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標(biāo)簽 > 摩爾定律
摩爾定律是由英特爾(Intel)創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出來的。其內(nèi)容為:當(dāng)價(jià)格不變時(shí),集成電路上可容納的元器件的數(shù)目,約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍,性能也將提升一倍。
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摩爾定律是由英特爾(Intel)創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(GordonMoore)提出來的。
2018-03-09 標(biāo)簽:摩爾定律 3.2萬 0
Chiplet可以使用更可靠和更便宜的技術(shù)制造。較小的硅片本身也不太容易產(chǎn)生制造缺陷。此外,Chiplet芯片也不需要采用同樣的工藝,不同工藝制造的Ch...
先進(jìn)封裝之TSV、TGV技術(shù)制作工藝和原理
摩爾定律指引集成電路不斷發(fā)展。摩爾定律指出:“集成電路芯片上所集成的電路的數(shù)目,每隔18-24個(gè)月就翻一倍;微處理器的性能提高一倍,或價(jià)格下降一半。
從集成度而言,一般情況下, SOC 只集成 AP 之類的邏輯系統(tǒng),而 SIP 集成了AP+mobileDDR,某種程度上說 SIP=SOC+DDR,隨著...
CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)介紹 CoWoS-R技術(shù)主要特點(diǎn)分析
CoWoS-R 技術(shù)的主要特點(diǎn)包括: 1)RDL interposer 由多達(dá) 6L 銅層組成,用于最小間距為 4um 間距(2um 線寬/間距)的布線...
第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
集成電路的設(shè)計(jì)十分復(fù)雜,動(dòng)輒使用數(shù)百萬到數(shù)十億個(gè)邏輯門數(shù)量(gate count),每一個(gè)邏輯門和其他器件的電性參數(shù)必須同時(shí)達(dá)到標(biāo)準(zhǔn),否則芯片可能無法正...
集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的三個(gè)方向
根據(jù)定義,所謂More Moore是想辦法沿著摩爾定律的道路繼續(xù)前進(jìn);More than Moore做的是發(fā)展在之前摩爾定律演進(jìn)過程中所謂開發(fā)的部分;B...
可穿戴技術(shù)的特點(diǎn)和發(fā)展趨勢(shì)詳解
可穿戴技術(shù)(wearable technology),最早是20世紀(jì)60年代由麻省理工學(xué)院媒體實(shí)驗(yàn)室提出的創(chuàng)新技術(shù)。
2019-02-18 標(biāo)簽:摩爾定律可穿戴技術(shù) 1.5萬 0
50年前,英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出了摩爾定律:集成電路上可容納的電晶體(晶體管)數(shù)目,約每隔24個(gè)月便會(huì)增加一倍。最近幾十年,這個(gè)定律堪稱科技界的...
2018-03-09 標(biāo)簽:摩爾定律 1.4萬 0
來個(gè)簡(jiǎn)單小測(cè)試,讓你真正了解晶體管
半導(dǎo)體行業(yè)大致按照摩爾定律發(fā)展了半個(gè)多世紀(jì),對(duì)二十世紀(jì)后半葉的世界經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)做出了貢獻(xiàn),并驅(qū)動(dòng)了一系列科技創(chuàng)新、生產(chǎn)效率的提高和經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)。
摩爾定律或許會(huì)失效,但人類的欲望是沒有窮盡的。廠家總得想著法地取悅消費(fèi)者,打出新噱頭,玩出新花樣?;蛟S,這也是人類進(jìn)步的動(dòng)力吧。
2018-03-09 標(biāo)簽:摩爾定律 1.2萬 0
這個(gè)標(biāo)題讀起來有點(diǎn)繞,但是確實(shí)反映出一個(gè)事實(shí):今天除了人類自己的眼睛,還有越來越多的“機(jī)器之眼”在幫助我們觀察、記錄和分析著周遭的這個(gè)世界,讓我們實(shí)際的...
DARPA六項(xiàng)新計(jì)劃致力解決半導(dǎo)體路線圖面臨的問題
DARPA日前發(fā)布了三個(gè)跨部門公告(broad agency announcement,BAA),其中描述了
讓我們?cè)賮砜磮D2。如果從2018年的情況開始看,那么整個(gè)20世紀(jì)中每十年一次的性價(jià)比翻倍,在曲線上看就是平的,顯得幾乎無足輕重。一個(gè)人看了圖2,可能會(huì)對(duì)...
關(guān)于摩爾定律在今天的有效性,有很多健康的爭(zhēng)論。但不可否認(rèn)的是,長(zhǎng)期以來指導(dǎo)半導(dǎo)體行業(yè)的芯片性能每?jī)赡攴环目深A(yù)測(cè)性正在放緩。最終,在物理上根本不可能開...
在昨日的財(cái)報(bào)說明會(huì)上,中芯國(guó)際聯(lián)席首席執(zhí)行官,趙海軍博士和梁孟松博士說:“中芯國(guó)際在14納米FinFET技術(shù)開發(fā)上獲得重大進(jìn)展。第一代FinFET技術(shù)研...
2019-08-30 標(biāo)簽:芯片摩爾定律數(shù)據(jù) 7.7k 0
2.5D異構(gòu)和3D晶圓級(jí)堆疊正在重塑封裝產(chǎn)業(yè)
對(duì)于目前的高端市場(chǎng),市場(chǎng)上最流行的2.5D和3D集成技術(shù)為3D堆疊存儲(chǔ)TSV,以及異構(gòu)堆疊TSV中介層。Chip-on-Wafer-on-Substra...
半導(dǎo)體制造業(yè)的特點(diǎn)與機(jī)會(huì)
另一個(gè)重要的趨勢(shì)是制造尺寸更大的晶圓。由于與200mm晶圓相比,尺寸更大的晶圓存在著潛在的制造成本優(yōu)勢(shì),因此芯片制造商們正在向更大的300mm晶圓制造衍...
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