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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

傾佳電子：DAB隔離變換器深度分析：優(yōu)勢、器件選型與碳化硅MOSFET的應(yīng)用

傾佳電子：DAB隔離變換器深度分析：優(yōu)勢、器件選型與碳化硅MOSFET的應(yīng)用傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接...

2025-08-17 標簽：MOSFET DAB 碳化硅 1.2k 0

華為2024年部署將超過10萬個全液冷超快充充電樁

隨著以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代功率半導體與高倍率動力電池的日益成熟，電動汽車正加速向高壓化超充方向發(fā)展。全面高壓化將從B、C級車走向A級車及商用車，...

2023-12-18 標簽：動力電池華為 MOS 1.2k 0

碳化硅器件的應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)挑戰(zhàn)

　　碳化硅（SiC）是一種以碳和硅為主要成分的半導體材料，近年來在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用迅速發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅材料，碳化硅具有更高的擊穿電場、更高的熱導率和...

2024-08-07 標簽：半導體 SiC 碳化硅 1.2k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域及未來趨勢

隨著科技的不斷進步，電力電子設(shè)備在各種領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣泛。然而，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達到其性能極限。為了滿足不斷增長的性能需求，碳化硅（SiC）...

2023-12-13 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.2k 0

碳化硅器件“上車”加快，800V高壓平臺蓄勢待發(fā)

根據(jù)研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的時間先后順序，業(yè)內(nèi)將半導體材料劃分為三代。常見的半導體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵...

2023-09-28 標簽：MOSFET IGBT 功率器件 1.2k 0

碳化硅發(fā)展生逢其時

*文末有禮碳化硅（SiC) 正在改變?nèi)祟惸茉纯刂坪娃D(zhuǎn)換的方式，帶來一場顛覆性變革。電動汽車、可再生能源、儲能和不間斷電源等許多應(yīng)用都能通過SiC實現(xiàn)性...

2024-03-04 標簽：晶圓 SiC 碳化硅 1.2k 0

電驅(qū)逆變器模塊連續(xù)工作測溫系統(tǒng)的開發(fā)步驟和過程

摘要本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆...

2024-06-04 標簽：模塊逆變器 IGBT 1.2k 0

電動汽車的高效電源管理

電動汽車正變得越來越流行，其在質(zhì)量、功能簡單以及最重要的能源效率方面具有環(huán)保特性。功能推力由電動機驅(qū)動，與內(nèi)燃機相比，其結(jié)構(gòu)簡單。在能效方面，燃油車和電...

2022-08-09 標簽：電動汽車電源管理碳化硅 1.2k 0

電隔離柵極驅(qū)動器的隔離能力評估

電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏?..

2024-11-11 標簽：半導體安森美 SiC 1.2k 0

國產(chǎn)碳化硅MOS推薦-不間斷電源

不間斷電源（UPS）是一種將蓄電池與主機相連接，將直流電轉(zhuǎn)換成市電的系統(tǒng)設(shè)備，主要是為了在市電故障時能夠為計算機網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)或其他電力電子設(shè)備提供可靠和連續(xù)的電能。

2023-11-20 標簽：蓄電池不間斷電源 MOS 1.2k 0

碳化硅在半導體中有什么好處？

來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品，設(shè)計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

2023-02-16 標簽：半導體 IGBT SiC 1.2k 0

原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用

本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用，本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用，并介紹了原子層鍍膜技...

2024-10-15 標簽：功率器件氮化鎵鍍膜 1.2k 0

超短脈沖激光輔助碳化硅晶圓切片

? 當今科技迅速發(fā)展，超短脈沖激光技術(shù)作為一項重要的特種加工技術(shù)，引起了廣泛關(guān)注。超短脈沖激光以其極短的脈沖寬度和高能量密度，在微納加工領(lǐng)域備受矚目。在...

2024-11-25 標簽：晶圓脈沖激光碳化硅 1.2k 0

淺析5G系統(tǒng)對蜂窩無線的功率放大器設(shè)計

盡管 5G 提升了帶寬，但其更高的頻率更容易造成信號衰減。由于更高的帶寬會導致更低的信噪比（SNR），增加帶寬并不會導致容量的線性增加。解決這一問題的一...

2022-10-17 標簽：功率放大器碳化硅 5G 1.2k 0

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碳化硅更高的開關(guān)頻率和更低的固有損耗提高了系統(tǒng)效率。在雙向板載充電器中，SiC 支持使用圖騰柱 PFC 拓撲，與基于 Si 的器件相比，該拓撲結(jié)構(gòu)非常高...

2023-05-24 標簽：充電器 PFC 碳化硅 1.2k 0

電動汽車電驅(qū)動系統(tǒng)核心技術(shù)是什么

基于第1部分，電機動力對多數(shù)用戶已經(jīng)夠用甚至過剩的前提，下圖是某電機能效Map圖，可以清楚看到，在多數(shù)日常使用轉(zhuǎn)速區(qū)間內(nèi)，電機的能效都是在90%以上的。...

2023-09-27 標簽：電機控制減速器碳化硅 1.2k 0

碳化硅MOSFET的使用方法和效率高的原因

　　碳化硅MOSFET器件是一種半導體器件，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFE...

2023-02-15 標簽：MOSFET 半導體碳化硅 1.2k 0

方正微1200V Easy2B碳化硅模塊在135kW PCS中的應(yīng)用

隨著全球能源需求不斷上升，我國“雙碳”戰(zhàn)略的逐步推進和新能源行業(yè)的快速發(fā)展，近年來光伏儲能充電系統(tǒng)(PCS-Photovoltaic Storage C...

2025-06-17 標簽：MOSFET SiC PCS 1.2k 0

為什么選擇SiC作為下一個雙向板載充電器設(shè)計呢？

硅（Si）基電力電子器件長期以來一直主導著電力電子行業(yè)，因為它們的技術(shù)成熟度和相對容易獲得。

2023-03-07 標簽：MOSFET 驅(qū)動器充電器 1.2k 0

三相全橋SiC MOSFET模塊，為車載空調(diào)壓縮機提供創(chuàng)新解決方案

1200V三相全橋碳化硅模塊。這款模塊采用緊湊型頂部散熱塑封結(jié)構(gòu)，以其高效能、高功率密度和優(yōu)秀的散熱性能，展現(xiàn)了碳化硅材料在高壓、高頻、低損耗方面的優(yōu)勢...

2024-09-18 標簽：MOSFET 壓縮機 SiC 1.2k 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當時很多半導體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當中
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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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