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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢、應(yīng)用場景
碳化硅功率器件利用SiC半導體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導體材料,具有比硅(Si)更高的電子飽和漂移速度和熱導率,以及更高的臨界擊穿電場強度。
碳化硅功率器件已應(yīng)用于電動汽車內(nèi)部的關(guān)鍵電力系統(tǒng),包括牽引逆變器、車載充電器(OBC)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2023-05-24 標簽:新能源汽車逆變器DC-DC轉(zhuǎn)換器 737 0
安森美SiC Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹
安森美推出了具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用,如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系...
碳化硅屬于第三代半導體材料之一,具備大功率、低損耗、高可靠、低散熱等特點,可應(yīng)用于 1200 伏特以上的高壓、嚴苛環(huán)境,可廣泛應(yīng)用于風電、鐵路等大型交通...
碳化硅IGBT在汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵作用是什么?
自電動汽車大規(guī)模普及的早期階段以來,碳化硅(SiC)和其他寬禁帶(WBG)技術(shù)就被認為是電池電動汽車子系統(tǒng)的理想選擇。與傳統(tǒng)硅材料相比,寬禁帶材料具有更...
硅功率器件已經(jīng)達到了它們的材料極限,已經(jīng)達到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟,為汽車行業(yè)提供快速開關(guān)、高效的器件性能。然而,它們距離充分發(fā)揮...
功率器件熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運行的基礎(chǔ)。掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性,還...
石墨烯作為首個被發(fā)現(xiàn)可在室溫下穩(wěn)定存在的二維材料,具有寬帶光響應(yīng)、高載流子遷移率、高熱導率等特性,是制備體積更小、更節(jié)能且傳輸速度更快的電子元件的理想材料。
毫無疑問,寬帶隙 (WBG) 技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業(yè)、消費類及其他電源應(yīng)用領(lǐng)域的首選器件。
2024-05-06 標簽:轉(zhuǎn)換器晶體管GaN 687 0
碳化硅(SiC)是一種高性能的半導體材料,基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能...
使用SiC技術(shù)應(yīng)對能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)
本文簡要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比,SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實際案例之前,先探討了 Si...
基于碳化硅的可再生能源系統(tǒng)設(shè)計挑戰(zhàn)
太陽能逆變器和ESS應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使能源網(wǎng)現(xiàn)代化,以提高彈性,滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。這些系統(tǒng)必須在惡劣的環(huán)境中盡可能高效,...
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