取得了重大突破，并已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)基于3D Foveros技術(shù)的產(chǎn)品。這項(xiàng)技術(shù)使得英特爾能夠在單個(gè)封裝中整合多個(gè)小芯片（Chiplets），從而提高了芯片的性能、尺寸和設(shè)計(jì)靈活性。
2024-01-26 16:04:501281 據(jù)悉，18A 制程是英特爾技術(shù)引領(lǐng)道路上的關(guān)鍵階段，雖非直接采用 1.8納米工藝，英特爾仍自豪宣稱其性能與晶體管密度媲美友商的 1.8 nm制程。
2024-02-29 15:13:291371 Ansys的多物理場簽核解決方案已經(jīng)成功獲得英特爾代工（Intel Foundry）的認(rèn)證，這一認(rèn)證使得Ansys能夠支持對采用英特爾18A工藝技術(shù)設(shè)計(jì)的先進(jìn)集成電路（IC）進(jìn)行簽核驗(yàn)證。18A工藝技術(shù)集成了新型RibbonFET晶體管技術(shù)和背面供電技術(shù)，代表了半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破。
2024-03-11 11:25:411358 PNP晶體管是一種雙極性晶體管，用于電子電路中放大、開關(guān)和控制電流的器件。與NPN晶體管相對應(yīng)，PNP晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)在于其三個(gè)不同的半導(dǎo)體區(qū)域：正極（P型）、負(fù)極（N型）、正極（P型）。這種結(jié)構(gòu)使得PNP晶體管在電流流動方向和電荷類型上與NPN晶體管有所不同，但其工作原理基本相同。
2024-07-01 17:45:329208 
在今年9月，英特爾宣布率先推出用于下一代先進(jìn)封裝的玻璃基板，并計(jì)劃在未來幾年內(nèi)向市場提供完整的解決方案，從而使單個(gè)封裝內(nèi)的晶體管數(shù)量不斷增加，繼續(xù)推動摩爾定律，滿足以數(shù)據(jù)為中心的應(yīng)用的算力需求
2024-07-22 16:37:15917 晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。這兩項(xiàng)技術(shù)首次成功集成于Intel 20A制程節(jié)點(diǎn)，也將用于Intel 18A。 RibbonFET：柵極“環(huán)抱”晶體管 通過RibbonFET晶體管，英特爾實(shí)現(xiàn)了
2024-09-11 17:57:52733 
來源：英特爾 在IEDM2024上，英特爾代工的技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)展示了晶體管和封裝技術(shù)的開拓性進(jìn)展，有助于滿足未來AI算力需求。 IEDM 2024（2024年IEEE國際電子器件會議）上，英特爾代工
2024-12-10 10:41:21601 IBM 與日本芯片制造商 Rapidus 在 2024 IEEE IEDM 國際電子器件會議上，對外展示了雙方攜手合作所研發(fā)的多閾值電壓 GAA 晶體管技術(shù)成果。該技術(shù)上的重大突破預(yù)計(jì)會被應(yīng)用于
2024-12-12 15:01:561091 芯東西12月16日報(bào)道，在IEDM 2024（2024年IEEE國際電子器件會議）上，英特爾代工展示了包括先進(jìn)封裝、晶體管微縮、互連縮放等在內(nèi)的多項(xiàng)技術(shù)突破，以助力推動半導(dǎo)體行業(yè)在下一個(gè)十年及更長
2024-12-25 09:52:111072 
，英特爾代工已取得重要里程碑。例如，Intel 18A制程節(jié)點(diǎn)已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，并計(jì)劃于今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)正式量產(chǎn)。這一節(jié)點(diǎn)采用了PowerVia背面供電技術(shù)和RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管。英特爾代工的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴為Intel 18A提供了EDA支持，參考流程
2025-05-09 11:42:16626 
了英特爾在技術(shù)研發(fā)上的深厚底蘊(yùn)，也為其在先進(jìn)封裝市場贏得了新的競爭優(yōu)勢。 英特爾此次的重大突破之一是 EMIB-T 技術(shù)。EMIB-T 全稱為 Embedded Multi-die Interconnect Bridge with TSV，是嵌入式多芯片互連橋接封裝技術(shù)的重大升級版本，專為高性
2025-06-04 17:29:57904
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