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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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有效的熱管理對(duì)于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系,環(huán)境過(guò)熱會(huì)降低設(shè)備的電氣特性并導(dǎo)致過(guò)早失效,充分散熱、正確放置導(dǎo)熱墊以及確保充足的氣流對(duì)于 M...
碳化硅MOSFET器件是一種半導(dǎo)體器件,它可以用于控制電流和電壓,以及檢測(cè)電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFE...
為什么選擇SiC作為下一個(gè)雙向板載充電器設(shè)計(jì)呢?
硅(Si)基電力電子器件長(zhǎng)期以來(lái)一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè),因?yàn)樗鼈兊募夹g(shù)成熟度和相對(duì)容易獲得。
2023-03-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器充電器 1.2k 0
碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器的選擇標(biāo)準(zhǔn)
利用集成負(fù)偏壓來(lái)關(guān)斷柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)電動(dòng)汽車、不間斷電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和泵等高功率應(yīng)用時(shí),系統(tǒng)工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET,因?yàn)榕c I...
2024-08-20 標(biāo)簽:MOSFET安森美柵極驅(qū)動(dòng)器 1.2k 0
碳化硅:成功的純電動(dòng)汽車動(dòng)力總成的基礎(chǔ)
碳化硅更高的開關(guān)頻率和更低的固有損耗提高了系統(tǒng)效率。在雙向板載充電器中,SiC 支持使用圖騰柱 PFC 拓?fù)?,與基于 Si 的器件相比,該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)非常高...
使用SiC技術(shù)應(yīng)對(duì)能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)
本文簡(jiǎn)要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比,SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個(gè)實(shí)際案例之前,先探討了 Si...
碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術(shù)至...
用于電動(dòng)汽車電力電子的碳化硅器件:優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)
隨著對(duì)電動(dòng)汽車(EV)需求的持續(xù)增長(zhǎng),制造商正在比較兩種半導(dǎo)體技術(shù),即碳化硅和硅,用于電力電子應(yīng)用。碳化硅(SiC)具有耐高溫、低功耗、剛性,并支持EV...
2023-09-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電壓電力電子 1.2k 0
汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應(yīng)更高的電壓,擁有更快的開關(guān)速度,并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率...
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性,在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。...
隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型和電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料,正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的璀璨明星。其獨(dú)特的物理和化學(xué)屬性,...
在現(xiàn)代電子行業(yè),隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應(yīng)用的增多,傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。
2024-04-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 1.2k 0
新能源汽車領(lǐng)域關(guān)于碳化硅的應(yīng)用
汽車原始設(shè)備制造商對(duì)電力電子系統(tǒng)的要求對(duì)此類系統(tǒng)的開發(fā)人員來(lái)說(shuō)是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。特別是空間要求、重量和效率的相互制衡,整個(gè)系統(tǒng)的成本和產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段的工作...
2023-05-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車新能源汽車碳化硅 1.2k 0
為您的設(shè)計(jì)選擇最佳選項(xiàng):碳化硅MOSFET相對(duì)于IGBT的優(yōu)勢(shì)!
GBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)用于許多不同類型的電源應(yīng)用,包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測(cè)試和測(cè)量以及...
SiC功率器件市場(chǎng)正處于快速增長(zhǎng)階段,特別是在汽車電動(dòng)化趨勢(shì)的推動(dòng)下,其市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)擴(kuò)大。 根據(jù)Yole Group的報(bào)告,汽車行業(yè)對(duì)SiC功...
太陽(yáng)能架構(gòu)通常分為三種配置。在住宅層面,微型逆變器支持1-4個(gè)面板塊。組串式逆變器將面板集群從幾千瓦聚合到大約 50 kW。從 50 kW 到 200 ...
使用碳化硅設(shè)計(jì)用于高效可再生能源系統(tǒng)
碳化硅解決方案滿足了依賴半導(dǎo)體的可再生能源系統(tǒng)的所有需求,因?yàn)樗鼈兛梢蕴岣吖β拭芏?、降低開關(guān)損耗和開關(guān)頻率。Wolfspeed 碳化硅解決方案使太陽(yáng)能功...
除了氮化鎵,快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域
氮化鎵 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成為第三代半導(dǎo)體,其禁帶寬度約是硅器件的3倍,擊穿場(chǎng)強(qiáng)約是硅器件的10倍,因而具有更高的耐壓能力以及更...
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