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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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電動化成為汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的潮流和趨勢,對高速充電的需求持續(xù)提升,而硅的溫度、頻率、功率等性能難以提高,因此具備高能效、低能耗等特征的碳化硅(SiC) 半導...
2023-11-29 標簽:新能源汽車驅(qū)動系統(tǒng)半導體材料 711 0
SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標準,具備超快速開關(guān)、零反向恢復電流...
憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,納微半導體以雙擎驅(qū)動的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進。
SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和RoHS標準。封裝...
2025-02-26 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 695 0
SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關(guān)、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正...
2025-02-25 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 694 0
在汽車和可再生能源領(lǐng)域,英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設(shè)計勝利,相關(guān)客戶的約10億歐元的預付款將有望在2024年和2025年的財政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻。英...
PCIM2025論文摘要 | 太陽能系統(tǒng)的高效率碳化硅 MOSFET 解決方案
本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布內(nèi)容摘要隨著新能源技術(shù)的不斷發(fā)展,系統(tǒng)對電力電子變流器的要求也越來越高。高效率、高可靠性和高功率密度越來越受到設(shè)計人員的...
2025-09-17 標簽:MOSFET碳化硅太陽能系統(tǒng) 685 0
SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標準,具備超快速開關(guān)、零反...
2025-02-27 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 680 0
基本半導體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹
基本半導體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎(chǔ)上...
SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標準。具有...
2025-02-26 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 678 0
中低壓產(chǎn)品性能可靠性滿足應用要求,產(chǎn)品耐壓提升到2000V及以上. 產(chǎn)品發(fā)展到第三代,采用新型柵氧、溝槽結(jié)構(gòu)、集成肖特基二極管等技術(shù).
納微半導體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實現(xiàn)最佳充電效果
碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導體材料,正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片,應用于可再生能源、儲能、 微網(wǎng)、電動汽車和工業(yè)應用等高功率、高壓應用領(lǐng)域。
SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認證,具備超快速開關(guān)、零反向...
2025-02-28 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 652 0
碳化硅MOSFET B1M160120HC在服務器電源中的應用
服務器作為網(wǎng)絡的節(jié)點存儲,處理著網(wǎng)絡上80%以上的數(shù)據(jù)和相關(guān)信息,需要24*7不間斷運行,承載著整個企業(yè)甚至全球各地的訪問任務,這主要歸功于其高性能、高...
SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和 RoHS標準。具...
2025-02-26 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 647 0
SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝。通過 AEC - Q101認證,具備超快速開關(guān)、零反...
2025-02-28 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 646 0
SiC SBD-P3D06004E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06004E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,符合 AEC - Q101 標準,采用 TO - 252 - 2封裝。具備超快速開關(guān)、零反...
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