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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS 標準。封...
2025-02-27 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 643 0
基本半導(dǎo)體BGH75N120HF1在高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢
混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT(硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二...
2023-05-18 標簽:電源轉(zhuǎn)換器分立器件碳化硅 641 0
基于機器視覺的碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)設(shè)計與厚度均勻性控制
一、引言 碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,以其卓越的物理化學性能,在新能源汽車、軌道交通、5G 通信等關(guān)鍵領(lǐng)域展現(xiàn)出不可替代的作用。然而,...
聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案
碳化硅 (SiC) 技術(shù)能在大幅提高當前電力系統(tǒng)效率的同時降低其尺寸、重量和成本,因此市場需求不斷攀升。但是SiC 解決方案并不是硅基解決方案的直接替代...
SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標準,具備超快速開關(guān)、零反...
2025-02-25 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 619 0
2 kV SiC功率模塊:推動1500 V系統(tǒng)的革命
由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級價值方面的顯著提升,具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓...
Wolfspeed碳化硅MOSFET滿足高功率應(yīng)用的需要
碳化硅(SiC)技術(shù)帶來了無限的新機會。只要存在對高可靠性功率系統(tǒng)的需求,碳化硅 MOSFET 就能在許多行業(yè)中的許多不同應(yīng)用(包括必須在惡劣環(huán)境中工作...
SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和RoHS標準。封裝...
2025-02-26 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 608 0
在過去幾年中,半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)了新一代高功率開關(guān),并開始商業(yè)化。使用基于碳化硅(SiC)的器件有望顯著降低開關(guān)損耗,并允許比目前使用純硅(Si)器件更高的...
SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和 RoHS標準。...
2025-02-26 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 597 0
太陽能光伏系統(tǒng):為了提高轉(zhuǎn)換效率和降低系統(tǒng)成本,太陽能光伏系統(tǒng)的輸入電壓也在增加,從600V增加到1,500V。
2023-09-19 標簽:MOSFET光伏系統(tǒng)半導(dǎo)體器件 591 0
SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標準。具備...
2025-02-27 標簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 585 0
用于高效、緊湊、可靠系統(tǒng)的轉(zhuǎn)向SiC MOSFET
車輪之于駕駛員,Sic MOSFET 之于工程師和設(shè)計師。當駕駛員掌握了車輛的車輪時,移動和導(dǎo)航地形變得容易。這適用于晶體管的處理,晶體管是工程師和設(shè)計...
摘要 本文針對激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中存在的精度問題,深入分析影響測量精度的因素,從設(shè)備優(yōu)化、環(huán)境控制、數(shù)據(jù)處理等多個維度提出精度提升...
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