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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

行業(yè)巨頭們?nèi)绾慰焖俑码婒?qū)解決方案?

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在CES 2023上,Infinitum宣布了其最新進(jìn)展——裝有PCB定子的空芯電機(jī),其液冷系統(tǒng)可以將冷卻液直接輸送到電機(jī)熱源。該電機(jī)將冷卻液注入空心軸...

2023-05-26 標(biāo)簽:電機(jī)碳化硅驅(qū)動電機(jī) 1.1k 0

碳化硅IGBT在汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵作用是什么?

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自電動汽車大規(guī)模普及的早期階段以來,碳化硅(SiC)和其他寬禁帶(WBG)技術(shù)就被認(rèn)為是電池電動汽車子系統(tǒng)的理想選擇。與傳統(tǒng)硅材料相比,寬禁帶材料具有更...

2025-01-08 標(biāo)簽:IGBT碳化硅汽車 1.1k 0

碳化硅在電動汽車的應(yīng)用

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汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車到電動汽車(EV)的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動下,預(yù)計(jì)到45年,電動汽車將達(dá)到新車總銷量的...

2023-09-20 標(biāo)簽:電動汽車IGBT晶體管 1.1k 0

森國科推出最小封裝碳化硅二極管 具備高浪涌電流和雪崩能力

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TO-220-2L封裝散熱效果最佳,但是相對來說占用空間; TO-252-2L封裝具備優(yōu)秀的散熱能力,體積上也有一定的優(yōu)勢,在應(yīng)用場景上的利用率較高。

2023-07-13 標(biāo)簽:二極管pcb電解電容 1.1k 0

新能源電驅(qū)動核心的技術(shù)有哪些?

另外相比IGBT,碳化硅更耐高壓的優(yōu)勢(千伏以上),更適用于后續(xù)更多新能源車型將要搭載的800v電氣架構(gòu),不止用在主逆變器上,還可以應(yīng)用到高壓充電樁、高...

2023-03-30 標(biāo)簽:電機(jī)控制減速器碳化硅 1.1k 0

一文了解SiC碳化硅扥性能優(yōu)勢和使用場景

碳化硅(SiC) 是第三代半導(dǎo)體,相較于前兩代半導(dǎo)體(一代硅,二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能,上優(yōu)于硅襯底,可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的...

2023-01-16 標(biāo)簽:SiC碳化硅 1.1k 0

基本半導(dǎo)體 B3M025065Z 碳化硅 MOSFET應(yīng)用場景適配報(bào)告

基本半導(dǎo)體 B3M025065Z 碳化硅 MOSFET應(yīng)用場景適配報(bào)告

基本半導(dǎo)體 B3M025065Z 碳化硅 MOSFET 深度產(chǎn)品力研究與應(yīng)用場景適配全景報(bào)告 深圳市傾佳電子有限公司(簡稱“傾佳電子”)是聚焦新能源與電...

2025-12-07 標(biāo)簽:新能源MOSFET碳化硅 1.1k 0

羅姆新SPICE模型助力優(yōu)化功率半導(dǎo)體性能

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在SiC(碳化硅)等功率半導(dǎo)體的電氣仿真中,以往的行為模型存在收斂性差、仿真速度慢的問題。但是,這次開發(fā)并發(fā)布了提高仿真速度的新模型。

2025-06-23 標(biāo)簽:SPICE功率半導(dǎo)體碳化硅 1.1k 0

利用C2000實(shí)時MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計(jì)實(shí)用性

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與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...

2023-07-23 標(biāo)簽:mcu數(shù)字電源GaN 1.1k 0

富昌電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中心SiC版逆變器方案

該方案基于NXP Power架構(gòu)主控MCU平臺,融合了ON隔離預(yù)驅(qū)芯片及碳化硅功率器件,以及NXP電源管理芯片,可實(shí)現(xiàn)汽車功能安全標(biāo)準(zhǔn)ISO26262的...

2022-10-31 標(biāo)簽:逆變器碳化硅SiC MOSFET 1.1k 0

SiC相比傳統(tǒng)基于IGBT的電源應(yīng)用在可再生能源系統(tǒng)中的優(yōu)勢

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全球范圍內(nèi)正在經(jīng)歷一場能源革命。根據(jù)國際能源署的報(bào)告,到 2026 年,可再生能源將占全球能源增長量的大約 95%。太陽能將占到這 95% 中的一半以上。

2023-07-06 標(biāo)簽:德州儀器能源碳化硅 1.1k 0

碳化硅肖特基二極管的特點(diǎn)

碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強(qiáng)為硅的5.3倍,高達(dá)3.2MV/cm,其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為49w/c...

2023-02-09 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體碳化硅 1.1k 0

薩科微光耦SL3063應(yīng)用解決方案

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光耦的主要作用是電氣絕緣和信號隔離,優(yōu)點(diǎn)是其輸入端與輸出端完全實(shí)現(xiàn)了電氣隔離,抗干擾能力強(qiáng),使用壽命長,傳輸效率高。

2023-05-17 標(biāo)簽:光耦功率器件碳化硅 1.1k 0

探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢、應(yīng)用場景

探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢、應(yīng)用場景

碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率,以及更高的臨界擊穿電場強(qiáng)度。

2024-03-14 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1.1k 0

從襯底到外延:碳化硅材料的層級躍遷與功能分化

從襯底到外延:碳化硅材料的層級躍遷與功能分化

碳化硅襯底和外延片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個關(guān)鍵組件,盡管兩者均由碳化硅材料構(gòu)成,但在功能定位、制備工藝及應(yīng)用場景等方面存在顯著差異。以下是具體分析:定義與...

2025-09-03 標(biāo)簽:晶圓襯底碳化硅 1.1k 0

碳化硅技術(shù)在家電行業(yè)的應(yīng)用前景

碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一,其能使系統(tǒng)效率更高,質(zhì)量更輕,結(jié)構(gòu)更緊湊。如今,碳化硅技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入以空調(diào)為代表的家電應(yīng)用場景來助...

2023-09-18 標(biāo)簽:二極管MOSFET肖特基二極管 1.1k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用及發(fā)展

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨(dú)特的物理特性,如高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等,在功率器件領(lǐng)域展...

2023-12-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 1.1k 0

大功率碳化硅二極管的應(yīng)用

大功率碳化硅二極管的應(yīng)用

由于碳化硅材料的帶隙很寬(4H型碳化硅在室溫下約為3.26eV),碳化硅器件能夠在很高的溫度下工作而不至于因?yàn)楸菊鬏d流子激發(fā)導(dǎo)致器件性能失效。碳化硅材料...

2023-02-09 標(biāo)簽:電場碳化硅大功率器件 1.1k 0

碳化硅晶圓劃片技術(shù)

碳化硅晶圓劃片技術(shù)

碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體器件制造的核心材料,SiC 器件具有高頻、大功率、耐高溫、耐輻射、抗干擾、體積小、重量輕等諸多優(yōu)勢,是目前硅和砷化鎵等半導(dǎo)體材料所無...

2023-06-25 標(biāo)簽:激光器發(fā)光二極管SiC 1.1k 0

碳化硅MOSFET的柵極應(yīng)力測試

碳化硅MOSFET的柵極應(yīng)力測試

了解半導(dǎo)體器件的失效模式是制定篩選、鑒定和可靠性測試的關(guān)鍵,這些測試可以確保器件在數(shù)據(jù)表規(guī)定的限制范圍內(nèi)運(yùn)行,并滿足汽車和其他電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中對每十億個部...

2024-08-06 標(biāo)簽:測試MOSFET碳化硅 1.1k 0

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