碳化硅功率模塊封裝中4個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題的分析與研究

SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對(duì)功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來(lái)封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合...

2022-12-12 標(biāo)簽：MOSFET封裝碳化硅 2798 0

碳化硅器件制造那些事兒

離子注入是一種向半導(dǎo)體材料內(nèi)加入一定數(shù)量和種類的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法，可以精確控制摻入的雜質(zhì)數(shù)量和分布情況。

2022-11-30 標(biāo)簽：制造功率半導(dǎo)體碳化硅 2771 0

碳化硅是如何制造的？碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化...

2023-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 2748 0

基本半導(dǎo)體之碳化硅MOSFET和充電樁詳解

交流充電樁：本質(zhì)是一個(gè)帶控制的插座，主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、 交流接觸器、充電槍線等結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單，需要車載充電機(jī)自己進(jìn)行變壓...

2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET充電樁碳化硅 2740 0

碳化硅相對(duì)傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體有什么有缺點(diǎn)

碳化硅（SiC）和傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體（Si）是兩種常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料，它們?cè)陔娮悠骷圃熘芯哂袕V泛的應(yīng)用。然而，碳化硅相對(duì)于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體具有一定的優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn)...

2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料器件碳化硅 2725 0

小編科普一下碳化硅的理化性質(zhì)

碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅為應(yīng)用最廣泛、...

2023-02-12 標(biāo)簽：SiC碳化硅電熱元件 2685 0

SiC和Si的應(yīng)用 各種SiC功率器件的特性

碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，...

2023-04-13 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電源逆變器碳化硅 2683 0

鋁碳化硅復(fù)合材料時(shí)候什么 生產(chǎn)制備方法

　　鋁碳化硅復(fù)合材料是一種由鋁、碳和硅組成的復(fù)合材料，具有良好的力學(xué)性能、耐腐蝕性和耐熱性，可用于制造航空航天、汽車、電子、化工等行業(yè)的零部件。

2023-02-16 標(biāo)簽：控制器交換器碳化硅 2671 0

在半導(dǎo)體行業(yè)中碳化硅有哪些應(yīng)用呢？

碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成，其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了

2023-02-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 2587 0

碳化硅CMOS技術(shù)在深紫外或高溫環(huán)境中應(yīng)用的潛力

紫外（UV）光譜可分為UV-A（315~400?nm）、UV-B（280~315?nm）和UV-C（200~280?nm）頻段。由于敏感光譜帶寬很寬，因...

2022-11-03 標(biāo)簽：帶寬碳化硅CMOS技術(shù) 2577 0

意法半導(dǎo)體SiC MOSFET的路線圖

顯然特斯拉用的是意法半導(dǎo)體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，第四代產(chǎn)品目前還沒(méi)有推出。溝槽型是發(fā)展方向，但意法半導(dǎo)體要到2025年才開(kāi)始推出。

2023-03-14 標(biāo)簽：MOSFET特斯拉SiC 2573 0