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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合,為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...
Transphorm 900V氮化鎵功率器件規(guī)格參數(shù)
兩款900V FET均屬于常閉型器件,通過(guò)更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復(fù)電荷,提供更高的效率,明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件,具有顯著優(yōu)勢(shì)。
廈門(mén)大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果
近日,廈門(mén)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發(fā)射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新進(jìn)展,相關(guān)成果以“Green Vertical-C...
使用GaN實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效系統(tǒng)
氮化鎵是電力電子行業(yè)的熱門(mén)話題,因?yàn)樗梢詾殡娦烹娫吹葢?yīng)用提供高效設(shè)計(jì);電動(dòng)汽車(chē)充電;加熱,通風(fēng)和空調(diào); 電器;和消費(fèi)電源適配器。在工業(yè)應(yīng)用中,氮化鎵取...
2022-07-29 標(biāo)簽:氮化鎵GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 1.5k 0
在進(jìn)行碳化硅、氮化鎵功率器件研發(fā)和特性評(píng)估、功率模塊開(kāi)發(fā)和特性評(píng)估、電源設(shè)計(jì)器件選型、電源調(diào)試以及學(xué)術(shù)研究時(shí),都需要對(duì)其驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測(cè)試,這時(shí)大多數(shù)工程...
干貨分享|高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管:高性能、高效率、高可靠性(下)
提高效率既是行業(yè)的關(guān)鍵性挑戰(zhàn),也是創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)力。社會(huì)需求的壓力和相關(guān)法規(guī)都在要求提高電源轉(zhuǎn)換和控制的效率。對(duì)于一些應(yīng)用來(lái)說(shuō),電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是贏得市...
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),化成分容就是為了激活電池。通常離子電池經(jīng)過(guò)繁雜的工序,只是生成半成品電芯,還未完成激活就無(wú)法正常使用,因此需要化成分容設(shè)備激活內(nèi)部的活性物質(zhì),...
數(shù)字電源是一種將數(shù)字控制技術(shù)應(yīng)用于電源管理應(yīng)用的能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng),具有更高的功率密度,更快的控制回路,能管理復(fù)雜拓?fù)湟约霸O(shè)計(jì)靈活性等諸多優(yōu)勢(shì)。 關(guān)鍵特性與優(yōu)...
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù),創(chuàng)造了專(zhuān)有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器,邏輯和保護(hù)...
通過(guò)自由空間設(shè)計(jì)加速無(wú)線充電應(yīng)用
業(yè)界正在考慮使用新的半導(dǎo)體工藝?;诘墸℅aN)的芯片用于功率控制器和發(fā)射器與接收器之間的無(wú)線電鏈路。
一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)—U8722
氮化鎵充電器是一種新型的快充技術(shù),在充電速度、安全性做到了突破。
2024-04-09 標(biāo)簽:充電器氮化鎵驅(qū)動(dòng)電流 1.5k 0
RF LDMOS之于早期蜂窩網(wǎng)絡(luò),氮化鎵(GaN)之于現(xiàn)代和高頻應(yīng)用。與砷化鎵(GaAs)和Si LDMOS相比,GaN長(zhǎng)期以來(lái)一直具有難以超越的優(yōu)勢(shì):
激光雷達(dá)的全稱(chēng)是光檢測(cè)和測(cè)距,即通過(guò)光波段中的電磁輻射所進(jìn)行的(遠(yuǎn)程)檢測(cè)和測(cè)量。這種裝置采用了經(jīng)典、簡(jiǎn)單的雷達(dá)原理,不同的是它使用的是由激光脈沖所組成...
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能,GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...
氮化鎵(GaN)技術(shù)如今在電力電子行業(yè)風(fēng)靡一時(shí),這種寬禁帶半導(dǎo)體能夠?qū)崿F(xiàn)非常高的效率和功率密度,因此能夠減小電源的體積,并且降低其工作溫度,該性能優(yōu)勢(shì)正...
氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新概況 氮化鎵襯底技術(shù)是什么
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料,禁帶寬度大于2.3eV,也稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,是研制微電...
2023-09-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 1.4k 0
對(duì)于那些堅(jiān)持使用經(jīng)典放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的人來(lái)說(shuō),他們的要求將集中在準(zhǔn)確的音頻再現(xiàn)上,而很少考慮解決方案的整體電氣效率。雖然這在家庭音頻環(huán)境中是完全合理的,但...
針對(duì)氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝,可使產(chǎn)能提升近40%!
切割出片數(shù)量方面,以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例,在切割指定厚度為400微米的襯底時(shí),KABRA工藝可切11片,相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。
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