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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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碳化硅設(shè)計(jì)創(chuàng)新以實(shí)現(xiàn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型
推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)發(fā)展的綠色意識(shí)和法規(guī)推動(dòng)了電池技術(shù)和基于碳化硅的設(shè)計(jì)的創(chuàng)新,以實(shí)現(xiàn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型。
2023-09-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)太陽(yáng)能電池電池充電器 554 0
【新啟航】碳化硅 TTV 厚度與表面粗糙度的協(xié)同控制方法
摘要 本文圍繞碳化硅晶圓總厚度變化(TTV)厚度與表面粗糙度的協(xié)同控制問(wèn)題,深入分析二者的相互關(guān)系及對(duì)器件性能的影響,從工藝優(yōu)化、檢測(cè)反饋等維度提出協(xié)...
在新能源汽車(chē)方面的應(yīng)用主要有主驅(qū)逆變器、車(chē)載充電器OBC、DC/DC等;在充電基礎(chǔ)設(shè)施方面的應(yīng)用主要有快速直流充電、無(wú)線充電、工業(yè)充電器等。
2024-01-04 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)逆變器斷路器 542 0
SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 536 0
碳化硅器件在高效可再生能源系統(tǒng)中的應(yīng)用
太陽(yáng)能逆變器和ESS應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使能源網(wǎng)現(xiàn)代化,以提高彈性,滿(mǎn)足全球能源需求并減少其整體碳足跡。
2023-06-13 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池逆變器碳化硅 533 0
碳化硅襯底厚度測(cè)量探頭溫漂與材料各向異性的耦合影響研究
在碳化硅襯底厚度測(cè)量中,探頭溫漂與材料各向異性均會(huì)影響測(cè)量精度,且二者相互作用形成耦合效應(yīng)。深入研究這種耦合影響,有助于揭示測(cè)量誤差根源,為優(yōu)化測(cè)量探頭...
聚氨酯研磨墊磨損狀態(tài)與晶圓 TTV 均勻性的退化機(jī)理及預(yù)警
摘要 本文圍繞半導(dǎo)體晶圓研磨工藝,深入剖析聚氨酯研磨墊磨損狀態(tài)與晶圓 TTV 均勻性的退化關(guān)系,探究其退化機(jī)理,并提出相應(yīng)的預(yù)警方法,為保障晶圓研磨質(zhì)量...
SiC和GaN市場(chǎng)未來(lái)如何發(fā)展
氮化鎵融資方面,今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細(xì)分領(lǐng)域,相關(guān)材料企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、進(jìn)化半導(dǎo)體、鎵仁半導(dǎo)體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大,達(dá)12億人民幣,投資方...
2024-01-10 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)光伏SiC 524 0
使用碳化硅 MOSFET 降低高壓開(kāi)關(guān)模式電源系統(tǒng)的損耗
作者: Art Pini 從電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和光伏 (PV) 逆變器到儲(chǔ)能和充電站,電力電子應(yīng)用的數(shù)量和多樣性持續(xù)增加。這些應(yīng)用需要更高的工作電壓、...
2025-05-25 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅開(kāi)關(guān)模式電源 516 0
碳化硅晶圓是晶體通過(guò)切割,粗磨,精磨,粗拋,精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性,需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來(lái)加工和結(jié)晶。因此...
自動(dòng)對(duì)刀技術(shù)對(duì)碳化硅襯底切割起始位置精度的提升及厚度均勻性?xún)?yōu)化
摘要:碳化硅襯底切割對(duì)起始位置精度與厚度均勻性要求極高,自動(dòng)對(duì)刀技術(shù)作為關(guān)鍵技術(shù)手段,能夠有效提升切割起始位置精度,進(jìn)而優(yōu)化厚度均勻性。本文深入探討自動(dòng)...
Infineon碳化硅布局加速,晶圓廠投資引發(fā)市場(chǎng)疑慮
雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一,但他的作風(fēng)一向非常低調(diào)。就連Infineon的收購(gòu)行動(dòng)也常常被低調(diào)處理。
梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊的制備及其對(duì)晶圓 TTV 均勻性的提升
摘要 本文聚焦半導(dǎo)體晶圓研磨工藝,介紹梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊的制備方法,深入探究其對(duì)晶圓總厚度變化(TTV)均勻性的提升作用,為提高晶圓研磨質(zhì)量提供新的技...
SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性
碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。
碳化硅襯底切割進(jìn)給量與磨粒磨損狀態(tài)的協(xié)同調(diào)控模型
摘要:碳化硅襯底切割過(guò)程中,進(jìn)給量與磨粒磨損狀態(tài)緊密關(guān)聯(lián),二者協(xié)同調(diào)控對(duì)提升切割質(zhì)量與效率至關(guān)重要。本文深入剖析兩者相互作用機(jī)制,探討協(xié)同調(diào)控模型構(gòu)建方...
國(guó)內(nèi)SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展 sic半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
碳化硅市場(chǎng)產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅件研發(fā)和封裝測(cè)試四個(gè)部分,分別占市場(chǎng)總成本的45%15%、25%、 15%。 海外以IDM為主要...
【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的各向異性干擾問(wèn)題
摘要 本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中各向異性帶來(lái)的干擾問(wèn)題展開(kāi)研究,深入分析干擾產(chǎn)生的機(jī)理,提出多種解決策略,旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)...
【新啟航】國(guó)產(chǎn) VS 進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的性?xún)r(jià)比分析
本文通過(guò)對(duì)比國(guó)產(chǎn)與進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x在性能、價(jià)格、維護(hù)成本等方面的差異,深入分析兩者的性?xún)r(jià)比,旨在為半導(dǎo)體制造企業(yè)及科研機(jī)構(gòu)選購(gòu)測(cè)量設(shè)備...
2025-08-15 標(biāo)簽:測(cè)量?jī)x半導(dǎo)體制造碳化硅 491 0
關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些
SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里,“魯棒性”是一個(gè)工程術(shù)語(yǔ),通常用來(lái)描述一個(gè)系統(tǒng)或部件在面對(duì)不確定性、干擾或異常條件時(shí)的穩(wěn)定性或可靠性。
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