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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結構材料,具有許多優(yōu)異的電子、光學和機械性質,因此受到了廣泛關注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導體材料,具有優(yōu)異的...
氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統(tǒng)中猶如一對默契的搭檔,通過緊密配合,顯著提升電源效率。在開關電源的工作過程中,氮化鎵電源芯片憑借其快速的開關速度和...
擴展到900V的氮化鎵產(chǎn)品滿足汽車、家電及工業(yè)類應用需求
日前,Power Integrations(PI)舉辦新品媒體線上溝通會,公司資深技術培訓經(jīng)理Jason Yan介紹了在美國APEC展(國際電力電子應用...
GaN和SiC屬于高帶隙的第三代半導體材料,與第一代Si和第二代GaAs等前輩相比,它們在特性上具有突出優(yōu)勢。由于大的帶隙和高的熱導率,GaN器件可以...
2023-02-13 標簽:氮化鎵 1.4k 0
到2030年,10類關鍵核心產(chǎn)品可靠性水平達到國際先進水平,可靠性標準引領作用充分彰顯,培育一批可靠性公共服務機構和可靠性專業(yè)人才,我國制造業(yè)可靠性整體...
同一套電源芯片方案,可直接應用于不同的電壓輸出上,這不僅有效節(jié)省成本,更是大大縮短了開發(fā)時間,使項目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源...
Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的頻率范圍內(nèi)提供43dBm...
當受到戰(zhàn)術機動性和極端操作環(huán)境的限制時,有效平衡性能、基本功率、重量、散熱和成本的解決方案。這款可旋轉有源電子掃描陣列(AESA)融合了氮化鎵(GaN)...
45W氮化鎵快充全套方案!采用智融SW1123+SW1608+SW2303
因為使用了合封氮化鎵芯片,所以電路設計很簡潔,降低設計和加工成本,整套方案性價比不錯,且各輸入輸出電壓和各個負載段都擁有極佳的效率,峰值效率高達93.6...
三菱電機開發(fā)出首款可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器
News Releases 三菱電機采用單個GaN功率放大器實現(xiàn)4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統(tǒng)寬帶運行 將有助于實現(xiàn)無線電單元共享和基站節(jié)...
X射線衍射法是根據(jù)X射線衍射原理來精確測定物質的晶體結構和應力的檢測方法,測試方法簡單、方便、測試結果準確,可以準確判斷材料結晶質量好壞,因此是一種非常...
目前市場已推出多種快充技術方案。其中PD方案的出現(xiàn),助力推動了快充產(chǎn)品的普及。在快速充電器中,變壓器為最重要元件,而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮化鎵...
干貨分享|高功率氮化鎵場效應晶體管:高性能、高效率、高可靠性(上)
Nexperia(安世半導體)的高功率氮化鎵場效應晶體管,共將分為(上)(下)兩期,包含其工藝、性能優(yōu)勢、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperi...
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