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標(biāo)簽 > 理想二極管
理想二極管:就是正向壓降為0,反向漏電流為0的二極管,這種二極管只存在于理論研究中;理想二極管是一種假設(shè),根據(jù)題目要求假設(shè),如為沒有壓降,沒有損耗,反向不會擊穿等理想狀態(tài)。而實際二極管是達(dá)不到的。目的是為了突出重點,去除次要問題。
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LM66100 具有集成 FET 的 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二極管數(shù)據(jù)手冊
LM66100 是一款單輸入、單輸出 (SISO) 集成理想二極管,非常適合各種應(yīng)用。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET,可在 1.5 V 至 5....
LM5050-1 5V 至 75V 400uA IQ 或運算 FET 控制器數(shù)據(jù)手冊
LM5050-1/-Q1 高側(cè) OR-ing FET 控制器在與電源串聯(lián)時與外部 MOSFET 一起作為理想二極管整流器運行。該 ORing 控制器允許...
LM74910-Q1 帶斷路器、200kHz ACS 以及欠壓和過壓保護(hù)的汽車級理想二極管數(shù)據(jù)手冊
LM749x0-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制以及過流和過壓保護(hù)的理想二極管整流器。...
LM5050-2 6V 至 75V 400uA IQ ORing FET 控制器數(shù)據(jù)手冊
LM5050-2 高側(cè) OR-ing FET 控制器與外部 MOSFET 與電源串聯(lián)時用作理想二極管整流器。這個 OR-ing 控制器允許 MOSFET...
德州儀器LM74930-Q1理想二極管控制器技術(shù)解析
Texas Instruments LM74930-Q1理想二極管控制器是一款帶斷路器的汽車類理想二極管浪涌抑制器。 該集成電路驅(qū)動和控制外部背靠背N...
Texas Instruments LM74703-Q1/LM74704-Q1 汽車級理想二極管控制器技術(shù)解析
Texas Instruments LM74703-Q1/LM74704-Q1理想二極管控制器與外部N溝道MOSFET配合使用,作為理想二極管整流器,可...
Texas Instruments LM74912-Q1理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊
Texas Instrument LM74912-Q1理想二極管控制器驅(qū)動和控制外部背靠背N溝道MOSFET。實現(xiàn)此功能是為了模擬具有電源路徑開/關(guān)控制...
LM74681 100V 理想二極管橋控制器,適用于 PoE 供電應(yīng)用數(shù)據(jù)手冊
LM74681是一款100V理想二極管橋控制器,專為Power over Ethernet (PoE)供電應(yīng)用設(shè)計。它能夠驅(qū)動MOSFET橋,實現(xiàn)高效的...
2025-05-06 標(biāo)簽:MOSFET控制器監(jiān)控系統(tǒng) 656 0
利用集成 MOSFET 發(fā)揮理想二極管的優(yōu)勢
作者:Pete Bartolik 投稿人:DigiKey 北美編輯 理想二極管技術(shù)可為電子應(yīng)用帶來諸多好處,包括降低壓降、增強(qiáng)系統(tǒng)控制和強(qiáng)大的保護(hù)功能。...
LM74722-Q1理想二極管控制器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments LM74722-Q1理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背靠背N溝道MOSFET,以模擬具有電源路徑開和關(guān)控制以及過壓保...
LM7480-Q1系列 3V 至 65V 汽車級理想二極管控制器,背靠背驅(qū)動 NFET數(shù)據(jù)手冊
LM7480x-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V...
LM74670-Q1 具有 70uA 柵極驅(qū)動的 0.48V 至 42V、零 IQ 汽車類理想二極管整流器控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74670-Q1 是一款控制器器件,可與交流發(fā)電機(jī)全橋或半橋整流器架構(gòu)中的 N 溝道 MOSFET 一起使用。它旨在驅(qū)動外部 MOSFET 以模擬理...
LM74900Q1EVM評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments LM74900Q1EVM評估模塊配置用于評估LM74900-Q1的運行情況。LM74900-Q1理想二極管控制器適合...
德州儀器LM74912Q1EVM評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments LM74912Q1EVM評估模塊設(shè)計用于快速輕松地演示LMLM74912-Q1理想二極管控制器(采用24引腳VQFN...
LM74912-Q1 汽車級理想二極管,集成過壓和短路保護(hù),帶故障輸出數(shù)據(jù)手冊
LM74912-Q1 理想二極管控制器驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制的理想二極管整流器,具有過壓、欠壓和輸出...
Texas Instruments LM74930Q1EVM 驅(qū)動評估模塊數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LM74930Q1EVM評估模塊旨在快速、輕松地演示LM74930-Q1理想二極管控制器的性能。LM74930-Q1...
LM7480系列 3V 至 65V 背靠背 NFET 理想二極管控制器,溫度范圍為 -55°C 至 125°C數(shù)據(jù)手冊
LM7480 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V 至 6...
LM74700D-Q1 汽車類 3.2V 至 70V、80μA 電池反向保護(hù)理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74700D-Q1 是一款符合汽車 AEC Q100 標(biāo)準(zhǔn)的理想二極管控制器,它與外部 N 溝道 MOSFET 一起作為理想二極管整流器,用于低損耗...
LM74704Q1EVM評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
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LM66100-Q1 具有集成 FET 的汽車類 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二極管數(shù)據(jù)手冊
LM66100-Q1 是一款單輸入、單輸出 (SISO) 集成理想二極管,非常適合各種應(yīng)用。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET,可在 1.5 V 至...
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