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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術

基于無芯變壓器技術的柵極驅動器

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2021-04-12 標簽：變壓器 MOSFET 碳化硅 2.8k 0

車載充電機在新能源汽車拆解應用分析

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2023-09-21 標簽：英飛凌功率半導體碳化硅 2.8k 0

GeneSiC的起源和碳化硅的未來

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2023-10-25 標簽：二極管驅動器功率器件 2.8k 0

SiC外延片制備技術解析

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2023-08-15 標簽：晶圓功率器件 SiC 2.8k 0

在半導體行業(yè)中碳化硅有哪些應用呢？

碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了

2023-02-07 標簽：半導體 SiC 碳化硅 2.8k 0

下一代功率器件關鍵技術：碳化硅

這些優(yōu)勢有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化、低噪化，可廣泛應用于空調、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調節(jié)器、電動汽車的快速充...

2023-02-13 標簽：大功率整流橋碳化硅 2.8k 0

如何在中試線上生產一片8英寸碳化硅襯底？

從實際情況上看，目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進行生產，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會在很大程度上降...

2023-06-20 標簽：半導體晶圓 SiC 2.8k 0

碳化硅晶片的磨拋工藝詳解

SIC晶體具有與GaN材料高匹配的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)良的熱導率，是GaN基的理想襯底材料，如LED,LD。因此，SiC襯底加工技術是器件制作的重...

2023-05-05 標簽：金剛石碳化硅 2.7k 0

在當今全球汽車工業(yè)駛向電動化的滾滾浪潮中，一項關鍵技術正以其顛覆性的性能改變著電動汽車整體市場競爭力的新格局，它便是基于碳化硅（SiC）材料打造的主驅逆變器。

2024-03-13 標簽：新能源汽車 MOSFET 逆變器 2.7k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應用領域及發(fā)展趨勢

隨著電力電子技術的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為新一代半導體材料，正在引發(fā)一場革命。與傳統(tǒng)的硅（Si）器件相比，碳化硅器件具有更高的耐壓、更低的...

2024-01-11 標簽：半導體功率器件碳化硅 2.7k 0

SiC MOSFET的設計和制造

首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。

2023-08-06 標簽：芯片 MOSFET 晶圓 2.7k 0

碳化硅功率器件及應用

碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導體材料。作...

2023-05-10 標簽：半導體功率器件 SiC 2.7k 0

SiC動態(tài)表征和測量方法

碳化硅（SiC）技術為電源、電動汽車和充電、大功率工業(yè)設備、太陽能應用和數(shù)據(jù)中心等多個行業(yè)顯著提高了功率傳輸和管理性能。

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碳化硅相對于硅的特性和優(yōu)勢有哪些

未來幾年將看到電子設備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產品和半導體滲透到新的行業(yè)和產品，設計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

2023-04-11 標簽：MOSFET 電感器 IGBT 2.7k 0

碳化硅在下一代工業(yè)電機驅動器中的作用

使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同類產品。雖然有各種重要的機會使用這項技術，但工業(yè)電機驅動正獲得最大的興趣和關注。

2021-07-04 標簽：SiC 電機驅動器碳化硅 2.7k 0

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傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經(jīng)被推到了極限。1,2基于寬帶隙器件的系統(tǒng)（即碳化硅）已經(jīng)超越了效率、密度和工作溫度方面的限制。3阻斷電壓與導通電阻之比是由...

2022-08-04 標簽：MOSFET 功率模塊碳化硅 2.7k 0

碳化硅器件的基本特性都有哪些？

碳化硅（SiliconCarbide,SiC）器件作為第三代半導體材料的重要代表，近年來在電子器件領域中備受關注。

2024-05-27 標簽：集成電路半導體 SiC 2.6k 0

高性能SiC JFET SJEP120R100A的操作和性能

本文分析了 JFET SJEP120R100A 的操作和性能。這種 SiC JFET 適用于任何需要高功率和快速開關速度的應用。然而，它特別適合用于音頻...

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碳化硅在堿性溶液中的陽極刻蝕

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2022-01-10 標簽：半導體 SiC 碳化硅 2.6k 0

為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位

各位小伙伴，不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位？為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位？》后反響熱烈，很多朋友留言詢問課件...

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