資料介紹
大電流、高電壓、低損耗、高頻率、功能集成化、高可靠性
薄片工藝,110μm (1200V), 60 μm (600V)
小管芯,15年來(lái)管芯的面積減少了2/3
大芯片,4”-5”-6”-8”
新材料:SiC
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