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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

使用稀釋的HCN水溶液的碳化硅清洗方法

金屬污染物，如碳化硅表面的銅，不能通過使用傳統(tǒng)的RCA清洗方法完全去除。RCA清洗后，在碳化硅表面沒有形成化學(xué)氧化物，這種化學(xué)穩(wěn)定性歸因于RCA方法對金...

2022-09-08 標簽：清洗 RCA 碳化硅 2540 0

碳化硅器件介紹與仿真

本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習了解。

2023-11-27 標簽：二極管半導(dǎo)體仿真 2540 0

碳化硅在下一代工業(yè)電機驅(qū)動器中的作用

使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同類產(chǎn)品。雖然有各種重要的機會使用這項技術(shù)，但工業(yè)電機驅(qū)動正獲得最大的興趣和關(guān)注。

2021-07-04 標簽：SiC 電機驅(qū)動器碳化硅 2529 0

下一代功率器件關(guān)鍵技術(shù)：碳化硅

這些優(yōu)勢有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化、低噪化，可廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動汽車的快速充...

2023-02-13 標簽：大功率整流橋碳化硅 2526 0

如何實現(xiàn)一種7.5kW電動汽車碳化硅逆變器的設(shè)計呢？

第三代功率半導(dǎo)體碳化硅SiC具有高耐壓等級、開關(guān)速度快以及耐高溫的特點，能顯著提高電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)的效率、功率密度和可靠性。

2023-12-28 標簽：電動汽車逆變器散熱器 2516 0

SiC二極管概述和技術(shù)參數(shù)

SiC二極管，全稱SiC碳化硅勢壘二極管，也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一種，屬于第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)...

2024-09-10 標簽：二極管 SiC 碳化硅 2492 0

碳化硅相對于硅的特性和優(yōu)勢有哪些

未來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品，設(shè)計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

2023-04-11 標簽：MOSFET 電感器 IGBT 2491 0

碳化硅功率模塊的建模和驗證

傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經(jīng)被推到了極限。1,2基于寬帶隙器件的系統(tǒng)（即碳化硅）已經(jīng)超越了效率、密度和工作溫度方面的限制。3阻斷電壓與導(dǎo)通電阻之比是由...

2022-08-04 標簽：MOSFET 功率模塊碳化硅 2475 0

碳化硅晶片為什么存在C面和Si面

SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本結(jié)構(gòu)單元為 Si-C 四面體。

2024-01-18 標簽：半導(dǎo)體 SiC 晶片 2457 0

安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關(guān)。

2024-03-26 標簽：電動汽車 MOSFET 安森美 2444 0

面向汽車應(yīng)用的下一代高壓離散電源產(chǎn)品

電動汽車的激增將功率半導(dǎo)體性能的邊界推向了新的高度。傳統(tǒng)上，硅功率器件已用于控制汽車中的各種功率電子系統(tǒng)，例如用于主逆變器電機，泵，HVAC壓縮機，制動...

2021-05-18 標簽：電動汽車二極管 IGBT 2442 0

功率轉(zhuǎn)換器和逆變器的半橋配置測量方案

用于功率轉(zhuǎn)換器和逆變器的半橋配置中的硬切換是用于有效功率轉(zhuǎn)換的常用技術(shù)，特別是在較高功率水平下。隨著碳化硅（SiC）技術(shù)使開關(guān)速度提高，電源兩端短路導(dǎo)致...

2020-12-13 標簽：變壓器示波器觸發(fā)器 2435 0

確保SiC驗證測試準確度，有效測量碳化硅功率電子系統(tǒng)中的信號

在功率電子系統(tǒng)中，差分探頭和參考地電平探頭是兩種常用的電壓測量方法。差分探頭是一種流行的選擇，因為它可以毫無問題地添加到電路的任意節(jié)點中。

2021-07-13 標簽：電子系統(tǒng)SiC 碳化硅 2433 0

碳化硅功率器件及應(yīng)用

碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。作...

2023-05-10 標簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 2430 0

一文詳解雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

2024-03-08 標簽：IGBT 功率模塊碳化硅 2429 0

GeneSiC的起源和碳化硅的未來

SiC 技術(shù)的先驅(qū)引領(lǐng)系統(tǒng)效率，高度關(guān)注可靠性和耐用性。近 20 年來， GeneSiC 開創(chuàng)了高性能，堅固，和可靠的碳化硅（SiC）用于汽車、...

2023-10-25 標簽：二極管驅(qū)動器功率器件 2429 0

基于碳化硅（SiC）材料打造的主驅(qū)逆變器即將大規(guī)?！吧宪嚒?/a>

在當今全球汽車工業(yè)駛向電動化的滾滾浪潮中，一項關(guān)鍵技術(shù)正以其顛覆性的性能改變著電動汽車整體市場競爭力的新格局，它便是基于碳化硅（SiC）材料打造的主驅(qū)逆變器。

2024-03-13 標簽：新能源汽車 MOSFET 逆變器 2413 0

半導(dǎo)體襯底材料的選擇

電子科技領(lǐng)域中，半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料，承載著整個電路的運行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來越高。本文將為您詳細介紹半導(dǎo)體襯...

2024-01-20 標簽：半導(dǎo)體襯底碳化硅 2398 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展趨勢

隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料，正在引發(fā)一場革命。與傳統(tǒng)的硅（Si）器件相比，碳化硅器件具有更高的耐壓、更低的...

2024-01-11 標簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 2391 0

碳化硅MOSFET在汽車動力逆變器中的優(yōu)勢有哪些呢？

新型電子研發(fā)組件在不斷發(fā)展，也隨之而來的是取得的成果。公司不斷嘗試開發(fā)越來越多的性能設(shè)備，特點是更高的效率和更好的電氣特性。

2023-04-01 標簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET 逆變器 2374 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。

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