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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域

氮化鎵 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成為第三代半導(dǎo)體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場強(qiáng)約是硅器件的10倍，因而具有更高的耐壓能力以及更...

2023-05-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1.2k 0

碳化硅功率器件在充電樁中的應(yīng)用有哪些？

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅與氮化鎵無疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中，碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性，其耐高頻耐高溫的性能，是同等硅器件耐壓的10倍。

2023-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT 電機(jī)控制器 1.2k 0

碳化硅功率器件：革新未來能源與電力電子技術(shù)的關(guān)鍵材料

隨著全球?qū)Ω咝茉吹牟粩嘧非蠛碗娮蛹夹g(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能邊界。

2024-03-21 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件 SiC 1.2k 0

碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的優(yōu)勢(shì)

為減緩氣候變化的步伐，人類在非化石燃料、可再生能源解決方案方面取得了進(jìn)展，并且交通領(lǐng)域的電氣化進(jìn)程也在加速。這些新興技術(shù)幾乎都要求使用大功率，對(duì)電源的要...

2025-03-13 標(biāo)簽：示波器晶體管 SiC 1.2k 0

直流快速電動(dòng)汽車充電器的設(shè)計(jì)技巧與解決方案

便捷高效的充電對(duì)于所有電池供電的電動(dòng)汽車（BEV）的成功至關(guān)重要，可用充電的地方越多，充電速度越快，消費(fèi)者就越有可能購買純電動(dòng)汽車而不是化石燃料汽車。本...

2024-08-16 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車充電器碳化硅 1.2k 0

意法半導(dǎo)體生產(chǎn)200毫米碳化硅大晶圓，將用于功率器件原型設(shè)計(jì)

碳化硅（SiC）晶圓經(jīng)常出現(xiàn)在新聞中，這一事實(shí)預(yù)示著這種寬帶隙（WBG）材料作為顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)的證書，適用于更小、更輕、更高效的電力電子設(shè)備。

2022-12-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車意法半導(dǎo)體碳化硅 1.2k 0

碳化硅在多種應(yīng)用場景中的影響

對(duì)碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí)，需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識(shí)，幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)...

2025-06-13 標(biāo)簽：晶體管 SiC 功率半導(dǎo)體 1.2k 0

三菱電機(jī)高壓SiC模塊封裝技術(shù)解析

SiC芯片可以高溫工作，與之對(duì)應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)...

2025-02-12 標(biāo)簽：封裝技術(shù)三菱電機(jī)SiC 1.2k 0

SK Powertech 碳化硅MOSFET技術(shù)介紹與應(yīng)用潛力

碳化硅(SiC)器件在工業(yè)和汽車應(yīng)用中得到廣泛認(rèn)可，例如電動(dòng)汽車(EV)牽引逆變器和車載充電器、快速電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、光伏、儲(chǔ)能、固態(tài)變...

2024-07-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 MOSFET 碳化硅 1.1k 0

基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術(shù)帶來了更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一代車...

2024-07-18 標(biāo)簽：功率模塊碳化硅基本半導(dǎo)體 1.1k 0

碳化硅功率器件的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制，已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下，碳化硅（S...

2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1.1k 0

碳化硅技術(shù)評(píng)估平臺(tái)

英飛凌設(shè)計(jì)的平臺(tái)，旨在通過 TO247 3 和 4 引腳中的 EiceDRIVER IC 和 CoolSiC? MOSFET 突出 SiC 器件的性能。...

2022-08-05 標(biāo)簽：電源 MOSFET 半導(dǎo)體 1.1k 0

繼電器光耦的工作原理與應(yīng)用探討

繼電器光耦主要由發(fā)光二極管（LED）和光敏三極管（或光敏電阻）兩部分組成。發(fā)光二極管作為輸入端，當(dāng)輸入電流通過時(shí)，會(huì)發(fā)出特定波長的光。

2024-02-27 標(biāo)簽：繼電器發(fā)光二極管光耦 1.1k 0

用于七種新型碳化硅場效應(yīng)管晶體管

當(dāng)然，D2PAK-7L 的“主要”屬性是它外形扁平且表面貼裝，適用于功率密集 AC/DC、DC/DC 和逆變器產(chǎn)品的現(xiàn)代自動(dòng)化裝配技術(shù)。較舊的最終產(chǎn)品設(shè)...

2023-02-17 標(biāo)簽：場效應(yīng)管晶體管碳化硅 1.1k 0

浮思特|如何通過設(shè)計(jì)SiC功率模塊優(yōu)化電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)熱管理效率?

提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的功率密度是提升電動(dòng)汽車性能的關(guān)鍵。特斯拉已經(jīng)使用的碳化硅(SiC)功率模塊，有可能將功率密度提高一倍。SiC器件具有高溫電阻性、低損耗...

2024-12-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC 碳化硅 1.1k 0

碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用

近年來碳化硅材料應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)有了長足的發(fā)展，碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點(diǎn)，這主要?dú)w功于碳化硅材料比通用的材料有更高的電場擊穿電壓、更快的電荷移...

2023-04-17 標(biāo)簽：二極管 PFC電路碳化硅 1.1k 0

碳化硅功率器件的工作原理和優(yōu)勢(shì)

　　隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子技術(shù)在各種領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用，從電動(dòng)汽車到數(shù)據(jù)中心，再到可再生能源系統(tǒng)，其應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大。在這一領(lǐng)域，碳化硅...

2023-12-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1.1k 0

碳化硅功率器件的應(yīng)用和發(fā)展

碳化硅功率器件是一種新型的半導(dǎo)體器件，由于其具有高溫工作能力、高擊穿場強(qiáng)、高電子遷移率等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域，包括電動(dòng)汽車、可再生能源、工業(yè)電機(jī)和...

2023-08-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體功率器件 1.1k 0

碳化硅功率器件：革新電力電子的未來龍頭

在當(dāng)今追求高效能、高耐用性的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越性能，成為了領(lǐng)域內(nèi)的明星產(chǎn)品，它的出現(xiàn)預(yù)示著一次技術(shù)革命的悄然到來。

2024-04-26 標(biāo)簽：逆變器功率器件 SiC 1.1k 0

天津大學(xué)團(tuán)隊(duì)開創(chuàng)石墨烯半導(dǎo)體新紀(jì)元

石墨烯作為首個(gè)被發(fā)現(xiàn)可在室溫下穩(wěn)定存在的二維材料，具有寬帶光響應(yīng)、高載流子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性，是制備體積更小、更節(jié)能且傳輸速度更快的電子元件的理想材料。

2024-01-08 標(biāo)簽：電子元件石墨烯碳化硅 1.1k 0

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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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碳化硅

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