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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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芯干線SiC功率模塊的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
碳化硅(SiC)的禁帶寬度約為3.3eV,顯著大于硅(Si)的1.1eV。禁帶寬度大的材料,需更多能量才能將電子從價(jià)帶激發(fā)至導(dǎo)帶,這使得 SiC 能在更...
碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用有哪些?
年來碳化硅材料應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)有了長(zhǎng)足的發(fā)展,碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點(diǎn)
半導(dǎo)體碳化硅SiC制造工藝CMP后晶圓表面粗糙度檢測(cè)
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅(SiC)因其卓越的電導(dǎo)性、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性而成為制作高功率和高頻電子器件的理想材料。然而,為了實(shí)現(xiàn)這些器件的高性能,必須對(duì)...
如何采用碳化硅設(shè)計(jì)高效可再生能源系統(tǒng)呢?
太陽能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在促使能源網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代化,以提高其韌性,滿足全球能源需求并減少總體碳排放量。
綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國(guó)防應(yīng)用,尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅(SiC)是引領(lǐng)這一趨勢(shì)的核心技術(shù),可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車...
分立SIC器件在電驅(qū)系統(tǒng)中的應(yīng)用
更高的效率,省電池,省電費(fèi) 碳化硅控制器具有更高的能量轉(zhuǎn)換效率,在不同的應(yīng)用工況下可使能耗降低3%~6% -同樣的電池容量,增加續(xù)航里程 -同樣的...
【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量設(shè)備的日常維護(hù)與故障排查
摘要 本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量設(shè)備,詳細(xì)探討其日常維護(hù)要點(diǎn)與故障排查方法,旨在通過科學(xué)的維護(hù)管理和高效的故障處理,保障測(cè)量設(shè)備的穩(wěn)定性與測(cè)量...
2025-08-11 標(biāo)簽:測(cè)量設(shè)備碳化硅 419 0
基于多物理場(chǎng)耦合的晶圓切割振動(dòng)控制與厚度均勻性提升
一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓切割是關(guān)鍵環(huán)節(jié),其質(zhì)量直接影響芯片性能與成品率。晶圓切割過程中,熱場(chǎng)、力場(chǎng)、流場(chǎng)等多物理場(chǎng)相互耦合,引發(fā)切割振動(dòng),嚴(yán)重...
切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化
引言 在碳化硅襯底加工過程中,切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系,并進(jìn)行工藝優(yōu)化,對(duì)提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制...
碳化硅襯底高溫加工場(chǎng)景下測(cè)量探頭溫漂的動(dòng)態(tài)修正方法
引言 碳化硅襯底高溫加工過程中,溫度的劇烈變化會(huì)引發(fā)測(cè)量探頭溫漂,嚴(yán)重影響襯底厚度等參數(shù)的測(cè)量精度,進(jìn)而干擾加工工藝的精準(zhǔn)控制。探尋有效的動(dòng)態(tài)修正方法,...
面對(duì)電力電子應(yīng)用與日俱增的需求,高電壓系統(tǒng)研發(fā)工程師正更多地轉(zhuǎn)向采用碳化硅 (SiC) 方案,借助其固有的溫度特性和開關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。工程師們常常面臨多方面...
【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測(cè)量的特殊采樣策略
摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測(cè)量需求,分析常規(guī)采樣策略的局限性,從不均勻性特征分析、采樣點(diǎn)布局優(yōu)化、采樣頻率確定等方面提出特殊采樣策略...
碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工藝中的反饋控制機(jī)制研究
一、引言 化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝是實(shí)現(xiàn)碳化硅(SiC)襯底全局平坦化的關(guān)鍵技術(shù),對(duì)提升襯底質(zhì)量、保障后續(xù)器件性能至關(guān)重要??偤穸绕睿═TV)作為衡...
【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的操作規(guī)范與技巧
摘要 本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧,通過規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn),旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率,為半導(dǎo)體制造...
2025-08-20 標(biāo)簽:晶圓測(cè)量?jī)x碳化硅 392 0
如何利用 AI 算法優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)處理
摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)處理環(huán)節(jié),針對(duì)傳統(tǒng)方法的局限性,探討 AI 算法在數(shù)據(jù)降噪、誤差校正、特征提取等方面的應(yīng)用,為提升數(shù)據(jù)處理...
【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長(zhǎng)工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究
一、引言 碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚...
2025-09-18 標(biāo)簽:碳化硅外延片功率半導(dǎo)體器件 390 0
基于進(jìn)給量梯度調(diào)節(jié)的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術(shù)
碳化硅襯底切割過程中,厚度不均勻問題嚴(yán)重影響其后續(xù)應(yīng)用性能。傳統(tǒng)固定進(jìn)給量切割方式難以適應(yīng)材料特性與切割工況變化,基于進(jìn)給量梯度調(diào)節(jié)的方法為提升切割厚度...
高效可再生能源系統(tǒng)的碳化硅設(shè)計(jì)方案
SiC MOSFET和散熱器之間的適當(dāng)爬電距離至關(guān)重要。在太陽能應(yīng)用中,散熱器很大,并且通過機(jī)械固定在機(jī)箱上,因此水平安裝往往很常見,在這種情況下,隔離...
中國(guó)SiC碳化硅器件行業(yè)技術(shù)情況研究報(bào)告
公司在IGBT的技術(shù)基礎(chǔ)上不斷發(fā)展以SiC和主的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件關(guān)鍵技術(shù)。斯達(dá)作為國(guó)內(nèi)車規(guī)級(jí)SiC模塊的重要供應(yīng)商,車規(guī)級(jí)SiC模塊已獲得了國(guó)內(nèi)外多...
基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應(yīng)力釋放技術(shù)
一、引言 在半導(dǎo)體制造中,晶圓總厚度變化(TTV)均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵因素,而切割過程產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致晶圓變形,進(jìn)一步惡化 TTV 均勻性...
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