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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。
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汽車碳化硅技術(shù)的性能和優(yōu)缺點(diǎn)
汽車碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制造出的汽車零部件，它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅材料是由碳原子和硅原子組成的復(fù)合材料，具有良好...
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性...
2023-03-30 標(biāo)簽：IGBT特斯拉半導(dǎo)體器件 2348 0
引言 人們對(duì)用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，可以作為第三族氮化物外延生長(zhǎng)的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域，例...
SiC電力電子器件中，SiC二極管最先實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。2001年德國(guó)Infineon公司率先推出SiC二極管產(chǎn)品，美國(guó)Cree和意法半導(dǎo)體等廠商也緊隨其后推...
2016-08-22 標(biāo)簽：碳化硅 2336 0
SIC晶體具有與GaN材料高匹配的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)良的熱導(dǎo)率，是GaN基的理想襯底材料，如LED,LD。因此，SiC襯底加工技術(shù)是器件制作的重...
硅是半導(dǎo)體的傳統(tǒng)材料，但其近親碳化硅（SiC）最近已成為激烈的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。碳化硅的特性特別適合高溫、高壓應(yīng)用。它提供了更高的效率，并擴(kuò)展了功率密度和工...
SiC，也稱為碳化硅，是硅和碳化物在晶體結(jié)構(gòu)中的組合，大約有250種不同的晶體形式可以找到SiC。碳化硅可以采取許多不同的形式：?jiǎn)蝹€(gè)SiC晶?？梢詿Y(jié)在...
碳化硅（SiC）相較于硅（Si）有哪些優(yōu)勢(shì)！
硅碳化物(SiC)技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了臨界點(diǎn)，即無(wú)可否認(rèn)的優(yōu)勢(shì)推動(dòng)一項(xiàng)技術(shù)快速被采用的狀態(tài)。
碳化硅（SiC）技術(shù)為電源、電動(dòng)汽車和充電、大功率工業(yè)設(shè)備、太陽(yáng)能應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心等多個(gè)行業(yè)顯著提高了功率傳輸和管理性能。
鋁碳化硅磚是一種由鋁、碳和硅組成的復(fù)合材料，具有良好的熱導(dǎo)率、電絕緣性和耐磨性?？梢杂糜陔娏﹄娮釉O(shè)備、汽車電子設(shè)備、通信電子設(shè)備、家用電子設(shè)備和醫(yī)療...
對(duì)于多數(shù)電動(dòng)汽車用戶來(lái)說(shuō)，在家或是在公司進(jìn)行目的地充電應(yīng)該是更常用，也是更理想的方式，這樣可以免去頻繁跑直流充電站的煩惱。而車載充電機(jī) OBC(On-b...
碳化硅是一種結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的碳和硅的化合物，它是由碳原子和硅原子組成的類似金剛石的結(jié)構(gòu)。碳化硅具有優(yōu)異的電學(xué)性能，具有高熱穩(wěn)定性、高絕緣性、高耐磨性、高抗...
碳化硅規(guī)模化應(yīng)用的技術(shù)難點(diǎn)
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)等環(huán)節(jié)。上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造，下游是終端應(yīng)用。
探訪三亞FE現(xiàn)場(chǎng)，揭秘文圖瑞車隊(duì)精彩逆變
歷經(jīng)Formula E三季的磨礪，羅姆SiC功率元器件與文圖瑞車隊(duì)一同走過(guò)了怎樣的歷程？在香港站文圖瑞車隊(duì)勇奪冠軍，這背后離不開(kāi)技術(shù)人員的默默付出。
國(guó)內(nèi)外碳化硅裝備發(fā)展?fàn)顩r SiC產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)及關(guān)鍵裝備
SiC器件產(chǎn)業(yè)鏈與傳統(tǒng)半導(dǎo)體類似，一般分為單晶襯底、外延、芯片、封裝、模組及應(yīng)用環(huán)節(jié)，SiC單晶襯底環(huán)節(jié)通常涉及到高純碳化硅粉體制備、單晶生長(zhǎng)、晶體切割...
2023-04-25 標(biāo)簽：ASIC芯片碳化硅第三代半導(dǎo)體 2282 0
氮化鎵晶體管型號(hào)參數(shù)主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數(shù)、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。
首先，是一張制造測(cè)試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
碳化硅（SiliconCarbide,SiC）器件作為第三代半導(dǎo)體材料的重要代表，近年來(lái)在電子器件領(lǐng)域中備受關(guān)注。
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通...
碳化硅（SiC）功率器件核心優(yōu)勢(shì)及技術(shù)挑戰(zhàn)
SiC器件的核心優(yōu)勢(shì)在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來(lái)說(shuō)，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導(dǎo)率是硅的...
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