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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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“TPY-X”雷達的分布式數(shù)字架構(gòu)設(shè)計方案
當受到戰(zhàn)術(shù)機動性和極端操作環(huán)境的限制時，有效平衡性能、基本功率、重量、散熱和成本的解決方案。這款可旋轉(zhuǎn)有源電子掃描陣列(AESA)融合了氮化鎵(GaN)...
三菱電機開發(fā)出首款可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器
News Releases 三菱電機采用單個GaN功率放大器實現(xiàn)4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統(tǒng)寬帶運行 將有助于實現(xiàn)無線電單元共享和基站節(jié)...
過去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤，這引發(fā)大家對垂直氮化鎵未來的擔憂。為此，在本文中，...
入手一款適合自己的多口快充充電器，可以極大地提高生活和工作效率。最近幾年，充電器行業(yè)發(fā)展特別迅猛，市場上不斷涌現(xiàn)大功率充電器產(chǎn)品，比如氮化鎵65W充電頭...
目前，許多企業(yè)在SiC MOSFET的批量化制造生產(chǎn)方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問題。
X射線衍射法是根據(jù)X射線衍射原理來精確測定物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)和應力的檢測方法，測試方法簡單、方便、測試結(jié)果準確，可以準確判斷材料結(jié)晶質(zhì)量好壞，因此是一種非常...
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前，您可能仍然會好奇GaN 是否具...
干貨分享|高功率氮化鎵場效應晶體管：高性能、高效率、高可靠性（上）
Nexperia(安世半導體)的高功率氮化鎵場效應晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperi...
歐司朗新制造技術(shù)有望大幅降低LED生產(chǎn)成本
據(jù)物理學家組織網(wǎng)近日報道，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管（LED）的生產(chǎn)成本，進一步推動其普及進程。
在現(xiàn)代汽車中，增加的重量和更寬的前輪胎使無輔助轉(zhuǎn)向變得不切實際，因為對操作員的阻力增加。因此，幾年前，采用了電動助力轉(zhuǎn)向。一開始，對駕駛員的輔助是通過液...
氮化鎵晶體管顯然對高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴重的威脅。氮化鎵上硅（GaN on Si）晶體管預計的低成本，甚至還有可能使IGBT器件取代它...
氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應用: 優(yōu)勢、實際應用案例、設(shè)計考量
介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應用，對比傳統(tǒng)硅基解決方案，闡述了其優(yōu)勢、實際應用案例、設(shè)計考量及結(jié)論。 *附件：Driving-Elec...
第三代半導體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優(yōu)勢，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導率、擊穿電場等特性來看，第三代半導體均比硅材料優(yōu)秀，因此，第3代半導體的...
氮化鎵基Micro LED新突破可實現(xiàn)更高顯示分辨率與調(diào)制速率
氮化鎵（GaN）基Micro LED由于在新一代顯示技術(shù)、高速可見光通信等方面有著廣泛的應用前景，吸引了眾多研究者的關(guān)注。相比于常規(guī)尺寸LED，Micr...
GaN技術(shù)可以提高雷達的性能和適用性，但也需要更多的測試和優(yōu)化，在雷達中的應用有以下優(yōu)勢和劣勢： 優(yōu)勢： GaN提供更高的功率水平和更強的魯棒性，可以提...
幾個氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前...
2023-04-03 標簽：驅(qū)動器PCB設(shè)計氮化鎵 1037 0
目前市場已推出多種快充技術(shù)方案。其中PD方案的出現(xiàn)，助力推動了快充產(chǎn)品的普及。在快速充電器中，變壓器為最重要元件，而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮化鎵...
什么是氮化鎵半導體 氮化鎵半導體在產(chǎn)品上的具體應用
氮化鎵元件一個很大的優(yōu)勢在于它極快的開關(guān)速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時由于沒有體二極管pn結(jié)，因此在硬開關(guān)中，沒有相關(guān)的反向...
新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...
氮化鎵（GaN）是電力電子行業(yè)的一個熱門話題，因為它可以實現(xiàn)80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車（EV）車載充電器和電動汽車（EV）充電站等設(shè)計...
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