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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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針對氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝，可使產能提升近40%！
切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...
數(shù)字電源是一種將數(shù)字控制技術應用于電源管理應用的能量轉換系統(tǒng)，具有更高的功率密度，更快的控制回路，能管理復雜拓撲以及設計靈活性等諸多優(yōu)勢。 關鍵特性與優(yōu)...
氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結構材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學和機械性質，因此受到了廣泛關注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的...
簡單來說，化成分容就是為了激活電池。通常離子電池經(jīng)過繁雜的工序，只是生成半成品電芯，還未完成激活就無法正常使用，因此需要化成分容設備激活內部的活性物質，...
針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...
廈門大學張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果
近日，廈門大學電子科學與技術學院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發(fā)射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新進展，相關成果以“Green Vertical-C...
伴隨著5G通信時代的到來，數(shù)據(jù)的無線傳輸速率逐漸提高，同時也對射頻通信器件的功率和頻率范圍等提出了新的需求。微波限幅器已廣泛用于各種無線通信系統(tǒng)的射頻前...
可以改變焦距的鏡頭用于各種光學設備，例如可變放大倍率相機的變焦鏡頭、雙筒望遠鏡、光學顯微鏡和投影儀。 最近，智能手機相機等小型光學單元也配備了可變放大倍...
由于同質外延結構帶來的晶格匹配和熱匹配，自支撐氮化鎵襯底在提升氮化鎵基器件性能方面有著巨大潛力，如發(fā)光二極管，激光二極管，功率器件和射頻器件等。相比異質...
激光雷達（LiDAR）基于通過將光束照射到物體上并準確測量反射的飛行時間來估算距離的原理。通過將發(fā)射光掃過真實世界的場景，可以收集三維信息以供計算機系統(tǒng)...
擴展到900V的氮化鎵產品滿足汽車、家電及工業(yè)類應用需求
日前，Power Integrations（PI）舉辦新品媒體線上溝通會，公司資深技術培訓經(jīng)理Jason Yan介紹了在美國APEC展（國際電力電子應用...
納微 NV6169 # 45mΩ低導阻、800V耐壓、GaNSense智能保護技術
這是一款采用 GaNSense技術的650/800 V 大功率GaNFast芯片，可滿足高功率應用，例如 400-1000 W 4K/8K 電視和顯示器...
到2030年，10類關鍵核心產品可靠性水平達到國際先進水平，可靠性標準引領作用充分彰顯，培育一批可靠性公共服務機構和可靠性專業(yè)人才，我國制造業(yè)可靠性整體...
基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關是PI恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術...
GaN和SiC屬于高帶隙的第三代半導體材料，與第一代Si和第二代GaAs等前輩相比，它們在特性上具有突出優(yōu)勢。由于大的帶隙和高的熱導率，GaN器件可以...
2023-02-13 標簽：氮化鎵 1140 0
45W氮化鎵快充全套方案！采用智融SW1123+SW1608+SW2303
因為使用了合封氮化鎵芯片，所以電路設計很簡潔，降低設計和加工成本，整套方案性價比不錯，且各輸入輸出電壓和各個負載段都擁有極佳的效率，峰值效率高達93.6...
法國和瑞士科學家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向為100）基座上，成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）。
自打百瓦快充大戰(zhàn)興起，充電器的功率密度不斷提升，氮化鎵和碳化硅第三代半導體的加入，使得PD快充可以做更小體積，縱使是百瓦也能做成一個非常小的尺寸。 ...
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