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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅MOSFET在汽車動力逆變器中的優(yōu)勢有哪些呢?

新型電子研發(fā)組件在不斷發(fā)展,也隨之而來的是取得的成果。公司不斷嘗試開發(fā)越來越多的性能設(shè)備,特點(diǎn)是更高的效率和更好的電氣特性。

2023-04-01 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET逆變器 3k 0

碳化硅技術(shù)在電源逆變器上的應(yīng)用!

碳化硅(SiC)是化合物半導(dǎo)體材料之一,具有獨(dú)特的材料性能。例如,它具有高電擊穿強(qiáng)度(硅的十倍)和導(dǎo)熱性(硅的三倍)。這些特性吸引了研究人員和工程師的更...

2022-11-17 標(biāo)簽:SiC電源逆變器碳化硅 3k 0

小編科普一下碳化硅的理化性質(zhì)

碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅為應(yīng)用最廣泛、...

2023-02-12 標(biāo)簽:SiC碳化硅電熱元件 3k 0

什么是800V高壓架構(gòu)?800V高壓架構(gòu)的多種方案

越來越多的車企向800V高壓平臺進(jìn)軍。那么800V高壓僅僅是指快充系統(tǒng)么?它到底為何能成為車企技術(shù)中的“香餑餑”?400V和800V的電動車在用車體驗(yàn)上...

2024-01-06 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 3k 0

碳化硅MOSFET對比硅IGBT的優(yōu)勢

碳化硅MOSFET對比硅IGBT的優(yōu)勢

  開關(guān)器件在運(yùn)行過程中存在短路風(fēng)險,配置合適的短路保護(hù)電路,可以有效減少開關(guān)器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短...

2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT開關(guān)器件 3k 0

鋁碳化硅復(fù)合材料時候什么 生產(chǎn)制備方法

  鋁碳化硅復(fù)合材料是一種由鋁、碳和硅組成的復(fù)合材料,具有良好的力學(xué)性能、耐腐蝕性和耐熱性,可用于制造航空航天、汽車、電子、化工等行業(yè)的零部件。

2023-02-16 標(biāo)簽:控制器交換器碳化硅 3k 0

碳化硅與氮化鎵哪種材料更好

引言 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導(dǎo)體材料。它們具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高擊穿場強(qiáng)等優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),被廣泛...

2024-09-02 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料氮化鎵 3k 0

碳化硅如何能夠提升開關(guān)電源設(shè)計

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一個關(guān)鍵的比較參數(shù)是導(dǎo)通電阻RDS(on)。硅MOSFET表面的參數(shù)看起來比SiC更好,但由于其較低的倍增系數(shù)(κ),在100℃時,一個84mΩ的Coo...

2021-04-14 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源碳化硅 3k 0

關(guān)于碳化硅你了解多少

關(guān)于碳化硅你了解多少

碳和硅的原子序數(shù)分別為6和14,在元素周期表中處于碳族元素的第二和第三周期,即上下相鄰的位置。這種位置關(guān)系,表明它們在某些方面具有類似的性質(zhì)。

2023-02-02 標(biāo)簽:SiC金剛石碳化硅 2.9k 0

基本半導(dǎo)體之碳化硅MOSFET和充電樁詳解

交流充電樁:本質(zhì)是一個帶控制的插座,主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、 交流接觸器、充電槍線等結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)較為簡單,需要車載充電機(jī)自己進(jìn)行變壓...

2023-02-07 標(biāo)簽:MOSFET充電樁碳化硅 2.9k 0

如何實(shí)現(xiàn)一種7.5kW電動汽車碳化硅逆變器的設(shè)計呢?

如何實(shí)現(xiàn)一種7.5kW電動汽車碳化硅逆變器的設(shè)計呢?

第三代功率半導(dǎo)體碳化硅SiC具有高耐壓等級、開關(guān)速度快以及耐高溫的特點(diǎn),能顯著提高電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)的效率、功率密度和可靠性。

2023-12-28 標(biāo)簽:電動汽車逆變器散熱器 2.9k 0

高效氮化鎵電源設(shè)計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計中實(shí)現(xiàn)高效率

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氮化鎵 (GaN) 可提高能效,減少 AC/DC 電源損耗,進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如,借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC),...

2023-08-01 標(biāo)簽:電源整流器德州儀器 2.9k 0

碳化硅器件介紹與仿真

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本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。

2023-11-27 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體仿真 2.9k 0

芯片研發(fā)環(huán)節(jié)的可靠性測試

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碳化硅作為第三代半導(dǎo)體經(jīng)典的應(yīng)用,具有眾多自身優(yōu)勢和技術(shù)優(yōu)勢,它所制成的功率器件在生活中運(yùn)用十分廣泛,越來越無法離開,因此使用碳化硅產(chǎn)品的穩(wěn)定性在一定程...

2023-08-18 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體可靠性測試 2.9k 0

SiC和Si的應(yīng)用 各種SiC功率器件的特性

碳化硅(SiC)器件是一種新興的技術(shù),具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙,允許更高的電壓阻斷,并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外,...

2023-04-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電源逆變器碳化硅 2.9k 0

SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型

SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型

碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù),人們對降低能耗和在高開關(guān)頻率應(yīng)用下運(yùn)行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度,使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFETJFET功率器件 2.9k 0

意法半導(dǎo)體SiC MOSFET的路線圖

顯然特斯拉用的是意法半導(dǎo)體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,第四代產(chǎn)品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向,但意法半導(dǎo)體要到2025年才開始推出。

2023-03-14 標(biāo)簽:MOSFET特斯拉SiC 2.9k 0

半導(dǎo)體襯底材料的選擇

電子科技領(lǐng)域中,半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料,承載著整個電路的運(yùn)行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,對半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來越高。本文將為您詳細(xì)介紹半導(dǎo)體襯...

2024-01-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體襯底碳化硅 2.9k 0

一文詳解雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響

一文詳解雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響

IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

2024-03-08 標(biāo)簽:IGBT功率模塊碳化硅 2.9k 0

使用稀釋的HCN水溶液的碳化硅清洗方法

使用稀釋的HCN水溶液的碳化硅清洗方法

金屬污染物,如碳化硅表面的銅,不能通過使用傳統(tǒng)的RCA清洗方法完全去除。RCA清洗后,在碳化硅表面沒有形成化學(xué)氧化物,這種化學(xué)穩(wěn)定性歸因于RCA方法對金...

2022-09-08 標(biāo)簽:清洗RCA碳化硅 2.9k 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力,將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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    TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè),我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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