如何驗(yàn)證 GaN 的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。

2023-07-13 標(biāo)簽：氮化鎵程序GaN 1.6k 0

用氮化鎵消除激光雷達(dá)的障礙

激光雷達(dá)的全稱(chēng)是光檢測(cè)和測(cè)距，即通過(guò)光波段中的電磁輻射所進(jìn)行的（遠(yuǎn)程）檢測(cè)和測(cè)量。這種裝置采用了經(jīng)典、簡(jiǎn)單的雷達(dá)原理，不同的是它使用的是由激光脈沖所組成...

2021-04-14 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵激光雷達(dá) 1.5k 0

三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)出首款可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器

News Releases 三菱電機(jī)采用單個(gè)GaN功率放大器實(shí)現(xiàn)4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統(tǒng)寬帶運(yùn)行 將有助于實(shí)現(xiàn)無(wú)線電單元共享和基站節(jié)...

2023-06-27 標(biāo)簽：功率放大器三菱電機(jī)氮化鎵 1.5k 0

分立器件在45W氮化鎵快充產(chǎn)品中的應(yīng)用

如今，以碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導(dǎo)體新材料得到廣泛應(yīng)用，它們具有更高的導(dǎo)熱率和抗輻射能力，以及更大的電子飽和漂移速率等特點(diǎn)。氮化鎵熱穩(wěn)定性好、飽...

2024-09-12 標(biāo)簽：分立器件氮化鎵合科泰 1.5k 0

什么是氮化鎵半導(dǎo)體 氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用

氮化鎵元件一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)在于它極快的開(kāi)關(guān)速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時(shí)由于沒(méi)有體二極管pn結(jié)，因此在硬開(kāi)關(guān)中，沒(méi)有相關(guān)的反向...

2023-06-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵無(wú)刷直流電機(jī) 1.5k 0

針對(duì)氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝，可使產(chǎn)能提升近40%！

切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時(shí)，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。

2023-07-04 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 1.5k 1

基于準(zhǔn)垂直型氮化鎵肖特基二極管的高功率微波限幅器

伴隨著5G通信時(shí)代的到來(lái)，數(shù)據(jù)的無(wú)線傳輸速率逐漸提高，同時(shí)也對(duì)射頻通信器件的功率和頻率范圍等提出了新的需求。微波限幅器已廣泛用于各種無(wú)線通信系統(tǒng)的射頻前...

2023-02-08 標(biāo)簽：射頻氮化鎵5G通信 1.5k 0

45W氮化鎵快充全套方案！采用智融SW1123+SW1608+SW2303

因?yàn)槭褂昧撕戏獾壭酒?，所以電路設(shè)計(jì)很簡(jiǎn)潔，降低設(shè)計(jì)和加工成本，整套方案性?xún)r(jià)比不錯(cuò)，且各輸入輸出電壓和各個(gè)負(fù)載段都擁有極佳的效率，峰值效率高達(dá)93.6...

2023-06-19 標(biāo)簽：控制器電路設(shè)計(jì)氮化鎵 1.5k 0

還在為用氮化鎵設(shè)計(jì)高壓電源犯難？試試這兩個(gè)器件

面對(duì)社會(huì)和監(jiān)管要求，電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項(xiàng)。特別是對(duì)于從電動(dòng)汽車(chē) (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵。

2023-04-28 標(biāo)簽：晶體管FET氮化鎵 1.5k 0

氮化鎵快充芯片U8722SP產(chǎn)品介紹

氮化鎵快充芯片U8722SP封裝形式升級(jí)調(diào)整為SOP-8，集成完備的保護(hù)功能：VDD過(guò)壓/欠壓保護(hù)(VDD OVP/UVLO)、輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)、...

2025-06-16 標(biāo)簽：封裝氮化鎵快充芯片 1.5k 0

原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用

本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用，本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用，并介紹了原子層鍍膜技...

2024-10-15 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵鍍膜 1.5k 0

如何降低SiC/SiO?界面缺陷

目前，許多企業(yè)在SiC MOSFET的批量化制造生產(chǎn)方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問(wèn)題。

2023-06-13 標(biāo)簽：電容器MOSFETNAND閃存 1.5k 0

氮化鎵（GaN）無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng) 提升效率、減小尺寸和降低成本方面

本文圍繞氮化鎵（GaN）功率IC在無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)展開(kāi)研究，通過(guò)設(shè)計(jì)實(shí)例和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，論證了其在提升效率、減小尺寸和降低成本方面的...

2025-04-24 標(biāo)簽：氮化鎵GaN無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1.5k 0