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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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前不久,來自瑞典的研究人員就設(shè)計(jì)并測試了第一個(gè)木制晶體管。團(tuán)隊(duì)發(fā)表了一篇題為“木材電化學(xué)晶體管中的電流調(diào)制”的論文,討論了他們最近開發(fā)的木材電化學(xué)晶體管...
SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 445 0
碳化硅器件在高效可再生能源系統(tǒng)中的應(yīng)用
太陽能逆變器和ESS應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使能源網(wǎng)現(xiàn)代化,以提高彈性,滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。
SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 434 0
SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 431 0
碳化硅晶圓是晶體通過切割,粗磨,精磨,粗拋,精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性,需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結(jié)晶。因此...
氮化鎵融資方面,今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細(xì)分領(lǐng)域,相關(guān)材料企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、進(jìn)化半導(dǎo)體、鎵仁半導(dǎo)體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大,達(dá)12億人民幣,投資方...
2024-01-10 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)光伏SiC 431 0
SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)、零反向...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 431 0
國內(nèi)SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展 sic半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢
碳化硅市場產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅件研發(fā)和封裝測試四個(gè)部分,分別占市場總成本的45%15%、25%、 15%。 海外以IDM為主要...
Infineon碳化硅布局加速,晶圓廠投資引發(fā)市場疑慮
雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一,但他的作風(fēng)一向非常低調(diào)。就連Infineon的收購行動(dòng)也常常被低調(diào)處理。
SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。封...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 409 0
SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反...
2025-02-25 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 407 0
SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 395 0
SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 394 0
對碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí),需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識,幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)...
2025-06-13 標(biāo)簽:晶體管SiC功率半導(dǎo)體 394 0
SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 392 0
關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些
SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里,“魯棒性”是一個(gè)工程術(shù)語,通常用來描述一個(gè)系統(tǒng)或部件在面對不確定性、干擾或異常條件時(shí)的穩(wěn)定性或可靠性。
分立SIC器件在電驅(qū)系統(tǒng)中的應(yīng)用
更高的效率,省電池,省電費(fèi) 碳化硅控制器具有更高的能量轉(zhuǎn)換效率,在不同的應(yīng)用工況下可使能耗降低3%~6% -同樣的電池容量,增加續(xù)航里程 -同樣的...
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