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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

森國(guó)科推出最小封裝碳化硅二極管具備高浪涌電流和雪崩能力

TO-220-2L封裝散熱效果最佳，但是相對(duì)來(lái)說(shuō)占用空間； TO-252-2L封裝具備優(yōu)秀的散熱能力，體積上也有一定的優(yōu)勢(shì)，在應(yīng)用場(chǎng)景上的利用率較高。

2023-07-13 標(biāo)簽：二極管 pcb 電解電容 929 0

借助SpeedFit設(shè)計(jì)仿真軟件縮短比較分析的時(shí)間

相較于基于硅（Si）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）之類的傳統(tǒng)技術(shù)，碳化硅（SiC）元件擁有明顯的優(yōu)點(diǎn)，因此很多應(yīng)用都能從運(yùn)用 SiC 器件中獲益。

2023-05-22 標(biāo)簽：IGBT 晶體管 SiC 928 0

SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎？

MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

2023-08-24 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管體二極管 927 0

天津大學(xué)團(tuán)隊(duì)開(kāi)創(chuàng)石墨烯半導(dǎo)體新紀(jì)元

石墨烯作為首個(gè)被發(fā)現(xiàn)可在室溫下穩(wěn)定存在的二維材料，具有寬帶光響應(yīng)、高載流子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性，是制備體積更小、更節(jié)能且傳輸速度更快的電子元件的理想材料。

2024-01-08 標(biāo)簽：電子元件石墨烯碳化硅 923 0

碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動(dòng)。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩(wěn)定的半導(dǎo)體特性。

2024-03-26 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 922 0

探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率，以及更高的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。

2024-03-14 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 920 0

探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的操作規(guī)范與技巧

本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧，通過(guò)規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn)，旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率，為半導(dǎo)體制造過(guò)程中...

2025-08-23 標(biāo)簽：晶圓測(cè)量?jī)x 碳化硅 917 0

深度探索應(yīng)對(duì)芯片挑戰(zhàn)的三種思路

　硅材料雖然適合大規(guī)模生產(chǎn)，儲(chǔ)藏豐富，還有一個(gè)天然穩(wěn)定的絕緣氧化層，但它也有難以克服的缺點(diǎn)：電子遷移率低，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)速度不高；散熱特性一般，限制了芯片的工...

2023-11-23 標(biāo)簽：cpu 晶體管光連接器 917 0

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET B2M065120H概述

光伏與儲(chǔ)能是能源電力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)利用的有效途徑，在推動(dòng)碳達(dá)峰碳中和方面發(fā)揮顯著作用，碳化硅憑借導(dǎo)通電阻低開(kāi)關(guān)損耗小的優(yōu)勢(shì)，可有效助力光伏與儲(chǔ)能...

2023-06-12 標(biāo)簽：MOSFET 電力系統(tǒng)光伏 915 0

安森美應(yīng)用于UPS的SiC方案

隨著云計(jì)算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)不間斷電源(UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設(shè)計(jì)人員面臨...

2022-07-12 標(biāo)簽：UPS SiC 碳化硅 913 0

國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步切入，國(guó)產(chǎn)碳化硅器件存在突圍機(jī)會(huì)

在車(chē)載充電器領(lǐng)域，碳化硅MOSFET的滲透率已很高。電機(jī)控制器將是近幾年碳化硅MOSFET要更高速發(fā)展的關(guān)鍵因素。

2023-03-31 標(biāo)簽：MOSFET 光伏逆變器碳化硅 909 0

PCB材料選擇與性能比較

PCB板被廣泛應(yīng)用于電子行業(yè)，作為電子設(shè)備的重要組成部分之一，負(fù)責(zé)連接各種電子元件。

2023-06-08 標(biāo)簽：PCB板電磁場(chǎng)碳化硅 909 0

安森美碳化硅MOSFET的持續(xù)演進(jìn)

隨著電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成和能源基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)碳化硅(SiC)功率器件需求的增加，加速了市場(chǎng)的增長(zhǎng)。在這一過(guò)程中，終端用戶需求不斷提高以及日益增大的盈利壓力促使各...

2024-12-26 標(biāo)簽：MOSFET 安森美碳化硅 899 0

中科院物理研究所探索用一種新的方法生長(zhǎng)碳化硅晶體

碳化硅晶體是一種性能優(yōu)異的半導(dǎo)體材料，在信息、交通、能源、航空、航天等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。春節(jié)期間，中科院物理研究所科研團(tuán)隊(duì)們正在探索用一種新的方法生長(zhǎng)碳...

2023-01-31 標(biāo)簽：碳化硅 898 0

多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來(lái)源

本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來(lái)源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。

2025-04-15 標(biāo)簽：多晶硅工藝碳化硅 898 0

不同類型的碳化硅功率器件

目前市場(chǎng)上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對(duì)較多，常見(jiàn)的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場(chǎng)、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅...

2023-08-31 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 半導(dǎo)體 884 0

碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)中的優(yōu)勢(shì)

碳化硅功率器件已應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)內(nèi)部的關(guān)鍵電力系統(tǒng)，包括牽引逆變器、車(chē)載充電器(OBC)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。

2023-05-24 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)逆變器 DC-DC轉(zhuǎn)換器 884 0

混合碳化硅分立器件的特性與優(yōu)點(diǎn)

IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管(FWD)構(gòu)成，續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢(shì)壘二極管(S...

2023-09-22 標(biāo)簽：二極管 IGBT 分立器件 884 0

碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)異常的快速診斷與處理流程

摘要本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中出現(xiàn)的數(shù)據(jù)異常問(wèn)題，系統(tǒng)分析異常類型與成因，構(gòu)建科學(xué)高效的快速診斷流程，并提出針對(duì)性處理方法，旨在提升數(shù)據(jù)異...

2025-08-14 標(biāo)簽：晶圓厚度測(cè)量碳化硅 881 0

貼片壓敏電阻的關(guān)鍵特性

貼片壓敏電阻的最大耐壓值可以因不同型號(hào)、規(guī)格及生產(chǎn)工藝而有所差異。一般來(lái)說(shuō)，貼片壓敏電阻的壓敏電壓范圍可以從較低的幾伏到較高的幾百伏甚至上千伏。具體來(lái)說(shuō)...

2024-09-20 標(biāo)簽：電流貼片壓敏電阻電壓 873 0

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Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車(chē)相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷(xiāo)售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus LogIC

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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
研華

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32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車(chē)道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開(kāi)發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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