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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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另外相比IGBT,碳化硅更耐高壓的優(yōu)勢(千伏以上),更適用于后續(xù)更多新能源車型將要搭載的800v電氣架構(gòu),不止用在主逆變器上,還可以應(yīng)用到高壓充電樁、高...
隨著科技的飛速發(fā)展,電力電子技術(shù)在各種領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用,從電動汽車到數(shù)據(jù)中心,再到可再生能源系統(tǒng),其應(yīng)用范圍不斷擴大。在這一領(lǐng)域,碳化硅...
行業(yè)巨頭們?nèi)绾慰焖俑码婒?qū)解決方案?
在CES 2023上,Infinitum宣布了其最新進展——裝有PCB定子的空芯電機,其液冷系統(tǒng)可以將冷卻液直接輸送到電機熱源。該電機將冷卻液注入空心軸...
碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的優(yōu)勢
為減緩氣候變化的步伐,人類在非化石燃料、可再生能源解決方案方面取得了進展,并且交通領(lǐng)域的電氣化進程也在加速。這些新興技術(shù)幾乎都要求使用大功率,對電源的要...
富昌電子系統(tǒng)設(shè)計中心SiC版逆變器方案
該方案基于NXP Power架構(gòu)主控MCU平臺,融合了ON隔離預(yù)驅(qū)芯片及碳化硅功率器件,以及NXP電源管理芯片,可實現(xiàn)汽車功能安全標(biāo)準(zhǔn)ISO26262的...
2022-10-31 標(biāo)簽:逆變器碳化硅SiC MOSFET 882 0
隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型和電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料,正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的璀璨明星。其獨特的物理和化學(xué)屬性,...
碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用
近年來碳化硅材料應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)有了長足的發(fā)展,碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點,這主要歸功于碳化硅材料比通用的材料有更高的電場擊穿電壓、更快的電荷移...
SiC半導(dǎo)體產(chǎn)品如何實現(xiàn)高質(zhì)量和高可靠性
從MOSFET 、二極管到功率模塊,功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施,到個人電子產(chǎn)品和電動汽車(EV),它們...
SiC相比傳統(tǒng)基于IGBT的電源應(yīng)用在可再生能源系統(tǒng)中的優(yōu)勢
全球范圍內(nèi)正在經(jīng)歷一場能源革命。根據(jù)國際能源署的報告,到 2026 年,可再生能源將占全球能源增長量的大約 95%。太陽能將占到這 95% 中的一半以上。
基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級碳化硅半橋模塊解析
隨著可再生能源、電動汽車等領(lǐng)域現(xiàn)代電力應(yīng)用的發(fā)展,硅的局限性變得越來越明顯。以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有適合高壓、大功率應(yīng)用的優(yōu)良特性,在650...
隨著光伏逆變器功率等級的不斷提高,光伏行業(yè)對功率器件的規(guī)格和散熱要求也越來越高。相比于傳統(tǒng)硅器件,碳化硅功率器件能帶來更高的轉(zhuǎn)換效率和更低的能量損耗,從...
溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,因其出色的寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等特性,在新能源、智能電網(wǎng)以及電動汽車等多個領(lǐng)域展現(xiàn)...
功率半導(dǎo)體器件是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。近年來,我國功率半導(dǎo)體器件制造企業(yè)通過持續(xù)的引進消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新,產(chǎn)品技術(shù)含量及性能水平...
2024-09-12 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體碳化硅 858 0
二十多年來,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受到人們越來越多的關(guān)注。
碳化硅功率器件:革新未來能源與電力電子技術(shù)的關(guān)鍵材料
隨著全球?qū)Ω咝茉吹牟粩嘧非蠛碗娮蛹夹g(shù)的快速發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達到其性能邊界。
碳化硅SiC的光學(xué)優(yōu)勢及應(yīng)用
碳化硅(SiC)在大口徑光學(xué)反射鏡上的應(yīng)用,主要得益于其高比剛度、優(yōu)異熱穩(wěn)定性和寬光譜響應(yīng)等特性,成為空間觀測、深空探測等領(lǐng)域的核心材料。以下是關(guān)鍵應(yīng)用...
用于大功率模塊升壓臺面結(jié)構(gòu)中的金屬化陶瓷基板
隨著可用的寬帶隙半導(dǎo)體不斷在提高其工作電壓,其封裝中使用的電絕緣受到了越來越多的限制。在更準(zhǔn)確地來說,用于要求苛刻的應(yīng)用的陶瓷基板代表了一個關(guān)鍵的多功能...
惡劣環(huán)境電力電子系統(tǒng)中碳化硅功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用
近年來,隨著功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,功率器件封測設(shè)備和材料在整個產(chǎn)業(yè)鏈的作用越來越重要,國內(nèi)也涌現(xiàn)出了一大批優(yōu)秀企業(yè)。
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