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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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有效的熱管理對(duì)于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系,環(huán)境過(guò)熱會(huì)降低設(shè)備的電氣特性并導(dǎo)致過(guò)早失效,充分散熱、正確放置導(dǎo)熱墊以及確保充足的氣流對(duì)于 M...
小米汽車(chē)發(fā)布會(huì):自研小米800V碳化硅高壓平臺(tái)
小米自研小米800V碳化硅高壓平臺(tái):871V
2023-12-28 標(biāo)簽:碳化硅小米汽車(chē)800V平臺(tái) 1.1k 0
在現(xiàn)代電子行業(yè),隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應(yīng)用的增多,傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。
2024-04-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)功率器件SiC 1.1k 0
安森美SiC Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹
安森美推出了具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用,如固態(tài)斷路器和大電流開(kāi)關(guān)系...
基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級(jí)碳化硅半橋模塊解析
隨著可再生能源、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域現(xiàn)代電力應(yīng)用的發(fā)展,硅的局限性變得越來(lái)越明顯。以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有適合高壓、大功率應(yīng)用的優(yōu)良特性,在650...
半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無(wú)論是前道工藝還是后道工藝,半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。
2023-05-19 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器SiC半導(dǎo)體器件 1.1k 0
二十多年來(lái),碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。
新能源汽車(chē)領(lǐng)域關(guān)于碳化硅的應(yīng)用
汽車(chē)原始設(shè)備制造商對(duì)電力電子系統(tǒng)的要求對(duì)此類(lèi)系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)人員來(lái)說(shuō)是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。特別是空間要求、重量和效率的相互制衡,整個(gè)系統(tǒng)的成本和產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段的工作...
2023-05-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)新能源汽車(chē)碳化硅 1.1k 0
太陽(yáng)能架構(gòu)通常分為三種配置。在住宅層面,微型逆變器支持1-4個(gè)面板塊。組串式逆變器將面板集群從幾千瓦聚合到大約 50 kW。從 50 kW 到 200 ...
為您的設(shè)計(jì)選擇最佳選項(xiàng):碳化硅MOSFET相對(duì)于IGBT的優(yōu)勢(shì)!
GBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)用于許多不同類(lèi)型的電源應(yīng)用,包括可再生能源、航空航天、汽車(chē)和運(yùn)輸、測(cè)試和測(cè)量以及...
使用碳化硅設(shè)計(jì)用于高效可再生能源系統(tǒng)
碳化硅解決方案滿(mǎn)足了依賴(lài)半導(dǎo)體的可再生能源系統(tǒng)的所有需求,因?yàn)樗鼈兛梢蕴岣吖β拭芏?、降低開(kāi)關(guān)損耗和開(kāi)關(guān)頻率。Wolfspeed 碳化硅解決方案使太陽(yáng)能功...
2CP0220T12-ZC01驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品特點(diǎn)和典型應(yīng)用
太陽(yáng)能是重要的清潔能源,而光伏逆變器是太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心組成部分,其穩(wěn)定可靠運(yùn)行對(duì)系統(tǒng)整體性能有著舉足輕重的影響。青銅劍技術(shù)2CP0220T12-...
2023-11-22 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器太陽(yáng)能光伏逆變器 1.1k 0
1月5日,比亞迪發(fā)布會(huì)重磅發(fā)布了2款新的SiC電控的車(chē)型:比亞迪發(fā)布2款仰望車(chē)型搭載SiC電控,時(shí)隔2年,比亞迪再次公布了2款SiC電控的車(chē)型。正式發(fā)布...
2023-06-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 1.1k 0
碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比,具有更寬的能隙、更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。
2024-03-19 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換功率器件SiC 1.1k 0
雙向電源控制技術(shù)廣泛應(yīng)用于戶(hù)用儲(chǔ)能、便攜式儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車(chē)等應(yīng)用,在能源使用效率備受關(guān)注的今天,雙向電源必須滿(mǎn)足更高的效率和可靠性標(biāo)準(zhǔn),高轉(zhuǎn)換效率已成為數(shù)...
碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器的選擇標(biāo)準(zhǔn)
利用集成負(fù)偏壓來(lái)關(guān)斷柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)電動(dòng)汽車(chē)、不間斷電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和泵等高功率應(yīng)用時(shí),系統(tǒng)工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET,因?yàn)榕c I...
2024-08-20 標(biāo)簽:MOSFET安森美柵極驅(qū)動(dòng)器 1.1k 0
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無(wú)疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
碳化硅器件在車(chē)載充電機(jī)(OBC)中的性能優(yōu)勢(shì)
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優(yōu)異性能采用碳化硅功率器件可使電動(dòng)汽車(chē)或混合動(dòng)力汽車(chē)功率轉(zhuǎn)化能耗損失降低20%,在OBC產(chǎn)品上...
2024-04-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)功率器件碳化硅 1.1k 0
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