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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無(wú)線電的領(lǐng)先大功率射頻功率放大器技術(shù)。然而，目前的實(shí)現(xiàn)方式成本過(guò)高。與硅基技術(shù)相比，氮化鎵生...
針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...
氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統(tǒng)中猶如一對(duì)默契的搭檔，通過(guò)緊密配合，顯著提升電源效率。在開(kāi)關(guān)電源的工作過(guò)程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開(kāi)關(guān)速度和...
2025-01-15 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源氮化鎵電源芯片 1.6k 0
一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)—U8722
氮化鎵充電器是一種新型的快充技術(shù)，在充電速度、安全性做到了突破。
2024-04-09 標(biāo)簽：充電器氮化鎵驅(qū)動(dòng)電流 1.6k 0
干貨分享|高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（下）
提高效率既是行業(yè)的關(guān)鍵性挑戰(zhàn)，也是創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)力。社會(huì)需求的壓力和相關(guān)法規(guī)都在要求提高電源轉(zhuǎn)換和控制的效率。對(duì)于一些應(yīng)用來(lái)說(shuō)，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是贏得市...
什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析
第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在...
在進(jìn)行碳化硅、氮化鎵功率器件研發(fā)和特性評(píng)估、功率模塊開(kāi)發(fā)和特性評(píng)估、電源設(shè)計(jì)器件選型、電源調(diào)試以及學(xué)術(shù)研究時(shí)，都需要對(duì)其驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測(cè)試，這時(shí)大多數(shù)工程...
使用GaN實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效系統(tǒng)
氮化鎵是電力電子行業(yè)的熱門(mén)話題，因?yàn)樗梢詾殡娦烹娫吹葢?yīng)用提供高效設(shè)計(jì)；電動(dòng)汽車(chē)充電；加熱，通風(fēng)和空調(diào); 電器；和消費(fèi)電源適配器。在工業(yè)應(yīng)用中，氮化鎵取...
2022-07-29 標(biāo)簽：氮化鎵GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 1.6k 0
Transphorm 900V氮化鎵功率器件規(guī)格參數(shù)
兩款900V FET均屬于常閉型器件，通過(guò)更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復(fù)電荷，提供更高的效率，明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件，具有顯著優(yōu)勢(shì)。
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，化成分容就是為了激活電池。通常離子電池經(jīng)過(guò)繁雜的工序，只是生成半成品電芯，還未完成激活就無(wú)法正常使用，因此需要化成分容設(shè)備激活內(nèi)部的活性物質(zhì)，...
雷達(dá)的常見(jiàn)分類(lèi)方法及發(fā)展趨勢(shì)
GaN技術(shù)可以提高雷達(dá)的性能和適用性，但也需要更多的測(cè)試和優(yōu)化，在雷達(dá)中的應(yīng)用有以下優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)： 優(yōu)勢(shì)： GaN提供更高的功率水平和更強(qiáng)的魯棒性，可以提...
可以改變焦距的鏡頭用于各種光學(xué)設(shè)備，例如可變放大倍率相機(jī)的變焦鏡頭、雙筒望遠(yuǎn)鏡、光學(xué)顯微鏡和投影儀。 最近，智能手機(jī)相機(jī)等小型光學(xué)單元也配備了可變放大倍...
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專(zhuān)有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)...
氮化鎵技術(shù)在電源應(yīng)用方面的優(yōu)勢(shì)
GaN和SiC屬于高帶隙的第三代半導(dǎo)體材料，與第一代Si和第二代GaAs等前輩相比，它們?cè)谔匦陨暇哂型怀鰞?yōu)勢(shì)。由于大的帶隙和高的熱導(dǎo)率，GaN器件可以...
2023-02-13 標(biāo)簽：氮化鎵 1.5k 0
氮化鎵（GaN）技術(shù)如今在電力電子行業(yè)風(fēng)靡一時(shí)，這種寬禁帶半導(dǎo)體能夠?qū)崿F(xiàn)非常高的效率和功率密度，因此能夠減小電源的體積，并且降低其工作溫度，該性能優(yōu)勢(shì)正...
同一套電源芯片方案，可直接應(yīng)用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節(jié)省成本，更是大大縮短了開(kāi)發(fā)時(shí)間，使項(xiàng)目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源...
通過(guò)自由空間設(shè)計(jì)加速無(wú)線充電應(yīng)用
業(yè)界正在考慮使用新的半導(dǎo)體工藝。基于氮化鎵（GaN）的芯片用于功率控制器和發(fā)射器與接收器之間的無(wú)線電鏈路。
RF LDMOS之于早期蜂窩網(wǎng)絡(luò)，氮化鎵（GaN）之于現(xiàn)代和高頻應(yīng)用。與砷化鎵（GaAs）和Si LDMOS相比，GaN長(zhǎng)期以來(lái)一直具有難以超越的優(yōu)勢(shì)：
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測(cè)試
氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來(lái)在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開(kāi)關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)...
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