摩爾定律

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摩爾定律是由英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來的。其內(nèi)容為：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。

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摩爾定律技術(shù)

摩爾定律下一個(gè)十年關(guān)鍵：3D堆疊的潛在優(yōu)勢

對(duì) 3D 堆疊 CMOS 進(jìn)行所有需要的連接是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。需要從設(shè)備堆棧下方進(jìn)行電源連接。在此設(shè)計(jì)中，NMOS 器件頂部和 PMOS 器件底部具有單獨(dú)的...

2022-09-05 標(biāo)簽：CMOS 摩爾定律晶體管 1075 0

圖形化方案對(duì)制造工藝的影響

在摩爾定律的驅(qū)動(dòng)下，存儲(chǔ)器和邏輯芯片半導(dǎo)體制造商通過提高晶體管密度來減少產(chǎn)品成本、提升性能。

2022-08-09 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管 3D結(jié)構(gòu)光 1067 0

全球封裝技術(shù)向先進(jìn)封裝邁進(jìn)的轉(zhuǎn)變

先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測制程中的交叉區(qū)域，涉及IDM、晶圓代工、封測廠商，市場格局較為集中，前6 大廠商份額合計(jì)超過80%。全球主要的 6 家廠商，包...

2023-08-11 標(biāo)簽：芯片摩爾定律封裝技術(shù) 1061 0

RF模塊嚴(yán)峻的測試面臨的挑戰(zhàn)如何解決

Heide博士解釋說，耗時(shí)的測試過程不適用于批量生產(chǎn)?！拔覀儾荒芙邮芤粋€(gè)花費(fèi)半分鐘或一分鐘的測試。我們需要在幾秒鐘內(nèi)完成測試?！?/p>

2020-03-29 標(biāo)簽：摩爾定律 RF 數(shù)字電路 1060 0

摩爾定律的終結(jié)真的要來了嗎

英特爾共同創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)在今年與世長辭，而他對(duì)半導(dǎo)體芯片晶體管密度持續(xù)增長的著名預(yù)測依舊聞名于世。詹姆斯·麥肯齊(Jame...

2023-10-19 標(biāo)簽：芯片英特爾半導(dǎo)體 1050 0

芯片制造挑戰(zhàn)：如何拯救摩爾定律

　在過去幾十年里一直聽到有關(guān)摩爾定律消亡的預(yù)測的行業(yè)中，這并不令人震驚。然而，令人驚訝的是，經(jīng)過市場驗(yàn)證的替代品數(shù)量令人眼花繚亂，而且還在不斷增長。

2022-08-04 標(biāo)簽：cpu 摩爾定律 SiP 1004 0

摩爾定律已過時(shí)？誰還能撐起芯片的天下？

熟悉半導(dǎo)體行業(yè)的人想必對(duì)摩爾定律很熟悉，摩爾定律自問世以來就是半導(dǎo)體行業(yè)的最高目標(biāo)，正是基于該目標(biāo)，電子設(shè)備變得更加快速、高效且便宜，然而隨著集成電路的...

2023-05-18 標(biāo)簽：集成電路摩爾定律半導(dǎo)體行業(yè) 973 0

3D-IC中三個(gè)不同層次的3D是什么

隨著晶體管尺寸的逐步縮小，其特征尺寸也在不斷縮小，當(dāng)特征尺寸到了22nm，平面晶體管由于其柵極對(duì)于溝道的控制能力較弱而出現(xiàn)短溝道效應(yīng)，逐漸被一種新型的晶...

2024-04-02 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管場效應(yīng)晶體管 969 0

UCIe為后摩爾時(shí)代帶來什么？

隨著摩爾定律的失效，芯片集成度的提高遇到了困難。英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）于上世紀(jì)60年代提出，芯片集成度每1...

2023-05-29 標(biāo)簽：芯片摩爾定律晶體管 947 0

計(jì)算機(jī)架構(gòu)設(shè)計(jì)的8關(guān)鍵點(diǎn)

計(jì)算機(jī)大多數(shù)時(shí)間都是運(yùn)作在常見情況下，符合2/8定律，所以首先我們針對(duì)常見情況進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn)，加速大概率事件，效果更快。

2022-10-14 標(biāo)簽：摩爾定律半導(dǎo)體行業(yè)計(jì)算機(jī)架構(gòu) 942 0

一文看懂地平線如何再造＂摩爾定律＂ ?

算法演進(jìn)與芯片迭代的脫節(jié)是擺在面前的挑戰(zhàn)，那么，如何為 AI 芯片賽道上的玩家設(shè)立清晰的目標(biāo)？如何拉通研究與市場，拉通工程與開發(fā)，并通過最優(yōu)代表性的任務(wù)...

2020-03-28 標(biāo)簽：摩爾定律 AI芯片地平線 933 0

摩爾定律下一個(gè)10年的關(guān)鍵之3D堆疊技術(shù)

隨著傳統(tǒng)平面晶體管的尺寸縮小，器件物理學(xué)家稱為短溝道效應(yīng)的器件占據(jù)了中心位置?？偟膩碚f，由于源極和漏極之間的距離變得非常小，電流會(huì)在不應(yīng)該泄漏的時(shí)候漏過...

2023-03-22 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管場效應(yīng)晶體管 911 0

淺談Chiplet技術(shù)落地的前景與挑戰(zhàn)

傳統(tǒng)SoC各功能模塊必須統(tǒng)一工藝制程，導(dǎo)致需要同步進(jìn)行迭代，而Chiplet則可以對(duì)芯片上部分單元在工藝上進(jìn)行最優(yōu)化的迭代，集成應(yīng)用較為廣泛和成熟的裸片...

2023-04-17 標(biāo)簽：摩爾定律 eda chiplet 899 0

3D視角的集成電路設(shè)計(jì)新思路

EDA工具需要具備多版圖網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化的能力，即能夠在一個(gè)空間內(nèi)，同時(shí)優(yōu)化多個(gè)版圖之間的網(wǎng)絡(luò)連接，多個(gè)版圖以虛擬堆疊的形式位于空間的不同Storey。

2023-11-01 標(biāo)簽：集成電路摩爾定律 IC設(shè)計(jì) 887 0

基于處理器KNL和FPGA的深度學(xué)習(xí)算法搭建

1965年摩爾定律提出后，我們開始依次進(jìn)入1965-2005年的單核CPU時(shí)代；2006至如今的多核CPU時(shí)代；2012至如今的多核英特爾MIC時(shí)代。

2022-12-20 標(biāo)簽：cpu 摩爾定律深度學(xué)習(xí) 801 0

集成電路發(fā)展突破口——集成系統(tǒng)

摩爾定律已面臨物理、技術(shù)與成本極限的多重挑戰(zhàn)，集成電路在沿著摩爾定律預(yù)測的尺寸縮小路徑艱難發(fā)展的同時(shí)，亟需開辟新的方向。

2023-06-20 標(biāo)簽：摩爾定律集成系統(tǒng)chiplet 779 0

天津大學(xué)與佐治亞理工學(xué)院共創(chuàng)石墨烯芯片新時(shí)代

根據(jù)摩爾定律，芯片中的晶體管數(shù)量大約每2年就會(huì)增加一倍。這一觀察結(jié)果最初由戈登·摩爾在 1965 年描述，但后來摩爾本人預(yù)測，這個(gè)比率最終會(huì)放慢速度，不...

2024-02-21 標(biāo)簽：芯片摩爾定律晶體管 760 0

封裝技術(shù)是如何發(fā)展的？封裝互連技術(shù)對(duì)晶體管的影響

摩爾定律到底是什么，封裝技術(shù)和摩爾定律到底有什么關(guān)系？1965年起初，戈登·摩爾表示集成電路上可容納的元器件數(shù)量約18個(gè)月便會(huì)增加一倍，后在1975年將...

2023-11-03 標(biāo)簽：集成電路摩爾定律封裝技術(shù) 753 0

晶圓代工廠如何突破物理極限提升光刻技術(shù)？

EUV微影技術(shù)的落實(shí)延續(xù)了摩爾定律的壽命，這里的EUV指的其實(shí)是一種紫外光源，跟過去光刻技術(shù)所采用的光源比起來，EUV的波長更短，因此有助于大幅提高分辨率。

2023-06-27 標(biāo)簽：摩爾定律晶圓代工光刻技術(shù) 746 0

晶圓鍵合是否可以超越摩爾定律？

晶圓鍵合是半導(dǎo)體行業(yè)的“嫁接”技術(shù)，通過化學(xué)和物理作用將兩塊已鏡面拋光的晶片緊密地結(jié)合起來，進(jìn)而提升器件性能和功能，降低系統(tǒng)功耗、尺寸與制造成本。

2023-06-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)摩爾定律晶圓 745 0

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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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過零檢測指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測。可作開關(guān)電路或者頻率檢測。漏電開關(guān)的漏電檢測是檢測零序電流。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購重組審核規(guī)則、上市委員會(huì)及科技創(chuàng)新咨詢委員會(huì)相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對(duì)發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。
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74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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