完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>
標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
文章：1544個(gè) 瀏覽：117373次 帖子：76個(gè)
本文研究了四個(gè)經(jīng)常被忽略的因素對(duì)基于GaN的全橋逆變器損耗模型的影響：器件的[寄生電容]()、時(shí)變功耗（Ploss）下的結(jié)溫度（*T*~j~）動(dòng)力學(xué)、殼...
2023-12-06 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器濾波器氮化鎵 1678 0
使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會(huì)的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項(xiàng)新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問題。
如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來(lái)電子產(chǎn)品在高...
利用氮化鎵芯片組實(shí)現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源
在傳統(tǒng)的有源鉗位設(shè)計(jì)中，初級(jí)MOSFET和有源鉗位開關(guān)以互補(bǔ)方式進(jìn)行工作（因此這些鉗位電路被稱為“互補(bǔ)模式有源鉗位”電路）。
氮化鎵在射頻領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)盤點(diǎn)
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...
氮化鎵和碳化硅正在爭(zhēng)奪主導(dǎo)地位，它們將減少數(shù)十億噸溫室氣體排放。
GaN 技術(shù)持續(xù)為國(guó)防和電信市場(chǎng)提供性能和效率。目前射頻市場(chǎng)應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化...
在新能源汽車方面主要應(yīng)用在DC/AC逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器；3）在工業(yè)領(lǐng)域方面主要應(yīng)用在電力配送、鐵路運(yùn)輸、光伏產(chǎn)業(yè)、電機(jī)控制以及風(fēng)電渦輪機(jī)。
2022-10-19 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)氮化鎵光伏逆變器 1616 0
氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) 氮化鎵晶體管的應(yīng)用
了解氮化鎵 -寬帶隙半導(dǎo)體：為什么？ -氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) -如何獲得高片電荷和高遷移率？
氮化鎵開關(guān)管是一種新型的半導(dǎo)體器件，適用于高頻高壓控制信號(hào)的開關(guān)應(yīng)用。它由四個(gè)電極組成，包括柵極（G，Gate）、源極（S，Source）、漏極（D，D...
充電頭網(wǎng)拿到了優(yōu)勝仕推出的一款35W氮化鎵磁吸收納線快充，這款充電器與傳統(tǒng)充電器不同的一點(diǎn)是配備了磁吸伸縮USB-C線模塊，既可以安裝磁吸USB-C線模...
GaN-on-Si LED技術(shù)是行業(yè)夢(mèng)寐以求的技術(shù)。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學(xué)性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET，因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導(dǎo)致的...
一種強(qiáng)有力的各向異性濕法化學(xué)刻蝕技術(shù)
我們展示了在c平面藍(lán)寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長(zhǎng)的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻，蝕刻速率高達(dá)3.2mm/min。晶體...
GaN-on-Si功率技術(shù):器件和應(yīng)用
在過(guò)去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WB...
2022-07-29 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 1577 0
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來(lái)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及...
鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有...
氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個(gè)原因造成的。 首先，氮化鎵是一種寬能帶隙半導(dǎo)體材料，具有較高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較...
氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，由氮?dú)夂徒饘冁壏磻?yīng)得到。它具有優(yōu)異的光電特性和熱穩(wěn)定性，因此在電子器件、光電器件、化學(xué)傳感器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。本文將從氮化鎵...
2024-01-10 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料氮化鎵 1505 0
誰(shuí)發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導(dǎo)體材料？這種材料的特性是什么？
氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
關(guān)注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
電子發(fā)燒友觀察
版權(quán)所有 ? 湖南華秋數(shù)字科技有限公司
長(zhǎng)沙市望城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)航空路6號(hào)手機(jī)智能終端產(chǎn)業(yè)園2號(hào)廠房3層（0731-88081133）
電子發(fā)燒友 （電路圖） 湘公網(wǎng)安備43011202000918
工商網(wǎng)監(jiān)
湘ICP備2023018690號(hào)-1
