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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更優(yōu)越的物理和化學(xué)特性,包括更高的臨界擊穿場強(qiáng)、更大的熱導(dǎo)率、更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度。
今天看到一家剛成立3年,專做化合物半導(dǎo)體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專門生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片,同時(shí)提供包含GaN on Silicon、...
碳化硅功率器件主要應(yīng)用于新能源車的電驅(qū)電控系統(tǒng),相較于傳統(tǒng)硅基 功率半導(dǎo)體器件,碳化硅功率器件在耐壓等級、開關(guān)損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優(yōu)勢,有助...
基于碳化硅的可再生能源系統(tǒng)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
太陽能逆變器和ESS應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使能源網(wǎng)現(xiàn)代化,以提高彈性,滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。這些系統(tǒng)必須在惡劣的環(huán)境中盡可能高效,...
碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料之一,具備大功率、低損耗、高可靠、低散熱等特點(diǎn),可應(yīng)用于 1200 伏特以上的高壓、嚴(yán)苛環(huán)境,可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、鐵路等大型交通...
2023-02-03 標(biāo)簽:逆變器半導(dǎo)體材料碳化硅 864 0
盡管目前純電動汽車 (BEVs) 在整個(gè)市場中所占的份額相對較小[1],但預(yù)計(jì)在未來 5 至 10 年內(nèi),純電動汽車 (BEVs) 將開始取代傳統(tǒng)動力系...
電流方面,峰值充電電流可達(dá)600+A;電壓方面,量產(chǎn)電動車的架構(gòu)電壓普遍在400-500V,而小鵬實(shí)現(xiàn)了遠(yuǎn)超行業(yè)平均工作電壓的800V級,并可兼容不同電...
2023-04-25 標(biāo)簽:電動車功率開關(guān)SiC 854 0
【新啟航】便攜式碳化硅襯底 TTV 厚度測量設(shè)備的性能與適用場景
摘要 本文圍繞便攜式碳化硅襯底 TTV 厚度測量設(shè)備,深入分析其測量精度、速度、便攜性等性能指標(biāo),并結(jié)合半導(dǎo)體生產(chǎn)車間、科研實(shí)驗(yàn)室、現(xiàn)場檢測等場景,探討...
在全球氣候變化日益嚴(yán)峻的背景下,節(jié)能減排已成為國際社會共同面臨的重大課題。各國政府紛紛出臺政策,推動能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型和低碳經(jīng)濟(jì)發(fā)展,旨在實(shí)現(xiàn)《巴黎協(xié)定》設(shè)定...
碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)以及在能源轉(zhuǎn)換中的...
毫無疑問,寬帶隙 (WBG) 技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業(yè)、消費(fèi)類及其他電源應(yīng)用領(lǐng)域的首選器件。
2024-05-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶體管GaN 812 0
一、引言 碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料,在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛??偤穸绕睿═TV)是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),準(zhǔn)確測量 TTV...
SiC碳化硅的崛起:現(xiàn)代戶用混合逆變器拓?fù)?、趨勢及器件級集成技術(shù)解析
傾佳電子SiC碳化硅的崛起:現(xiàn)代戶用混合逆變器拓?fù)?、趨勢及器件級集成技術(shù)解析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接...
碳化硅二極管在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用
碳化硅(SiC)是一種高性能的半導(dǎo)體材料,基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能...
2023-02-03 標(biāo)簽:肖特基二極管半導(dǎo)體材料SiC 793 0
SiC外延片是SiC產(chǎn)業(yè)鏈條的核心環(huán)節(jié)嗎?
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,不能直接制作在碳化硅單晶材料上,必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各類器件。
在新能源汽車市場快速發(fā)展的背景下,車載功率半導(dǎo)體需求量激增,其中,碳化硅功率器件憑借更低的能量損耗、更小的封裝尺寸、更高的開關(guān)頻率、更強(qiáng)的耐高溫及散熱能...
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