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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用有哪些？

年來碳化硅材料應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)有了長足的發(fā)展，碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點

2023-05-05 標(biāo)簽：MOSFET PFC 肖特基二極管 367 0

SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封...

2025-02-27 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 357 0

2 kV SiC功率模塊：推動1500 V系統(tǒng)的革命

由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級價值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓...

2025-03-14 標(biāo)簽：SiC 功率模塊碳化硅 351 0

TSSG生產(chǎn)碳化硅的優(yōu)勢

微管是SiC晶體中極為有害的缺陷，哪怕數(shù)量極少，也會對SiC器件的性能產(chǎn)生毀滅性打擊。在傳統(tǒng)物理氣相傳輸法（PVT）生長SiC單晶時，微管極易形成，并且...

2025-04-24 標(biāo)簽：晶體 SiC 碳化硅 347 0

如何采用碳化硅設(shè)計高效可再生能源系統(tǒng)呢？

太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在促使能源網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)現(xiàn)代化，以提高其韌性，滿足全球能源需求并減少總體碳排放量。

2023-09-11 標(biāo)簽：二極管 MOSFET PCB布局 346 0

如何搭配碳化硅電源管理解決方案

綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天和國防應(yīng)用，尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動各種車...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC 飛機碳化硅 339 0

中國SiC碳化硅器件行業(yè)技術(shù)情況研究報告

公司在IGBT的技術(shù)基礎(chǔ)上不斷發(fā)展以SiC和主的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件關(guān)鍵技術(shù)。斯達作為國內(nèi)車規(guī)級SiC模塊的重要供應(yīng)商，車規(guī)級SiC模塊已獲得了國內(nèi)外多...

2023-02-17 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 330 0

基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

亞非拉市場工商業(yè)儲能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新傾佳電子楊茜致力于推動...

2025-06-08 標(biāo)簽：SiC PCS 碳化硅 314 0

碳化硅襯底厚度測量探頭溫漂與材料各向異性的耦合影響研究

在碳化硅襯底厚度測量中，探頭溫漂與材料各向異性均會影響測量精度，且二者相互作用形成耦合效應(yīng)。深入研究這種耦合影響，有助于揭示測量誤差根源，為優(yōu)化測量探頭...

2025-06-11 標(biāo)簽：測量碳化硅晶圓厚度 302 0

真正實現(xiàn)碳化硅的汽車資質(zhì)

車載充電器（OBC）、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器都受益于 SiC，正在進行的工藝和架構(gòu)改進肯定會增加其已經(jīng)相當(dāng)可觀的吸引力。這種增強將擴大這種寬帶...

2023-02-21 標(biāo)簽：電動汽車 MOSFET 碳化硅 291 0

高效可再生能源系統(tǒng)的碳化硅設(shè)計方案

SiC MOSFET和散熱器之間的適當(dāng)爬電距離至關(guān)重要。在太陽能應(yīng)用中，散熱器很大，并且通過機械固定在機箱上，因此水平安裝往往很常見，在這種情況下，隔離...

2023-11-01 標(biāo)簽：太陽能逆變器 SiC 288 0

蘋果派和電源轉(zhuǎn)換器效率

以“母性和蘋果派”的陳述開始博客總是很誘人的，比如更好的功率轉(zhuǎn)換效率的好處列表。更高顯然是一個優(yōu)勢，但有時凈收益被錯誤地陳述了——家用電子產(chǎn)品的一點熱量...

2023-02-20 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管碳化硅 281 0

碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀器的選型指南與應(yīng)用場景分析

引言碳化硅襯底 TTV（總厚度變化）厚度是衡量其質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響半導(dǎo)體器件性能。合理選擇測量儀器對準(zhǔn)確獲取 TTV 數(shù)據(jù)至關(guān)重要，不同應(yīng)用場...

2025-06-03 標(biāo)簽：測量儀器碳化硅晶圓厚度 244 0

聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

第二項關(guān)鍵測試是短路耐受時間 (SCWT)，或者說軌到軌短路條件下設(shè)備發(fā)生故障前的最長耐受時間。測試結(jié)果應(yīng)接近功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的IGBT，其中大多數(shù)擁...

2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動器碳化硅 243 0

切割進給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

引言在碳化硅襯底加工過程中，切割進給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系，并進行工藝優(yōu)化，對提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制...

2025-06-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅晶圓厚度 224 0

使用碳化硅 MOSFET 降低高壓開關(guān)模式電源系統(tǒng)的損耗

作者： Art Pini 從電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 逆變器到儲能和充電站，電力電子應(yīng)用的數(shù)量和多樣性持續(xù)增加。這些應(yīng)用需要更高的工作電壓、...

2025-05-25 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅開關(guān)模式電源 220 0

碳化硅襯底高溫加工場景下測量探頭溫漂的動態(tài)修正方法

引言碳化硅襯底高溫加工過程中，溫度的劇烈變化會引發(fā)測量探頭溫漂，嚴(yán)重影響襯底厚度等參數(shù)的測量精度，進而干擾加工工藝的精準(zhǔn)控制。探尋有效的動態(tài)修正方法，...

2025-06-06 標(biāo)簽：測量碳化硅晶圓厚度 214 0

基于進給量梯度調(diào)節(jié)的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術(shù)

碳化硅襯底切割過程中，厚度不均勻問題嚴(yán)重影響其后續(xù)應(yīng)用性能。傳統(tǒng)固定進給量切割方式難以適應(yīng)材料特性與切割工況變化，基于進給量梯度調(diào)節(jié)的方法為提升切割厚度...

2025-06-13 標(biāo)簽：碳化硅晶圓厚度 TTV厚度 205 0

碳化硅襯底切割進給量與磨粒磨損狀態(tài)的協(xié)同調(diào)控模型

摘要：碳化硅襯底切割過程中，進給量與磨粒磨損狀態(tài)緊密關(guān)聯(lián)，二者協(xié)同調(diào)控對提升切割質(zhì)量與效率至關(guān)重要。本文深入剖析兩者相互作用機制，探討協(xié)同調(diào)控模型構(gòu)建方...

2025-06-25 標(biāo)簽：碳化硅晶圓厚度 TTV 193 0

自動對刀技術(shù)對碳化硅襯底切割起始位置精度的提升及厚度均勻性優(yōu)化

摘要：碳化硅襯底切割對起始位置精度與厚度均勻性要求極高，自動對刀技術(shù)作為關(guān)鍵技術(shù)手段，能夠有效提升切割起始位置精度，進而優(yōu)化厚度均勻性。本文深入探討自動...

2025-06-26 標(biāo)簽：碳化硅晶圓厚度 TTV厚度 174 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點推動的項目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機視覺算法運行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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PFM

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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。

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碳化硅

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