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功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體技術(shù)

BM2P060MF-Z DC-DC轉(zhuǎn)換器文檔介紹

BM2P060MF-Z是一款A(yù)C-DC用PWM方式DC-DC轉(zhuǎn)換器，可為帶插座的各種產(chǎn)品提供理想的系統(tǒng)。本IC支持隔離式電源，使用本產(chǎn)品可輕松設(shè)計(jì)各種形...

2025-10-05 標(biāo)簽：DC-DC轉(zhuǎn)換器低功耗功率半導(dǎo)體 986 0

一文讀懂功率半導(dǎo)體DESAT保護(hù)的來龍去脈

以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-關(guān)于功率電子系統(tǒng)Desat保護(hù)的解析-「SysPro電力電子」知識(shí)星球節(jié)選-原創(chuàng)文章，非授權(quán)不得...

2025-09-17 標(biāo)簽：MOSFET 功率半導(dǎo)體 DESAT 328 0

上海貝嶺IGBT與MOSFET高效能功率器件產(chǎn)品介紹

在工業(yè)自動(dòng)化、新能源應(yīng)用和高效電源系統(tǒng)蓬勃發(fā)展的今天，對(duì)功率半導(dǎo)體器件的性能、效率和可靠性提出了前所未有的高要求。上海貝嶺作為國內(nèi)領(lǐng)先的模擬及功率半導(dǎo)體...

2025-09-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率器件 1.2k 0

SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)深度分析報(bào)告

1. 引言：功率半導(dǎo)體熱管理的重要性與SiC技術(shù)的崛起 1.1 功率器件熱管理在電力電子中的核心地位在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，功率半導(dǎo)體器件的熱管理已超越...

2025-09-15 標(biāo)簽：MOSFET 熱阻功率半導(dǎo)體 551 0

6AB0460T12-NR01六通道IGBT驅(qū)動(dòng)器深度技術(shù)與應(yīng)用解讀

面向儲(chǔ)能系統(tǒng)的高可靠性驅(qū)動(dòng)革新——6AB0460T12-NR01六通道IGBT驅(qū)動(dòng)器深度技術(shù)與應(yīng)用解讀傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于...

2025-09-14 標(biāo)簽：新能源汽車連接器功率半導(dǎo)體 665 0

一文讀懂電控系統(tǒng)核心——功率半導(dǎo)體IGBT模塊

前言功率半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)不可或缺的一部分，在電力轉(zhuǎn)換和控制中起著核心作用。而IGBT模塊作為其中一個(gè)極其高效、聽話且力量巨大的”電能開關(guān)“被廣...

2025-09-10 標(biāo)簽：IGBT 電控系統(tǒng)功率半導(dǎo)體 1.7k 0

散熱底板對(duì) IGBT 模塊功率循環(huán)老化壽命的影響

摘要：功率半導(dǎo)體模塊通常采用減小結(jié)殼熱阻的方式來降低工作結(jié)溫，集成Pin-Fin基板代替平板基板是一種有效選擇。兩種封裝結(jié)構(gòu)的熱阻抗特性不同，可能對(duì)其失...

2025-09-09 標(biāo)簽：IGBT 散熱功率半導(dǎo)體 1.7k 0

浮思特 | IGBT 和 MOSFET 有啥區(qū)別?一文說清!

在做電力電子設(shè)計(jì)的朋友，經(jīng)常會(huì)遇到一個(gè)選擇題：IGBT和MOSFET，到底該用哪個(gè)?這兩個(gè)器件都是“功率半導(dǎo)體”的代表選手，常出現(xiàn)在變頻器、充電樁、電動(dòng)...

2025-08-26 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率半導(dǎo)體 1.6k 0

一文了解功率半導(dǎo)體的可靠性測試

功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏ο到y(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動(dòng)，包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換，以及...

2025-08-25 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體可靠性測試功率循環(huán) 383 0

泰克科技寬禁帶功率半導(dǎo)體雙脈沖測試解決方案

采用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) MOSFET 器件構(gòu)建的新型功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，需要精心的設(shè)計(jì)和測試以優(yōu)化性能。

2025-08-25 標(biāo)簽：示波器泰克功率半導(dǎo)體 890 0

芯片收縮對(duì)功率半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域發(fā)展的影響

在功率半導(dǎo)體邁向180-250 nm先進(jìn)節(jié)點(diǎn)、SoC與SiP并行演進(jìn)、扇入/扇出晶圓級(jí)封裝加速分化之際，芯片持續(xù)收縮已從單純的尺寸微縮演變?yōu)橐粓隹绮牧?...

2025-08-25 標(biāo)簽：晶圓封裝功率半導(dǎo)體 1.1k 0

材料電壓電流動(dòng)態(tài)特性測試解決方案

在新能源電池、功率半導(dǎo)體、柔性電子等前沿應(yīng)用場景中，材料常被置于快速脈沖、電壓尖峰或大電流沖擊的復(fù)雜工況下，其導(dǎo)電路徑、發(fā)熱行為乃至失效機(jī)理都會(huì)隨瞬態(tài)電...

2025-08-05 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)采集功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)特性 475 0

RIGOL功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)性能測試解決方案

功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件，常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限，成...

2025-07-29 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率半導(dǎo)體 2k 0

浮思特 | 一文讀懂何為超結(jié)MOSFET (Super Junction MOSFET)?

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，突破硅材料的物理極限一直是工程師們的終極挑戰(zhàn)。隨著電力電子設(shè)備向高壓、高效方向快速發(fā)展，傳統(tǒng)MOSFET結(jié)構(gòu)已逐漸觸及性能天花板。本文...

2025-06-25 標(biāo)簽：MOSFET 功率半導(dǎo)體超結(jié)器件 780 0

半導(dǎo)體中載流子的運(yùn)動(dòng)

半導(dǎo)體中電子和空穴運(yùn)動(dòng)方式有很多種，比如熱運(yùn)動(dòng)引起的布朗運(yùn)動(dòng)、電場作用下的漂移運(yùn)動(dòng)和由濃度梯度引起的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)等等。它們都對(duì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性造成不同的影響，...

2025-06-23 標(biāo)簽：電流功率半導(dǎo)體載流子 1.2k 0

羅姆新SPICE模型助力優(yōu)化功率半導(dǎo)體性能

在SiC（碳化硅）等功率半導(dǎo)體的電氣仿真中，以往的行為模型存在收斂性差、仿真速度慢的問題。但是，這次開發(fā)并發(fā)布了提高仿真速度的新模型。

2025-06-23 標(biāo)簽：SPICE 功率半導(dǎo)體碳化硅 605 0

碳化硅在多種應(yīng)用場景中的影響

對(duì)碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí)，需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識(shí)，幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)...

2025-06-13 標(biāo)簽：晶體管 SiC 功率半導(dǎo)體 898 0

功率器件電鍍的原理和步驟

在功率半導(dǎo)體制程里，電鍍扮演著舉足輕重的角色，從芯片前端制程到后端封裝，均離不開這一關(guān)鍵工序。目前，我國中高檔功率器件在晶圓背面金屬化方面存在技術(shù)短板，...

2025-06-09 標(biāo)簽：晶圓電鍍功率器件 1.6k 0

泰克科技功率器件雙脈沖測試解決方案

在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測試（DPT）作為一種關(guān)鍵的測試方法，為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評(píng)估提供了精準(zhǔn)的手段...

2025-06-05 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器功率器件功率半導(dǎo)體 794 0

IGBT器件的防靜電注意事項(xiàng)

IGBT作為功率半導(dǎo)體器件，對(duì)靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手，詳細(xì)闡述使用過程中防靜電的具體注意事項(xiàng)與防護(hù)措施，確保其安全穩(wěn)定運(yùn)行。

2025-05-15 標(biāo)簽：IGBT 防靜電功率半導(dǎo)體 906 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

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A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
LT8705

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