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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅設(shè)計(jì)創(chuàng)新以實(shí)現(xiàn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型

碳化硅設(shè)計(jì)創(chuàng)新以實(shí)現(xiàn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型

推動(dòng)電動(dòng)汽車市場(chǎng)發(fā)展的綠色意識(shí)和法規(guī)推動(dòng)了電池技術(shù)和基于碳化硅的設(shè)計(jì)的創(chuàng)新,以實(shí)現(xiàn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型。

2023-09-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車太陽能電池電池充電器 554 0

【新啟航】碳化硅 TTV 厚度與表面粗糙度的協(xié)同控制方法

【新啟航】碳化硅 TTV 厚度與表面粗糙度的協(xié)同控制方法

摘要 本文圍繞碳化硅晶圓總厚度變化(TTV)厚度與表面粗糙度的協(xié)同控制問題,深入分析二者的相互關(guān)系及對(duì)器件性能的影響,從工藝優(yōu)化、檢測(cè)反饋等維度提出協(xié)...

2025-09-04 標(biāo)簽:晶圓器件碳化硅 553 0

這幾張關(guān)于碳化硅的圖值得研究

這幾張關(guān)于碳化硅的圖值得研究

在新能源汽車方面的應(yīng)用主要有主驅(qū)逆變器、車載充電器OBC、DC/DC等;在充電基礎(chǔ)設(shè)施方面的應(yīng)用主要有快速直流充電、無線充電、工業(yè)充電器等。

2024-01-04 標(biāo)簽:新能源汽車逆變器斷路器 541 0

SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封...

2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 535 0

碳化硅襯底厚度測(cè)量探頭溫漂與材料各向異性的耦合影響研究

碳化硅襯底厚度測(cè)量探頭溫漂與材料各向異性的耦合影響研究

在碳化硅襯底厚度測(cè)量中,探頭溫漂與材料各向異性均會(huì)影響測(cè)量精度,且二者相互作用形成耦合效應(yīng)。深入研究這種耦合影響,有助于揭示測(cè)量誤差根源,為優(yōu)化測(cè)量探頭...

2025-06-11 標(biāo)簽:測(cè)量碳化硅晶圓厚度 532 0

碳化硅器件在高效可再生能源系統(tǒng)中的應(yīng)用

碳化硅器件在高效可再生能源系統(tǒng)中的應(yīng)用

太陽能逆變器和ESS應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使能源網(wǎng)現(xiàn)代化,以提高彈性,滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。

2023-06-13 標(biāo)簽:太陽能電池逆變器碳化硅 532 0

聚氨酯研磨墊磨損狀態(tài)與晶圓 TTV 均勻性的退化機(jī)理及預(yù)警

聚氨酯研磨墊磨損狀態(tài)與晶圓 TTV 均勻性的退化機(jī)理及預(yù)警

摘要 本文圍繞半導(dǎo)體晶圓研磨工藝,深入剖析聚氨酯研磨墊磨損狀態(tài)與晶圓 TTV 均勻性的退化關(guān)系,探究其退化機(jī)理,并提出相應(yīng)的預(yù)警方法,為保障晶圓研磨質(zhì)量...

2025-08-05 標(biāo)簽:晶圓碳化硅新啟 530 0

SiC和GaN市場(chǎng)未來如何發(fā)展

SiC和GaN市場(chǎng)未來如何發(fā)展

氮化鎵融資方面,今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細(xì)分領(lǐng)域,相關(guān)材料企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、進(jìn)化半導(dǎo)體、鎵仁半導(dǎo)體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大,達(dá)12億人民幣,投資方...

2024-01-10 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)光伏SiC 524 0

關(guān)于對(duì)碳化硅誤解的描述

碳化硅晶圓是晶體通過切割,粗磨,精磨,粗拋,精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性,需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結(jié)晶。因此...

2023-09-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT硅晶圓 515 0

自動(dòng)對(duì)刀技術(shù)對(duì)碳化硅襯底切割起始位置精度的提升及厚度均勻性優(yōu)化

自動(dòng)對(duì)刀技術(shù)對(duì)碳化硅襯底切割起始位置精度的提升及厚度均勻性優(yōu)化

摘要:碳化硅襯底切割對(duì)起始位置精度與厚度均勻性要求極高,自動(dòng)對(duì)刀技術(shù)作為關(guān)鍵技術(shù)手段,能夠有效提升切割起始位置精度,進(jìn)而優(yōu)化厚度均勻性。本文深入探討自動(dòng)...

2025-06-26 標(biāo)簽:碳化硅晶圓厚度TTV厚度 514 0

使用碳化硅 MOSFET 降低高壓開關(guān)模式電源系統(tǒng)的損耗

使用碳化硅 MOSFET 降低高壓開關(guān)模式電源系統(tǒng)的損耗

作者: Art Pini 從電動(dòng)汽車 (EV) 和光伏 (PV) 逆變器到儲(chǔ)能和充電站,電力電子應(yīng)用的數(shù)量和多樣性持續(xù)增加。這些應(yīng)用需要更高的工作電壓、...

2025-05-25 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅開關(guān)模式電源 513 0

Infineon碳化硅布局加速,晶圓廠投資引發(fā)市場(chǎng)疑慮

Infineon碳化硅布局加速,晶圓廠投資引發(fā)市場(chǎng)疑慮

雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一,但他的作風(fēng)一向非常低調(diào)。就連Infineon的收購(gòu)行動(dòng)也常常被低調(diào)處理。

2024-03-14 標(biāo)簽:SiCInfineon碳化硅 512 0

梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊的制備及其對(duì)晶圓 TTV 均勻性的提升

梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊的制備及其對(duì)晶圓 TTV 均勻性的提升

摘要 本文聚焦半導(dǎo)體晶圓研磨工藝,介紹梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊的制備方法,深入探究其對(duì)晶圓總厚度變化(TTV)均勻性的提升作用,為提高晶圓研磨質(zhì)量提供新的技...

2025-08-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓碳化硅 511 0

碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體,用于制造電動(dòng)汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。

2023-10-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器IGBT 509 0

SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。

2023-05-18 標(biāo)簽:電阻MOSFET晶體管 507 0

碳化硅襯底切割進(jìn)給量與磨粒磨損狀態(tài)的協(xié)同調(diào)控模型

碳化硅襯底切割進(jìn)給量與磨粒磨損狀態(tài)的協(xié)同調(diào)控模型

摘要:碳化硅襯底切割過程中,進(jìn)給量與磨粒磨損狀態(tài)緊密關(guān)聯(lián),二者協(xié)同調(diào)控對(duì)提升切割質(zhì)量與效率至關(guān)重要。本文深入剖析兩者相互作用機(jī)制,探討協(xié)同調(diào)控模型構(gòu)建方...

2025-06-25 標(biāo)簽:碳化硅晶圓厚度TTV 495 0

國(guó)內(nèi)SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展 sic半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

碳化硅市場(chǎng)產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅件研發(fā)和封裝測(cè)試四個(gè)部分,分別占市場(chǎng)總成本的45%15%、25%、 15%。 海外以IDM為主要...

2022-12-28 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 493 0

【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的各向異性干擾問題

【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的各向異性干擾問題

摘要 本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中各向異性帶來的干擾問題展開研究,深入分析干擾產(chǎn)生的機(jī)理,提出多種解決策略,旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)...

2025-08-08 標(biāo)簽:晶圓碳化硅新啟 493 0

關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些

SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里,“魯棒性”是一個(gè)工程術(shù)語,通常用來描述一個(gè)系統(tǒng)或部件在面對(duì)不確定性、干擾或異常條件時(shí)的穩(wěn)定性或可靠性。

2023-09-21 標(biāo)簽:IGBTSiC氮化鎵 487 0

【新啟航】國(guó)產(chǎn) VS 進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的性價(jià)比分析

【新啟航】國(guó)產(chǎn) VS 進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的性價(jià)比分析

本文通過對(duì)比國(guó)產(chǎn)與進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x在性能、價(jià)格、維護(hù)成本等方面的差異,深入分析兩者的性價(jià)比,旨在為半導(dǎo)體制造企業(yè)及科研機(jī)構(gòu)選購(gòu)測(cè)量設(shè)備...

2025-08-15 標(biāo)簽:測(cè)量?jī)x半導(dǎo)體制造碳化硅 487 0

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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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