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基本半導(dǎo)體

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深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。

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基本半導(dǎo)體動態(tài)

傾佳電子代理的BASiC基本半導(dǎo)體SiC功率器件產(chǎn)品線選型指南

傾佳電子代理的BASiC基本半導(dǎo)體SiC功率器件產(chǎn)品線選型指南傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)

2025-10-08 標(biāo)簽：功率器件 SiC 基本半導(dǎo)體 148 0
基本半導(dǎo)體亮相2025上海國際電力元件和可再生能源展覽會

9月24日至26日，PCIM Asia Shanghai 2025上海國際電力元件、可再生能源展覽會在上海新國際博覽中心

2025-09-28 標(biāo)簽： MOSFET 功率器件基本半導(dǎo)體 1030 0
東芝亮相2025上海國際電力元件和可再生能源管理展覽會

2025年9月24日 — 9月26日，作為電力電子和能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的國際盛會，2025 PCIM Asia（上海國際電力元

2025-09-28 標(biāo)簽：東芝電力能源基本半導(dǎo)體 623 0
傾佳電子行業(yè)洞察：基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計

傾佳電子行業(yè)洞察：基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計傾佳電子（Changer Tech）是一家專注

2025-09-21 標(biāo)簽： MOSFET 電源設(shè)計碳化硅 1066 0
傾佳電子代理的基本半導(dǎo)體SiC模塊等碳化硅功率器件全線產(chǎn)品概述

當(dāng)前，全球能源結(jié)構(gòu)加速向清潔化、電動化與智能化升級，功率半導(dǎo)體器件成為能源變革與電力電子創(chuàng)新的核心基石。以碳化硅（SiC

2025-09-06 標(biāo)簽：碳化硅 SiC模塊基本半導(dǎo)體 444 0
基本半導(dǎo)體連獲兩個行業(yè)獎項

近日，基本半導(dǎo)體憑借在碳化硅模塊領(lǐng)域的突出表現(xiàn)，連獲“國產(chǎn)SiC模塊TOP企業(yè)獎”和“年度優(yōu)秀功率器件產(chǎn)品獎”兩個行業(yè)獎

2025-09-05 標(biāo)簽：功率器件 SiC 基本半導(dǎo)體 703 0
基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)PCS中的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)PCS中的應(yīng)用

2025-09-01 標(biāo)簽： PCS 基本半導(dǎo)體 296 0
基本半導(dǎo)體與東芝達(dá)成戰(zhàn)略合作

日前，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“基本半導(dǎo)體”）與東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝電子元件”）正

2025-08-30 標(biāo)簽： MOSFET 東芝 IGBT 1541 0
基本半導(dǎo)體與中汽芯達(dá)成戰(zhàn)略合作

8月23日，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱“基本半導(dǎo)體”）與中汽芯（深圳）科技有限公司（簡稱“中汽芯”）簽署戰(zhàn)略合作協(xié)

2025-08-26 標(biāo)簽：功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 813 0
基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、

2025-08-01 標(biāo)簽： MOSFET 封裝功率模塊 952 0

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基本半導(dǎo)體簡介

　　深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。公司擁有一支國際化的研發(fā)團(tuán)隊，核心成員包括來自清華大學(xué)、劍橋大學(xué)、瑞典皇家理工學(xué)院、中國科學(xué)院等國內(nèi)外知名高校及研究機(jī)構(gòu)的十多位博士。

　　基本半導(dǎo)體掌握國際領(lǐng)先的碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈，先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET、車規(guī)級全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國際先進(jìn)水平。其中650V碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品已通過AEC-Q101可靠性測試，其他同平臺產(chǎn)品也將逐步完成該項測試?；景雽?dǎo)體碳化硅功率器件產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于新能源、電動汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

　　基本半導(dǎo)體與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心，是深圳第三代半導(dǎo)體研究院發(fā)起單位之一，廣東省未來通信高端器件創(chuàng)新中心股東單位之一，獲批中國科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心，公司及產(chǎn)品榮獲2020“科創(chuàng)中國”新銳企業(yè)、“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎、中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽專業(yè)賽一等獎等榮譽。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) 數(shù)據(jù)手冊

基本半導(dǎo)體技術(shù)

驅(qū)動碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析

相較于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的開關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開啟電壓更低的特點，越來越廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、交通、醫(yī)療等...

2024-06-21 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動芯片碳化硅 4.3k 0

基本半導(dǎo)體之碳化硅MOSFET和充電樁詳解

交流充電樁：本質(zhì)是一個帶控制的插座，主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、交流接觸器、充電槍線等結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)較為簡單，需要車載充電機(jī)自己進(jìn)行變壓...

2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET 充電樁碳化硅 2.9k 0

碳化硅功率器件可靠性測試方法詳解

可靠性，是指產(chǎn)品在規(guī)定時間內(nèi)和條件下完成規(guī)定功能的能力，是產(chǎn)品質(zhì)量的重要指標(biāo)，如果在規(guī)定時間內(nèi)和條件下產(chǎn)品失去了規(guī)定的功能，則稱之為產(chǎn)品失效或出現(xiàn)了故障...

2023-07-21 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件可靠性測試 2.3k 0

基本半導(dǎo)體正激DCDC開關(guān)電源芯片BTP1521x簡介

基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的BTP1521x是一款正激DCDC開關(guān)電源芯片，集成上電軟啟動功能及過溫保護(hù)功能，輸出功率可達(dá)6W。該電源芯片工作頻率通過OSC腳設(shè)...

2025-01-15 標(biāo)簽：開關(guān)電源 DCDC 電源芯片 2.2k 0

基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲能PCS中的應(yīng)用

在工商業(yè)儲能系統(tǒng)中，儲能變流器（PCS）是核心組件之一，其性能直接影響整個系統(tǒng)的效率和可靠性。隨著碳化硅（SiC）功率器件的廣泛應(yīng)用，儲能PCS的效率、...

2025-03-03 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 PCS 2k 0

基本半導(dǎo)體榮獲“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎

深圳本土第三代半導(dǎo)體科創(chuàng)企業(yè)——深圳基本半導(dǎo)體有限公司旗下車規(guī)級全碳化硅功率模塊（BMB200120P1）榮獲優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎。

2019-10-30 標(biāo)簽：中國芯電機(jī)控制器碳化硅 1.7k 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體?1200V碳化硅肖特基二極管B1D30120HC(替代科銳C4D30120D)助力車載充電機(jī)二次側(cè)整流

車載充電機(jī)可實現(xiàn)交流輸入（85VAC~265VAC）/直流輸出（200VDC-750VDC）輸出的功能，其電路的核心架構(gòu)通常由整流、PFC升壓、LLC逆...

2022-07-20 標(biāo)簽：肖特基二極管科銳基本半導(dǎo)體 1.4k 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體650V 20A碳化硅肖特基二極管B1D20065K替代IDH20G65C5應(yīng)用于PFC電路

PFC電路廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源（特別是通信電源）中?，F(xiàn)階段，PFC電路多采用硅基材料，由于硅基材料的限制，電源的損耗較大，效率偏低。在電源的PFC電路...

2022-07-25 標(biāo)簽：肖特基二極管基本半導(dǎo)體 1.4k 0

淺談新能源汽車電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用

基本半導(dǎo)體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發(fā)和生產(chǎn)，目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動應(yīng)用等核心技術(shù)，申請兩百余項發(fā)明專利，產(chǎn)品性能...

2023-06-01 標(biāo)簽：新能源汽車 IGBT 電機(jī)控制器 1.3k 0

基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級碳化硅半橋模塊解析

隨著可再生能源、電動汽車等領(lǐng)域現(xiàn)代電力應(yīng)用的發(fā)展，硅的局限性變得越來越明顯。以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有適合高壓、大功率應(yīng)用的優(yōu)良特性，在650...

2024-11-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅半橋模塊 1.1k 0

基本半導(dǎo)體帖子

基本半導(dǎo)體資料下載

基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)PCS中的應(yīng)用立即下載

2025-09-01 標(biāo)簽：PCS 基本半導(dǎo)體 0 296

基本半導(dǎo)體資訊

基本半導(dǎo)體發(fā)布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計，開發(fā)出了短路耐受時間長，導(dǎo)通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能...

2019-01-17 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體器件碳化硅 1.1萬 0

國內(nèi)碳化硅“先鋒”，基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些？

基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在1...

2021-11-29 標(biāo)簽：模塊 MOSFET 碳化硅 9.1k 0

SiC需求爆發(fā)！賽道正式開啟，國內(nèi)企業(yè)迅速就位

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）功率器件從硅基向碳化硅的轉(zhuǎn)型，成為了半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域快速發(fā)展的一個縮影，對整個電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重大的影響。 ? 碳化...

2021-11-12 標(biāo)簽：SiC二極管 SiC MOSFET 基本半導(dǎo)體 4.8k 0

聞泰12英寸車規(guī)級功率半導(dǎo)體晶圓制造中心投資超300億元

1月4日，深圳基本半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“基本半導(dǎo)體”）通過官方微信宣布，其在2020年12月31日，已完成數(shù)億元人民幣的B輪融資。該輪融資由聞泰科技...

2021-01-05 標(biāo)簽：聞泰基本半導(dǎo)體 4.2k 0

國內(nèi)首條！基本半導(dǎo)體汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線正式通線

12月30日，基本半導(dǎo)體位于無錫市新吳區(qū)的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行，首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國內(nèi)第一條汽車級碳化硅功率模塊專...

2021-12-31 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率模塊 3.4k 0

青銅劍科技發(fā)布全碳化硅器件解決方案，助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展

青銅劍科技、基本半導(dǎo)體聯(lián)合發(fā)布了面向新能源汽車電機(jī)控制器的全碳化硅器件解決方案。

2019-09-27 標(biāo)簽：新能源汽車碳化硅青銅劍科技 2.9k 0

基本半導(dǎo)體推出汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6

汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6是基本半導(dǎo)體基于廣大汽車廠商對核心牽引驅(qū)動器功率器件的高性能、高效率等需求設(shè)計并推出的產(chǎn)品。

2022-09-13 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件碳化硅 2.6k 0

基本半導(dǎo)體與廣電計量達(dá)成戰(zhàn)略合作，加快推出車規(guī)級碳化硅器件

深圳基本半導(dǎo)體與廣州廣電計量檢測股份有限公司（簡稱廣電計量）在廣州舉行戰(zhàn)略合作簽約儀式，雙方宣布將圍繞第三代半導(dǎo)體功率器件開展上下游全產(chǎn)業(yè)鏈的深度合作，...

2019-05-14 標(biāo)簽：新能源汽車碳化硅基本半導(dǎo)體 2.4k 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體單通道隔離柵極驅(qū)動器BTD5350替代東芝TLP350用于工業(yè)空調(diào)

在工業(yè)空調(diào)變頻的過程中，通過電源濾波整流，把交流轉(zhuǎn)換為直流，通過PFC的功率因子提升給到驅(qū)動電路部分，而由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極IGB...

2022-09-14 標(biāo)簽：東芝柵極驅(qū)動器工業(yè)空調(diào) 2.3k 0

一輛搭載了基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二極管的新能源汽車，至今已累計無故障行駛120天、運行里程超過1萬公里！

2019-09-02 標(biāo)簽：新能源汽車肖特基二極管碳化硅 2.3k 0

基本半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊

型號	描述	參考價格
B1D08065E	直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):21A;正向壓降(Vf):1.45V@8A;	獲取價格
B1D04065F		獲取價格
B1D20120H	二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):1.2kV;平均整流電流(Io):70A;正向壓降(Vf):1.46V@20A;反向電流(Ir):6.75uA@1.2kV;	獲取價格
B1D10065KF	二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):24A;正向壓降(Vf):1.48V@10A;反向電流(Ir):70uA@650V;	獲取價格
B1D10065E	二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):29A;正向壓降(Vf):1.44V@10A;反向電流(Ir):70uA@650V;	獲取價格

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AIoT

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AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲于云端、邊緣端，再通過大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實現(xiàn)萬物數(shù)據(jù)化、萬物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問題。
逆變器電路圖

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慕尼黑上海電子展

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測試電路

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功放板

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ELMOS

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科創(chuàng)板

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擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購重組審核規(guī)則、上市委員會及科技創(chuàng)新咨詢委員會相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。
74LS00

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74LS00是一個內(nèi)部擁有四個獨立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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