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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

SiC MOSFET的重要注意事項

綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天和國防應(yīng)用，尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動各種車...

2023-07-11 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 842 0

碳化硅MOSFET的關(guān)鍵技術(shù)和模塊設(shè)計

碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù)，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設(shè)備是否正常工作。

2023-02-15 標簽：MOSFET 半導(dǎo)體碳化硅 840 0

大功率碳化硅二極管的應(yīng)用

由于碳化硅材料的帶隙很寬（4H型碳化硅在室溫下約為3.26eV），碳化硅器件能夠在很高的溫度下工作而不至于因為本征載流子激發(fā)導(dǎo)致器件性能失效。碳化硅材料...

2023-02-09 標簽：電場碳化硅大功率器件 839 0

碳化硅MOSFET助力新能源汽車實現(xiàn)更出色的能源效率和應(yīng)用可靠性

碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。

2023-05-25 標簽：新能源汽車 MOSFET 電機控制器 836 0

碳化硅上的氮化鎵是唯一可行的長期5G解決方案

5G還圍繞提供滿足帶寬、延遲和數(shù)據(jù)速度新要求的連接所需的技術(shù)和基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計帶來了新的思維。它不僅需要在宏觀層面實現(xiàn)致密化——這意味著更多的基站——還需要...

2023-05-24 標簽：GaN 碳化硅 5G 835 0

碳化硅技術(shù)在家電行業(yè)的應(yīng)用前景

碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一，其能使系統(tǒng)效率更高，質(zhì)量更輕，結(jié)構(gòu)更緊湊。如今，碳化硅技術(shù)已經(jīng)進入以空調(diào)為代表的家電應(yīng)用場景來助...

2023-09-18 標簽：二極管 MOSFET 肖特基二極管 834 0

薩科微光耦SL3063應(yīng)用解決方案

光耦的主要作用是電氣絕緣和信號隔離，優(yōu)點是其輸入端與輸出端完全實現(xiàn)了電氣隔離，抗干擾能力強，使用壽命長，傳輸效率高。

2023-05-17 標簽：光耦功率器件碳化硅 833 0

汽車碳化硅技術(shù)原理技術(shù)指標有哪些

　　汽車碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作汽車零部件的技術(shù)，它可以提高汽車零部件的性能，提高汽車的效率、耐久性和可靠性，并且可以降低汽車的成本。

2023-02-16 標簽：發(fā)動機碳化硅 832 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用及發(fā)展

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨特的物理特性，如高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等，在功率器件領(lǐng)域展...

2023-12-28 標簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 826 0

碳化硅柵極驅(qū)動器的選擇標準

利用集成負偏壓來關(guān)斷柵極驅(qū)動在設(shè)計電動汽車、不間斷電源、工業(yè)驅(qū)動器和泵等高功率應(yīng)用時，系統(tǒng)工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET，因為與 I...

2024-08-20 標簽：MOSFET 安森美柵極驅(qū)動器 826 0

碳化硅SiC的光學(xué)優(yōu)勢及應(yīng)用

碳化硅（SiC）在大口徑光學(xué)反射鏡上的應(yīng)用，主要得益于其高比剛度、優(yōu)異熱穩(wěn)定性和寬光譜響應(yīng)等特性，成為空間觀測、深空探測等領(lǐng)域的核心材料。以下是關(guān)鍵應(yīng)用...

2025-02-22 標簽：光學(xué)SiC 碳化硅 826 0

電隔離柵極驅(qū)動器的隔離能力評估

電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏?..

2024-11-11 標簽：半導(dǎo)體安森美 SiC 823 0

碳化硅肖特基二極管的特點

碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶），達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍，高達3.2MV/cm，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍，為49w/c...

2023-02-09 標簽：二極管半導(dǎo)體碳化硅 823 0

怎樣通過并聯(lián)碳化硅MOSFET獲得更多功率呢？

為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。

2023-08-29 標簽：MOSFET 電阻器電源電路 821 0

浮思特|如何通過設(shè)計SiC功率模塊優(yōu)化電動汽車電機驅(qū)動熱管理效率?

提高電機驅(qū)動系統(tǒng)的功率密度是提升電動汽車性能的關(guān)鍵。特斯拉已經(jīng)使用的碳化硅(SiC)功率模塊，有可能將功率密度提高一倍。SiC器件具有高溫電阻性、低損耗...

2024-12-09 標簽：電動汽車 SiC 碳化硅 821 0

碳化硅二極管優(yōu)于硅二極管的8大原因

在額定電壓相同的情況下，SiC二極管占用的空間比Si更小。

2023-07-26 標簽：二極管 emi SiC 818 0

極海G32R501全數(shù)字雙向電源參考方案介紹

雙向電源控制技術(shù)廣泛應(yīng)用于戶用儲能、便攜式儲能和電動汽車等應(yīng)用，在能源使用效率備受關(guān)注的今天，雙向電源必須滿足更高的效率和可靠性標準，高轉(zhuǎn)換效率已成為數(shù)...

2025-01-10 標簽：mcu 數(shù)字電源碳化硅 815 0

碳化硅器件封裝與模塊化的關(guān)鍵技術(shù)

碳化硅（Silicon Carbide，簡稱SiC）器件封裝與模塊化是實現(xiàn)碳化硅器件性能和可靠性提升的關(guān)鍵步驟。

2024-01-09 標簽：射頻 SiC 碳化硅 814 0

2CP0220T12-ZC01驅(qū)動器產(chǎn)品特點和典型應(yīng)用

太陽能是重要的清潔能源，而光伏逆變器是太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心組成部分，其穩(wěn)定可靠運行對系統(tǒng)整體性能有著舉足輕重的影響。青銅劍技術(shù)2CP0220T12-...

2023-11-22 標簽：驅(qū)動器太陽能光伏逆變器 802 0

碳化硅應(yīng)該做IDM嗎

今天看到一家剛成立3年，專做化合物半導(dǎo)體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專門生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片，同時提供包含GaN on Silicon、...

2023-02-09 標簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 792 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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碳化硅技術(shù)

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