摩爾定律

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摩爾定律是由英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來的。其內(nèi)容為：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。

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摩爾定律技術(shù)

優(yōu)化引擎和控制器，加速AI火箭

UAI-Inference還和英特爾合作，使用了性能更佳的AI框架——面向英特爾架構(gòu)優(yōu)化的Caffe框架，從而更好地支持英特爾至強(qiáng)處理器產(chǎn)品家族和至強(qiáng)融...

2018-08-31 標(biāo)簽：控制器摩爾定律人工智能 4.4k 0

Intel用3D堆疊技術(shù)為摩爾定律續(xù)命

過去的一年，我們?cè)谔幚砥魇袌?chǎng)看到了AMD的崛起和Intel的頹勢(shì)。Intel的7nm工藝遲遲沒有進(jìn)展，而AMD卻搶先發(fā)布了第一款基于7nm的處理器。到了...

2018-12-21 標(biāo)簽：摩爾定律 Intel 4.3k 0

TSV核心技術(shù)：深硅刻蝕和電鍍

肖特基的硅片上制作孔專利此后， IBM開始在集成電路領(lǐng)域發(fā)力，并在垂直電互連方面取得了突破。

2023-04-06 標(biāo)簽：集成電路 IBM 摩爾定律 4.2k 0

半導(dǎo)體封裝技術(shù)演進(jìn)路線圖

TSV 指 Through Silicon Via，硅通孔技術(shù)，是通過硅通道垂直穿過組成堆棧的不同芯片或不同層實(shí)現(xiàn)不同功能芯片集成的先進(jìn)封裝技術(shù)。TSV...

2023-11-19 標(biāo)簽：芯片摩爾定律晶圓 4.2k 0

總結(jié)深度學(xué)習(xí)，GPU推理性能提升的三大因素

2017年，英偉達(dá)推出了適用于深度學(xué)習(xí)的Volta架構(gòu)，它的設(shè)計(jì)重點(diǎn)之一是可以更好地分?jǐn)傊噶铋_銷。Volta架構(gòu)中引入了Tensor Core，用于深度...

2022-09-21 標(biāo)簽：摩爾定律 gpu 深度學(xué)習(xí) 4.2k 0

盤點(diǎn)DARPA對(duì)摩爾定律長(zhǎng)日將盡時(shí)分的未雨綢繆

DARPA今年會(huì)議聚焦于集成線路設(shè)計(jì)，為美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在摩爾定律走向極限后做未雨綢繆。

2018-07-30 標(biāo)簽：摩爾定律 DARPA 4.2k 0

中國(guó)芯片企業(yè)芯片完全解析

AI 算力、低功耗等對(duì)服務(wù)器算力芯片提出新的要求，英偉達(dá) GH200 有望加速全球 AI 服務(wù)器算力芯片市場(chǎng)變革，中國(guó)芯片企業(yè)在面臨挑戰(zhàn)的同時(shí)，也有望迎...

2024-01-22 標(biāo)簽：處理器 cpu 摩爾定律 4.2k 0

深度探討人工智能時(shí)代的趨勢(shì)與機(jī)遇

數(shù)據(jù)年復(fù)合增長(zhǎng)50%，它是一個(gè)復(fù)利增長(zhǎng)；而根據(jù)摩爾定律，運(yùn)算能力也是每1.5年-2年翻番，數(shù)據(jù)和運(yùn)算能力成咬合級(jí)、指數(shù)級(jí)提升，正好到了一個(gè)突破和臨界點(diǎn)，...

2019-03-10 標(biāo)簽：摩爾定律人工智能 ai技術(shù) 4.1k 0

服從摩爾定律的超級(jí)計(jì)算機(jī)計(jì)算能力分析

第一臺(tái)通用電子計(jì)算機(jī)ENIAC在1946年投入使用(圖1)，它使用了大約2萬根真空三極管，占用了一間大房子(167 m2)，耗電150 kW，計(jì)算能力僅...

2022-07-07 標(biāo)簽：三極管摩爾定律超級(jí)計(jì)算機(jī) 4.1k 0

一片硅晶圓對(duì)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的影響分析

作為百億美元級(jí)別的行業(yè)，半導(dǎo)體材料的市場(chǎng)規(guī)模不算很大，但其內(nèi)部材料種類繁多，單一產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模小、技術(shù)要求高、子行業(yè)之間差異較大。其中硅片占比半導(dǎo)體材料市...

2021-03-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體摩爾定律硅晶圓 4k 0

電子基礎(chǔ)知識(shí)：摩爾定律相關(guān)知識(shí)詳解

摩爾定律是由英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登?摩爾（GordonMoore）提出來的。其內(nèi)容為：集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一...

2012-03-29 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管電子基礎(chǔ) 4k 0

關(guān)于蘋果芯片的發(fā)展路徑分析和介紹

此外，ISP作為AR相關(guān)的重要模塊，可能會(huì)有新的模塊和功能加入。例如為了實(shí)現(xiàn)AR中需要的定位、位置關(guān)系建模等，往往需要計(jì)算光流（optical flow...

2019-08-30 標(biāo)簽：芯片摩爾定律加速度傳感器 4k 0

詳解 SiP 技術(shù)體系中的三駕創(chuàng)新馬車

目前從技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)來看，雙面塑模成型技術(shù)、電磁干擾屏蔽技術(shù)、激光輔助鍵合技術(shù)可以并稱為拉動(dòng)系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)發(fā)展的“三駕創(chuàng)新馬車”。

2021-01-27 標(biāo)簽：摩爾定律 SiP 電磁干擾 4k 0

摩爾定律難以維持，芯片進(jìn)入異構(gòu)驅(qū)動(dòng)的世界

摩爾定律處于失效的狀態(tài)，計(jì)算機(jī)領(lǐng)域正經(jīng)歷著重要的變革，這導(dǎo)致人們對(duì)異構(gòu)計(jì)算的需求與日俱增，從而在不用改變?nèi)魏蔚讓蛹軜?gòu)的情況下能夠適應(yīng)手頭的工作量。

2018-09-10 標(biāo)簽：芯片摩爾定律 4k 0

工藝制程是什么意思 7nm5nm是什么意思

如果工藝制程繼續(xù)按照摩爾定律所說的以指數(shù)級(jí)的速度縮小特征尺寸，會(huì)遇到兩個(gè)阻礙，首先是經(jīng)濟(jì)學(xué)的阻礙，其次是物理學(xué)的阻礙。經(jīng)濟(jì)學(xué)的阻礙是，隨著特征尺寸縮小...

2023-07-31 標(biāo)簽：芯片集成電路摩爾定律 4k 0

ERI打破摩爾定律定向思維將光子學(xué)融入芯片

為了應(yīng)對(duì)未來微電子技術(shù)即將面臨的挑戰(zhàn)，美國(guó)國(guó)防部提出了電子復(fù)興計(jì)劃，通過資助新興技術(shù)，來尋求摩爾定律盡頭的出路，而目前已進(jìn)入第二階段。

2018-11-30 標(biāo)簽：芯片摩爾定律 3.8k 0

先進(jìn)封裝/Chiplet如何提升晶圓制造工藝的良率

芯片升級(jí)的兩個(gè)永恒主題：性能、體積/面積。芯片技術(shù)的發(fā)展，推動(dòng)著芯片朝著高性能和輕薄化兩個(gè)方向提升。而先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝的進(jìn)步，均能夠使得芯片向著高性能...

2023-02-14 標(biāo)簽：摩爾定律晶圓封裝 3.8k 0

傳統(tǒng)封裝技術(shù)與先進(jìn)封裝技術(shù)的優(yōu)劣勢(shì)

D chiplet設(shè)計(jì)中，多層結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致下層芯片散熱題。常見的解決方案是使用散熱蓋來增強(qiáng)芯片的散熱效果，或采用風(fēng)冷或水冷等主動(dòng)散熱。

2023-04-23 標(biāo)簽：摩爾定律算力 chiplet 3.8k 0

一文解讀"集成電路三大發(fā)展方向"

在單位面積內(nèi)集成更多的晶體管就需要將晶體管做的更小，幾十年來，在摩爾定律的推動(dòng)下，晶體管的特征尺寸從毫米級(jí)到微米級(jí)再到納米級(jí)，尺寸縮小了百萬倍。今天，在...

2022-03-24 標(biāo)簽：集成電路摩爾定律晶體管 3.7k 0

集成電路制造的起源和發(fā)展

摩爾定律的提出也推動(dòng)了集成電路制造的快速發(fā)展。這一定律指出，集成電路中的晶體管數(shù)量每隔一段時(shí)間便會(huì)翻倍，促進(jìn)了芯片尺寸的不斷縮小和性能的不斷提升。

2024-01-10 標(biāo)簽：集成電路摩爾定律物聯(lián)網(wǎng) 3.6k 0

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