氮化鎵快充電源ic U8722DE優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率

氮化鎵快充電源ic U8722DE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路

2024-05-08 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵電源IC 2.1k 0

硬核拆解 | 拓爾微65W 2C1A氮化鎵多口快充

拓爾微電子自有品牌65W 2C1A氮化鎵快充，內(nèi)置協(xié)議芯片和降壓轉(zhuǎn)換器均為自家解決方案——IM2403、IM2406、TMI2286D，支持多種快速充電...

2023-06-25 標(biāo)簽：芯片充電氮化鎵 2.1k 0

MPS多口充電器快充方案解析

入手一款適合自己的多口快充充電器，可以極大地提高生活和工作效率。最近幾年，充電器行業(yè)發(fā)展特別迅猛，市場(chǎng)上不斷涌現(xiàn)大功率充電器產(chǎn)品，比如氮化鎵65W充電頭...

2024-11-27 標(biāo)簽：充電器控制器氮化鎵 2k 0

用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能

氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET，因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導(dǎo)致的...

2023-04-14 標(biāo)簽：MOSFET晶體管氮化鎵 2k 0

高效率數(shù)字反激式氮化鎵快充原理與應(yīng)用

氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表材料。研發(fā)之初是用于制造出顏色從紅色到紫外線的發(fā)光二極管，1990年起開(kāi)始被廣泛應(yīng)用于發(fā)光二極管上，目前被廣泛應(yīng)用于功率器件、...

2023-12-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體usb氮化鎵 2k 0

利用氮化鎵芯片組實(shí)現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源

在傳統(tǒng)的有源鉗位設(shè)計(jì)中，初級(jí)MOSFET和有源鉗位開(kāi)關(guān)以互補(bǔ)方式進(jìn)行工作（因此這些鉗位電路被稱為“互補(bǔ)模式有源鉗位”電路）。

2021-10-27 標(biāo)簽：變壓器MOSFET氮化鎵 2k 0

Analog Devices Inc. ADPA1107 GaN寬帶功率放大器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Analog Devices Inc. ADPA1107氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器在4.8GHz至6.0GHz帶寬內(nèi)提供45.0dBm (35W...

2025-06-30 標(biāo)簽：氮化鎵Analog寬帶功率放大器 2k 0

納微 NV6169 # 45mΩ低導(dǎo)阻、800V耐壓、GaNSense智能保護(hù)技術(shù)

這是一款采用 GaNSense技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast芯片，可滿足高功率應(yīng)用，例如 400-1000 W 4K/8K 電視和顯示器...

2025-03-12 標(biāo)簽：氮化鎵GaN功率芯片 2k 0

芯導(dǎo)科技GaN器件的發(fā)展與演進(jìn)

在文章"提升開(kāi)關(guān)頻率（一） 芯導(dǎo)科技MOSFET工藝結(jié)構(gòu)的發(fā)展與演進(jìn)"中，我們介紹了芯導(dǎo)科技MOSFET產(chǎn)品針對(duì)高頻需求的工藝發(fā)展路線。

2026-01-14 標(biāo)簽：氮化鎵GaN芯導(dǎo)科技 2k 0

ROHM借助更合適的同步整流技術(shù)滿足市場(chǎng)需求

如果控制器的輸出和柵極之間存在不連續(xù)的情況，那么MOSFET將無(wú)法打開(kāi)，且電流會(huì)流過(guò)體二極管，從而導(dǎo)致MOSFET過(guò)熱。

2021-05-18 標(biāo)簽：MOSFET氮化鎵同步整流 2k 0

一種強(qiáng)有力的各向異性濕法化學(xué)刻蝕技術(shù)

我們展示了在c平面藍(lán)寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長(zhǎng)的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻，蝕刻速率高達(dá)3.2mm/min。晶體...

2022-04-14 標(biāo)簽：工藝氮化鎵蝕刻 1.9k 0

車規(guī)級(jí)氮化鎵（GaN）技術(shù)有何優(yōu)勢(shì)？

作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，基于GaN的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，這對(duì)提高電能的高效利用及實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排起著關(guān)鍵作用。

2023-06-29 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 1.9k 0

貼片Y電容有哪些規(guī)格可供選擇？

我們以前使用的Y電容主要是插件形式的，這幾年技術(shù)進(jìn)步很快，已經(jīng)有性能很不錯(cuò)的貼片式Y(jié)電容出現(xiàn)，比如科雅JK-ET系列的塑封貼片式Y(jié)安規(guī)電容器，已經(jīng)被大量...

2023-08-23 標(biāo)簽：電容器封裝氮化鎵 1.9k 0

PD 40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W

PD40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W芯片替代方案在選型時(shí)，需要選擇比原芯片參數(shù)更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pintopin，...

2025-06-26 標(biāo)簽：電源氮化鎵快充 1.9k 0

用GaN重新考慮功率密度

電力電子世界在1959年取得突破，當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。...

2017-06-08 標(biāo)簽：mosfetpfc氮化鎵 1.9k 0