在22nm，或許是16nm節(jié)點(diǎn)，我們將需要全新的晶體管。而在這其中，爭(zhēng)論的焦點(diǎn)在于究竟該采用哪一種技術(shù)。這場(chǎng)比賽將關(guān)乎到晶體管的重新定義。在22/20nm邏輯制程的開發(fā)中，業(yè)界都爭(zhēng)先
2012-03-06 10:08:16
2292 若采用完全耗盡型SOI（FDSOI）技術(shù)，無(wú)需使晶體管立體化便可繼續(xù)推進(jìn)SoC微細(xì)化至10nm工藝左右。由于可以沿用原有半導(dǎo)體制造技術(shù)和設(shè)計(jì)技術(shù)，因此無(wú)需很多成本即可繼續(xù)推進(jìn)微細(xì)化（
2012-12-24 08:30:263228 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採(cǎi)用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導(dǎo)體市場(chǎng)邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個(gè)量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56893 該成果利用具有優(yōu)異液相分散性的石墨烯納米帶，實(shí)現(xiàn)了超凈單電子晶體管的制備，為進(jìn)一步研究液相石墨烯納米帶的自旋態(tài)和拓?fù)鋺B(tài)提供了可能。
2023-02-16 12:03:11964 其實(shí)早在2002年Intel即發(fā)現(xiàn)了這一技術(shù)，一直處于試驗(yàn)演示階段，現(xiàn)在終于把它變成了現(xiàn)實(shí)，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶體管的數(shù)量將達(dá)到10億。
2020-04-07 09:01:21
很多晶體管組成的。芯片制程是指在芯片中，晶體管的柵極寬度。因?yàn)樵谡麄€(gè)芯片中，晶體管的柵極是整個(gè)電路中最窄的線條。如果柵極寬度為10nm，則稱其為10nm制程。納米數(shù)越小，比如從10nm到 7nm，就可以
2019-12-10 14:38:41
的B和C對(duì)稱、和E極同樣是N型。也就是說(shuō)，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動(dòng)。3. 逆向晶體管有如下特點(diǎn)。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。正常時(shí)，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測(cè)，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
的B和C對(duì)稱、和E極同樣是N型。也就是說(shuō)，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動(dòng)。3. 逆向晶體管有如下特點(diǎn)。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
碳納米纖維是指具有納米尺度的碳纖維，依其結(jié)構(gòu)特性可分為納米碳管即空心碳納米纖維和實(shí)心碳納米纖維。
2019-09-20 09:02:43
今日（5月6日）消息，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片。核心指標(biāo)方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方...
2021-07-20 06:51:04
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營(yíng)與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓，采用超微縮技術(shù)，擁有世界上最密集的晶體管和最小
2017-09-22 11:08:53
。這場(chǎng)戰(zhàn)役兩家大廠互有消長(zhǎng)，首先是三星的14nm較臺(tái)積電的16nm搶先半年投入量產(chǎn)，因兩家大廠的鰭式晶體管(FinFET)設(shè)計(jì)也確有雷同之處，后續(xù)又衍生了競(jìng)業(yè)禁止官司訴訟等故事，無(wú)論如何，最終臺(tái)積電還是
2018-06-14 14:25:19
提高了器件的性能。據(jù)IMEC的研究，叉片晶體管相比納米片晶體管可以實(shí)現(xiàn)約10%的性能提升。
叉片晶體管被認(rèn)為是未來(lái)1nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的有力候選架構(gòu)。它能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">納米片晶體管的可微縮性進(jìn)一步延伸，為半導(dǎo)體
2025-06-20 10:40:07
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)
2023-02-03 09:36:05
顯示器和透明太陽(yáng)能電池板產(chǎn)品的出現(xiàn)?！ ≡谠S多透明電子系統(tǒng)中，晶體管都是至關(guān)重要的部件。如今，這種器件通常是薄膜晶體管形式，由In2O3、ZnO2、SnO2等透明導(dǎo)電氧化物材料制成?！ 〔贿^(guò)，薄膜晶體管
2020-11-27 16:30:52
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
MOSFET顯示出令人反感的短通道效應(yīng)?！ 艠O長(zhǎng)度（Lg）縮小到90
nm以下會(huì)產(chǎn)生明顯的漏電流，而在28
nm以下，漏電流過(guò)大，使
晶體管失效。因此，隨著柵極長(zhǎng)度的縮小，抑制關(guān)斷狀態(tài)泄漏至關(guān)重要?！ √岣?/div>
2023-02-24 15:25:29
的寬度，也被稱為柵長(zhǎng)。柵長(zhǎng)越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來(lái)越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
晶體管開關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置。 晶體管開關(guān)對(duì)于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
小弟想問(wèn)，有誰(shuí)可以告訴我。晶體管transistor part number(UTC MCR101L 6UDA)是NPN 還是PNP。如果找不到同一樣的晶體管(transistor)那我該買什么晶體管(transistor)來(lái)替換。急求。。。。。。。答案。。。。。
2011-06-21 13:38:28
判斷為不合格。正確觀點(diǎn)A：首先為了啟動(dòng)數(shù)字晶體管，加入足夠的輸入電壓Vin(如10V)B：漸漸降低電壓，到規(guī)格書規(guī)定的3V時(shí)停止。因仍保持ON狀態(tài)，故該產(chǎn)品為合格。C：如果繼續(xù)降低基極電壓，不能完全保持
2019-04-09 21:49:36
：首先為了啟動(dòng)數(shù)字晶體管，加入足夠的輸入電壓Vin(如10V)B：漸漸降低電壓，到規(guī)格書規(guī)定的3V時(shí)停止。因仍保持ON狀態(tài)，故該產(chǎn)品為合格。C：如果繼續(xù)降低基極電壓，不能完全保持ON狀態(tài)，而向OFF狀態(tài)
2019-04-22 05:39:52
急需一種流動(dòng)性更強(qiáng)的新材料來(lái)替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導(dǎo)體之一，普渡大學(xué)通過(guò)這種材料做出了全球首款3D環(huán)繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外，三五族合金納米管將把閘極長(zhǎng)度
2011-12-08 00:01:44
和二硫化鉬（MoS2）制作而成。MoS2將擔(dān)起原本半導(dǎo)體的職責(zé)，而納米碳管則負(fù)責(zé)控制邏輯門中電子的流向。眼下，這一研究還停留在初級(jí)階段，畢竟在14nm的制程下，一個(gè)模具上就有超過(guò)10億個(gè)晶體管，而要
2016-10-08 09:25:15
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
，越往下線寬越窄，越靠近器件層?！ ∵@是CPU的截面視圖，可以清晰的看到層狀的CPU結(jié)構(gòu)，芯片內(nèi)部采用的是層級(jí)排列方式，這個(gè)CPU大概是有10層。其中最下層為器件層，即是MOSFET晶體管
2020-07-07 11:36:10
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
英飛凌科技公司（Infineon），設(shè)在慕尼黑的實(shí)驗(yàn)室最近取得了新的突破——這里的研究人員成功開發(fā)出全球最小的納米晶體管，其溝槽長(zhǎng)度僅為18納米，幾乎是當(dāng)前最先進(jìn)的晶
2006-03-11 22:10:391263 晶體管（transistor）
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5納米工藝的四核處理器已能容納8億個(gè)晶體管
2009-11-05 10:34:251669 愛爾蘭科學(xué)家開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管
愛爾蘭丁鐸爾國(guó)家研究院的科學(xué)家最近宣稱他們成功制出了業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管，并稱此項(xiàng)發(fā)明對(duì)10nm級(jí)別制程意義重大
2010-02-24 10:08:25839 PNP晶體管,PNP晶體管是什么意思
PNP晶體管是另一種類型晶體管.它的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
2010-03-05 11:18:056814 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來(lái)控制。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:466586 電力晶體管(GTR),電力晶體管(GTR)是什么意思
電力晶體
電力晶體管管按英文GiantTransistor直譯為巨型晶體
2010-03-05 13:32:3014825 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過(guò)規(guī)定允許值時(shí)的最大
2010-03-05 17:34:108979 Intel在微處理器晶體管設(shè)計(jì)上取得重大突破，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu)，一款名為Tri-Gate的晶體管技術(shù)得到實(shí)現(xiàn)。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個(gè)微薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)
2011-10-25 09:35:401712 來(lái)自IBM、蘇黎世理工學(xué)院和美國(guó)普渡大學(xué)的工程師近日表示，他們構(gòu)建出了首個(gè)10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:291105 IBM目前官方宣布已經(jīng)發(fā)展低于10nm以下的9nm制程電晶體技術(shù)，并以碳元素為主要材質(zhì)。
2012-02-09 09:50:301950 根據(jù)最新消息，IBM成功利用碳納米材料，在單個(gè)芯片上集成了上萬(wàn)個(gè)9nm制程工藝的晶體管，相信大家對(duì)于著名的摩爾定律都略知一二，但是隨著集成電路晶體管尺寸越來(lái)越小，CPU內(nèi)存等
2012-11-08 10:28:184009 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術(shù)論壇上，IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術(shù)外，還展示了諸如硅光子晶體管，碳納米管等前沿技術(shù)。
2013-02-20 23:04:308361 斯坦福大學(xué)發(fā)布了首款由碳納米晶體管組成的電腦芯片。硅晶體管早晚會(huì)走到道路的盡頭。晶體管越做越小，以至于它不能夠容納下足夠的硅原子來(lái)展示硅的特性。
2013-02-28 09:34:492328 據(jù)英國(guó)學(xué)術(shù)雜志《自然》報(bào)道，斯坦福大學(xué)研發(fā)人員開發(fā)出了全球首臺(tái)基于碳納米晶體管技術(shù)的計(jì)算機(jī)，并已經(jīng)成功測(cè)試運(yùn)行，這表明人類未來(lái)在開發(fā)新型電腦設(shè)備時(shí)有望擺脫對(duì)硅晶體技術(shù)的依賴。
2013-09-26 09:08:296466 米特拉表示，“如果利用碳納米管晶體管取代硅晶體管，效能比可提高1000倍。”
2016-08-22 14:03:541290 為什么說(shuō)7nm是物理極限?縮短晶體管柵極的長(zhǎng)度可以使CPU集成更多的晶體管或者有效減少晶體管的面積和功耗，并削減CPU的硅片成本。不過(guò)這種做法也會(huì)使電子移動(dòng)的距離縮短，容易導(dǎo)致晶體管內(nèi)部電子自發(fā)通過(guò)
2016-10-10 16:49:396418 英特爾此前已經(jīng)談?wù)撨^(guò)多次 10 納米的 Cannon Lake 芯片了，超級(jí)10nm領(lǐng)先一切對(duì)手,性能升25%功耗降45%,英特爾已經(jīng)有能力在1平方毫米中塞下1億個(gè)晶體管，絕對(duì)是行業(yè)歷史上史無(wú)前例的。
2017-04-05 18:01:142446 IBM宣布在晶體管的制造上獲得了巨大的突破，運(yùn)用最新工藝研制出了300億個(gè)5納米晶體管。和10nm芯片對(duì)比同等效率下，5納米芯片可以節(jié)省74%電能。
2017-12-27 12:39:191370 作為科技行業(yè)著名的“牙膏廠”，英特爾一直走在所有廠商前面。因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">10nm制程已經(jīng)跳票三年之久，每當(dāng)一款新的處理器發(fā)布，眾人翹首以待10nm的到來(lái)，可英特爾還是給用戶潑冷水，繼續(xù)跳票10nm工藝。
2018-06-15 15:53:006091 由于晶體管制造的復(fù)雜性，每代晶體管制程針對(duì)不同用途的制造技術(shù)版本，不同廠商的代次間統(tǒng)計(jì)算法也完全不同，單純用代次來(lái)比較并不準(zhǔn)確。根據(jù)目前業(yè)界常用晶體管密度來(lái)衡量制程水平，英特爾最新10nm制程的晶體管密度堪比三星 EUV版本7nm制程。
2018-07-10 16:31:004668 
Cannonlake架構(gòu)的Core i3-8121處理器，通過(guò)分析英特爾的10nm工藝晶體管密度達(dá)到了100MTr/mm2，是14nm節(jié)點(diǎn)的2.7倍，而且英特爾首次使用了貴金屬釕。
2018-06-14 11:08:006886 無(wú)疑這收獲了業(yè)界潮水般的質(zhì)疑，為何其10nm一直難以出師？有分析稱，10nm工藝之難產(chǎn)的一個(gè)關(guān)鍵是最初指標(biāo)定的太高。相比14nm工藝，10nm工藝的晶體管密度是前者的2.7倍，也就是2.7x的縮放
2018-12-18 10:37:333103 現(xiàn)如今，市場(chǎng)上最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)芯片使用7納米晶體管。中國(guó)科學(xué)院微電子研究所微電子設(shè)備與集成技術(shù)領(lǐng)域的專家殷華湘說(shuō)，他的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)研發(fā)出3納米晶體管——相當(dāng)于一條人類DNA鏈的寬度，在一個(gè)指甲蓋大小的芯片上能安裝數(shù)百億個(gè)這種晶體管。
2019-06-13 16:08:275958 CPU使用數(shù)十億個(gè)微型晶體管，電子門打開和關(guān)閉以執(zhí)行計(jì)算。晶體管越小，所需的功率就會(huì)越小。7nm和10nm是這些晶體管尺寸的測(cè)量尺寸。nm是納米和微小長(zhǎng)度的縮寫，以此來(lái)判斷特定CPU有多強(qiáng)大的有用指標(biāo)。
2019-08-18 10:02:177884 晶體管是電子計(jì)算行業(yè)的基礎(chǔ)，目前我們使用的多是硅基晶體管，但是隨著摩爾定律逐漸失效，硅基半導(dǎo)體在10nm以下正面臨各種困難。在新一代晶體管技術(shù)中，碳納米管被視為理想的材料，日前美國(guó)麻省理工的科學(xué)家用14000個(gè)晶體管成功制作了16位處理器，并運(yùn)行了一段程序。
2019-08-29 17:23:084590 據(jù)Digitimes報(bào)道稱，Intel正在加速獨(dú)顯的發(fā)布速度，旗下首個(gè)10nm獨(dú)立顯卡“Xe”預(yù)計(jì)將于2020年年中推出。
2019-10-21 14:59:28948 CPU里的晶體管都是集成的超微晶體管，一個(gè)22納米工藝的i5可能集成上十億的晶體管。
2020-01-31 16:10:0015286 目前全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝已經(jīng)進(jìn)入 7nm，下一步還要進(jìn)入 5nm、3nm 節(jié)點(diǎn)，制造難度越來(lái)越大，其中晶體管結(jié)構(gòu)的限制至關(guān)重要，未來(lái)的工藝需要新型晶體管。
2019-12-10 15:40:497723 近日，中科院對(duì)外宣布，中國(guó)科學(xué)家研發(fā)出了新型垂直納米環(huán)柵晶體管，這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項(xiàng)技術(shù)成熟后，國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”，意義重大。
2020-01-15 09:40:329726 本文首先闡述了晶體管的概念，其次介紹了晶體管的優(yōu)越性，最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1213941 但是，這并不代表著對(duì)碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)會(huì)一帆風(fēng)順。1998年首個(gè)碳納米管晶體管研發(fā)至今，碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)一直遭遇材料上的瓶頸。長(zhǎng)期以來(lái)，最小碳納米管CMOS器件的柵長(zhǎng)停滯在20nm（2014年 IBM）。
2020-08-31 15:00:504507 ?！ ∧壳埃_(tái)積電的最新制造工藝是其第一代5納米工藝，該工藝將用于為iPhone 12等設(shè)備構(gòu)建處理器?！ ∨_(tái)積電的2nm工藝將采用差分晶體管設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)被稱為多橋溝道場(chǎng)效應(yīng)（MBCFET）晶體管
2020-09-25 17:08:151991 眾所周知，臺(tái)積電的2nm工藝將采用差分晶體管設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)被稱為多橋溝道場(chǎng)效應(yīng)（MBCFET）晶體管，它是對(duì)先前FinFET設(shè)計(jì)的補(bǔ)充。
2020-09-26 10:31:121737 全環(huán)繞柵極晶體管的出現(xiàn)滿足了以上所有需求，從而允許摩爾定律在5納米之后進(jìn)一步前進(jìn)。首先其生產(chǎn)工藝與鰭式晶體管相似，關(guān)鍵工藝步驟幾乎一樣（這點(diǎn)我們會(huì)在之后的文章中進(jìn)一步講解）。其次，全環(huán)繞柵極晶體管
2020-09-29 13:54:394508 Intel正在各個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從14nm向10nm的過(guò)渡：輕薄本上代還是14/10nm混合，現(xiàn)在已經(jīng)完全是10nm；游戲本、服務(wù)器馬上就都會(huì)首次嘗鮮10nm；桌面則要等到明年底的12代最終實(shí)現(xiàn)交接。
2020-12-07 10:00:072568 隨著Tiger Lake處理器的量產(chǎn)，Intel的10nm工藝已經(jīng)解決了產(chǎn)能、性能等問(wèn)題，現(xiàn)在使用的是10nm SuperFin（以下簡(jiǎn)稱10nm SF）工藝，下半年則會(huì)有更新的增強(qiáng)版10nm SF工藝，12代酷睿會(huì)首發(fā)。
2021-01-14 09:48:283786 
研究人員尋求通過(guò)在納米管和晶體管柵極之間，使用更薄的絕緣體來(lái)更好地控制碳納米晶體管。 ? 在 近日的IEEE Electron Devices Meeting (IEDM)會(huì)議上，碳納米管期間
2021-01-16 09:40:083366 過(guò)時(shí)。IBM?在 2021?年就證明了這一點(diǎn)，其突破性的 2?納米芯片技術(shù)顛覆了市場(chǎng)。這個(gè)新的制造時(shí)代得益于減少芯片納米的競(jìng)賽。? 今天，晶體管的標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度是10納米，而且隨著最新研究，頂級(jí)公司已經(jīng)生產(chǎn)了5納米或7納米的芯片。從歷史
2022-01-07 10:12:35743 在 2nm 和3nm，領(lǐng)先的代工廠及其客戶最終將遷移到稱為納米片 FET 的 GAA 晶體管類型。GAA FET 以比 finFET 更低的功率提供更高的性能，但它們的設(shè)計(jì)和制造成本更高。
2022-03-25 14:18:452161 目前，IBM已開發(fā)出全球首個(gè)2nm芯片，這種新型2nm芯片所體現(xiàn)的IBM創(chuàng)新對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體和IT行業(yè)至關(guān)重要，能夠在指甲大小的芯片上容納多達(dá)500億個(gè)晶體管，在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)了重大的突破。
2022-06-24 09:52:422734 在2021年5月份，IBM發(fā)布全球首個(gè)2nm制程芯片制造技術(shù)，全球首顆2nm芯片正式問(wèn)世。近期，臺(tái)積電正式宣布用于生產(chǎn)納米片晶體管架構(gòu)的2nm芯片，預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn)，三星電子也已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)3nm芯片，2nm將于2025年量產(chǎn)。
2022-06-29 09:38:044361 日前，三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息，今天上午，三星官方宣布已經(jīng)開始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱，其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經(jīng)在韓國(guó)華城工廠開始量產(chǎn)。 現(xiàn)在全球
2022-06-30 16:36:272953 現(xiàn)在的芯片技術(shù)越來(lái)越先進(jìn)，人們常常能夠聽到某某公司又研發(fā)出5nm、4nm芯片的消息，而目前全球所研發(fā)出的最先進(jìn)的芯片是IBM公司的2nm芯片，我們都知道芯片內(nèi)部有很多晶體管，那么2nm芯片的晶體管
2022-07-04 09:15:365743 IBM宣布已開發(fā)出全球首個(gè)2nm工藝的半導(dǎo)體芯片,采用三層GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，首次使用底介電隔離通道，其潛在性能和電池續(xù)航能力都將得到巨大的提升。
2022-07-04 12:22:561653 碳納米管具有高穩(wěn)定性和卓越的電子特性，已成為替代晶體管中硅的主要候選材料。在11 月 17 日發(fā)表于《科學(xué)》雜志的一篇評(píng)論文章中，西北大學(xué)的Mark Hersam及其合作者概述了碳納米管在高性能 IC 以及適用于物聯(lián)網(wǎng)的低成本/低性能電子產(chǎn)品中的機(jī)遇和剩余挑戰(zhàn)
2022-11-25 10:03:361999 的NMN910 5G SoC 芯片，也被稱為麒麟9000。 這款芯片集成了49億個(gè)晶體管，尺寸為 5 納米，成為了全球首個(gè)量產(chǎn)的5nm 5G SoC芯片。這是一個(gè)重要的里程碑，它意味著華為已經(jīng)成為了第一個(gè)推出5nm工藝技術(shù)的芯片制造商，并且在性能方面達(dá)到了全球領(lǐng)先的水平。 首先我們
2023-09-01 16:47:359729 ? 近日，北京大學(xué)彭練矛院士/張志勇教授團(tuán)隊(duì) 造出一款基于陣列碳納米管的 90nm 碳納米管晶體管 ，具備可以高度集成的能力。 基于該90nm 碳納米管晶體管技術(shù)，目前該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的高靈敏碳納米管
2023-09-05 15:10:181860 
上次我的文章解釋了所謂的7nm不是真的7nm，是在實(shí)際線寬無(wú)法大幅縮小的前提下，通過(guò)改變晶體管結(jié)構(gòu)的方式縮小晶體管實(shí)際尺寸來(lái)達(dá)到等效線寬的效果那么新的問(wèn)題來(lái)了：從平面晶體管結(jié)構(gòu)(Planar)到立體
2023-12-19 16:29:011396 
IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來(lái)多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會(huì)導(dǎo)致更強(qiáng)大的芯片類別的開發(fā)。
2023-12-26 10:12:551206 在其內(nèi)部移動(dòng)的時(shí)間越短，從而提高開關(guān)速度。因此，隨著技術(shù)的進(jìn)步，晶體管的尺寸不斷縮小。例如，從70納米（nm）縮小到現(xiàn)在的7納米。 2. 新材料：研究人員一直在研究新材料，以替代傳統(tǒng)的硅材料，從而提高晶體管的開關(guān)速度。例如，
2024-01-12 11:18:222182 NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。
2024-09-13 14:10:009544 
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