產(chǎn)業(yè)研用四方將齊聚張家港 共話第三代半導(dǎo)體

以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料憑借其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)、高抗輻射能力等特點(diǎn)，在許多應(yīng)用領(lǐng)域擁有前兩代半導(dǎo)體材料無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn)，有望突...

2018-09-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 882 0

科銳將向英飛凌供應(yīng)碳化硅晶圓片

科銳首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示：“英飛凌具有很好的美譽(yù)度，是我們長(zhǎng)期且優(yōu)質(zhì)的商業(yè)伙伴。這項(xiàng)協(xié)議的簽署，體現(xiàn)了科銳SiC碳化硅晶圓片技術(shù)的高品質(zhì)和...

2018-04-04 標(biāo)簽：英飛凌碳化硅 7964 0

Littelfuse在2018年APEC大會(huì)上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET

全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse， Inc.與從事碳化硅技術(shù)開(kāi)發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出...

2018-03-19 標(biāo)簽：apeclittelfuse碳化硅 6308 0

深圳第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動(dòng)

3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣...

2018-04-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 4099 0

我國(guó)發(fā)展碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體材料的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

迄今為止， 在碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)經(jīng)過(guò)統(tǒng)計(jì)共有16項(xiàng)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)滯后于該行業(yè)的發(fā)展，這對(duì)整個(gè)市場(chǎng)的秩序及行業(yè)的發(fā)展是很不利的，因此標(biāo)...

2018-07-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 2083 0

碳化硅MOSFET器件的特性優(yōu)勢(shì)與發(fā)展瓶頸!

　　碳化硅功率器件近年來(lái)越來(lái)越廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域，受到大家的喜愛(ài)，不斷地推陳出新，大量的更高電壓等級(jí)、更大電流等級(jí)的產(chǎn)品相繼推出，市場(chǎng)反應(yīng)碳化硅元器件的...

2017-12-13 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅 2.3萬(wàn) 0

基本半導(dǎo)體參與制定第三代半導(dǎo)體技術(shù)路線圖

第三代半導(dǎo)體是下一代綠色新型材料之一，擁有巨大的應(yīng)用市場(chǎng)，以碳化硅器件為例，其市場(chǎng)容量正以每年25~39%的速度增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2020年整個(gè)碳化硅器件的市...

2017-11-24 標(biāo)簽：碳化硅 1079 0

基本半導(dǎo)體參加2017中國(guó)半導(dǎo)體器件創(chuàng)新產(chǎn)品與應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇

近日，第十一屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件年會(huì)暨2017中國(guó)半導(dǎo)體器件創(chuàng)新產(chǎn)品與應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在西安順利舉行，深圳基本半導(dǎo)體有限公司作為支持單位參與了...

2017-08-09 標(biāo)簽：igbt功率器件碳化硅 1594 0

碳化硅功率器件時(shí)代來(lái)臨,基本半導(dǎo)體亮相PCIMAsia

日前，致力于碳化硅功率器件技術(shù)創(chuàng)新的深圳基本半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱基本半導(dǎo)體）成功參展2017國(guó)際電力電子元件、可再生能源管理展覽會(huì)（PCIM Asi...

2017-07-06 標(biāo)簽：igbt功率器件碳化硅 3047 0

英飛凌開(kāi)始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊，在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號(hào)

2017年6月30日，德國(guó)慕尼黑和紐倫堡訊—效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅（SiC）的晶體管的主要優(yōu)勢(shì)。英飛凌科技股份公...

2017-07-03 標(biāo)簽：英飛凌碳化硅pcim 2067 0

美高森美和Analog Devices公司在可擴(kuò)展碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)器解決方案領(lǐng)域展開(kāi)合作 以加快客戶設(shè)計(jì)和上市速度

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)...

2017-06-20 標(biāo)簽：mosfet美高森美碳化硅 1588 0

Littelfuse 增加對(duì)碳化硅技術(shù)初創(chuàng)公司 Monolith 投資

Littelfuse, Inc.于今天宣布其向 Monolith Semiconductor 公司增加 1500 萬(wàn)美元的投資。Monolith Sem...

2017-03-10 標(biāo)簽：littelfuse碳化硅 1247 0

氮化鎵組件2015年～2021年的市場(chǎng)增長(zhǎng)率將達(dá)83%

由于氮化鎵鎖定中低功率應(yīng)用，其應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模要大于中高功率，因此Yole預(yù)估，氮化鎵組件2015年～2021年的成長(zhǎng)率將達(dá)83%，其中電源供應(yīng)器將占相當(dāng)大...

2016-11-28 標(biāo)簽：新能源汽車SiC氮化鎵 1619 0

世界各國(guó)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展情況

由于第三代半導(dǎo)體材料具有非常顯著的性能優(yōu)勢(shì)和巨大的產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)作用，歐美日等發(fā)達(dá)國(guó)家和地區(qū)都把發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)列入國(guó)家戰(zhàn)略，投入巨資支持發(fā)展。本文將對(duì)第...

2016-11-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 3015 0

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)大幅增長(zhǎng) SiC躋身電源組件主流

過(guò)去幾年來(lái)，碳化硅（SiC）型功率半導(dǎo)體解決方案的使用情形大幅成長(zhǎng)，成為各界仰賴的革命性發(fā)展。推動(dòng)此項(xiàng)市場(chǎng)發(fā)展的力量包括下列趨勢(shì)：節(jié)能、縮減體積、系統(tǒng)整...

2016-11-14 標(biāo)簽：igbtSiC功率半導(dǎo)體 2081 0

英飛凌推出1200 V碳化硅MOSFET技術(shù)，助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)達(dá)到前所未有的效率和性能

　　2016年5月10日，德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技...

2016-05-10 標(biāo)簽：英飛凌MOSFET碳化硅 1325 0