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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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誰發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導(dǎo)體材料？這種材料的特性是什么？
氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...
我們展示了在c平面藍寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻，蝕刻速率高達3.2mm/min。晶體...
氮化鎵不是充電器類型，而是一種化合物。 氮化鎵（GaN）是一種重要的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)特性。近年來，氮化鎵材料在充電器領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用...
2024-01-10 標簽：充電器電子器件半導(dǎo)體材料 1577 0
拓爾微電子自有品牌65W 2C1A氮化鎵快充，內(nèi)置協(xié)議芯片和降壓轉(zhuǎn)換器均為自家解決方案——IM2403、IM2406、TMI2286D，支持多種快速充電...
氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3...
氮化鎵（GaN）被認為是自硅以來影響最大的半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品，該材料能夠在比傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料高得多的電壓下工作。更高的電壓意味著更高的效率，因此基于GaN的R...
MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用
摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷，這會降低氮化鎵高...
耦合器技術(shù)有利于AC/DC設(shè)計中的氮化鎵晶體管
高效的 AC/DC 電源是電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展的關(guān)鍵，因為超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站的功耗會迅速增長。然而，電力電子行業(yè)已經(jīng)達到了硅...
氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表材料。研發(fā)之初是用于制造出顏色從紅色到紫外線的發(fā)光二極管，1990年起開始被廣泛應(yīng)用于發(fā)光二極管上，目前被廣泛應(yīng)用于功率器件、...
2KW 48V雙向ACDC儲能模塊采用All GaN解決方案，包括前端AC-DC無橋圖騰柱PFC和后端DC-DC隔離全橋LLC轉(zhuǎn)換器，可實現(xiàn)單雙向工作。...
2024-10-12 標簽：氮化鎵英諾賽科第三代半導(dǎo)體 1455 0
在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無線電的領(lǐng)先大功率射頻功率放大器技術(shù)。然而，目前的實現(xiàn)方式成本過高。與硅基技術(shù)相比，氮化鎵生...
氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導(dǎo)體材料，在目前的電子設(shè)備中逐漸得到應(yīng)用。它以其優(yōu)異的性能和特點備受研究人員的關(guān)注和追捧。在現(xiàn)代科技的進步中，氮化...
2024-01-10 標簽：芯片電子設(shè)備半導(dǎo)體材料 1446 0
GaN與SiC功率器件的特點 GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...
訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成，PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片，背面粘貼導(dǎo)熱墊加強散熱。充電器內(nèi)置恩智浦TEA2016高集成電源芯片，內(nèi)...
車規(guī)級氮化鎵（GaN）技術(shù)有何優(yōu)勢？
作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，基于GaN的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)在消費電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，這對提高電能的高效利用及實現(xiàn)節(jié)能減排起著關(guān)鍵作用。
2023-06-29 標簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 1434 0
氮化鎵快充電源ic U8722DE優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率
氮化鎵快充電源ic U8722DE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路
如何最大限度地擴大基于氮化鎵 (GaN) 功率放大器的雷達系統(tǒng)的探測距離
雷達已成為軍事監(jiān)視、空中交通管制、太空任務(wù)和汽車安全等無數(shù)應(yīng)用領(lǐng)域不可或缺的設(shè)備。對于設(shè)計人員來說，最具挑戰(zhàn)性的情況是遠程雷達，因為在這種情況下，返回信...
業(yè)界正在考慮使用新的半導(dǎo)體工藝?；诘墸℅aN）的芯片用于功率控制器和發(fā)射器與接收器之間的無線電鏈路。
氮化鎵是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以為電信電源等應(yīng)用提供高效設(shè)計；電動汽車充電；加熱，通風(fēng)和空調(diào); 電器；和消費電源適配器。在工業(yè)應(yīng)用中，氮化鎵取...
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