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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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中科鋼研在青島建有集成電路制造項(xiàng)目,該項(xiàng)目入選了2019年青島市重點(diǎn)項(xiàng)目。
江蘇超芯星天使輪融資完成,首創(chuàng)大尺寸擴(kuò)徑技術(shù)
據(jù)江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)介紹,超芯星半導(dǎo)體于2019年4月落戶江蘇儀征經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū),是國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體企業(yè),致力于6英寸碳化硅襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
意法半導(dǎo)體收購氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan的多數(shù)股權(quán)
此次收購將大幅提高意法半導(dǎo)體在汽車、工業(yè)和消費(fèi)級高頻大功率GaN的技術(shù)積累、擴(kuò)大其開發(fā)計(jì)劃和業(yè)務(wù)。
2020-03-06 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1.3k 0
CISSOID宣布推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊
內(nèi)置的柵極驅(qū)動(dòng)器包括3個(gè)板載隔離電源(每相1個(gè)),可提供每相高達(dá)5W的功率,從而可以在高達(dá)125°C的環(huán)境溫度下輕松驅(qū)動(dòng)頻率高達(dá)25KHz的功率模塊。
2020-03-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFETCISSOID 1.8k 0
中國電科碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地舉行投產(chǎn)儀式 預(yù)計(jì)形成產(chǎn)值100億元
2月28日,中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地舉行投產(chǎn)儀式。
中國電科碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地開始投產(chǎn),年產(chǎn)值可達(dá)10億元
中國電科黨組書記、董事長熊群力指出,中國電科(山西)電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園是中國電科圍繞半導(dǎo)體材料、裝備制造產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域在晉的戰(zhàn)略布局。
2020-03-02 標(biāo)簽:碳化硅 5.7k 0
碳化硅功率器件下一站關(guān)鍵點(diǎn)將在電動(dòng)汽車領(lǐng)域
到2023年,SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。
集成電路訂單突破億級,2019年海特高新營業(yè)收入同比增加55.52%
海特高新發(fā)布2019年業(yè)績快報(bào)稱,公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入80,187.88萬元,較上年同期增加55.52%;實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東凈利潤7,549.26萬元,...
英飛凌650V CoolSiC? MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平
隨著新產(chǎn)品的發(fā)布,英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
小米發(fā)布GaN充電器,2020年將是GaN的起飛之年
2月13日,小米舉辦的小米10線上發(fā)布會(huì)上,除了手機(jī),還發(fā)布了一款氮化鎵功率器件的65W充電器。近期更是傳言蘋果也將推出65W的GaN充電器。如果再有蘋...
Littelfuse推出柵極驅(qū)動(dòng)器評估平臺(tái),協(xié)助設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)碳化硅節(jié)能
與大多數(shù)其他碳化硅評估平臺(tái)不同,GDEV提供快速連接插頭引腳端子,可以快速、一致地比較不同的柵極驅(qū)動(dòng)器電路。 GDEV支持800 V DC鏈接輸入電壓和...
2020-02-07 標(biāo)簽:Littelfuse柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 950 0
UnitedSiC推具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET器件
UnitedSiC的UF3SC065030D8S和UF3SC065040D8S具有超低的柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性,因而非常適合于在任何采用標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)...
羅姆下的SiCrystal公司與長期客戶ST簽訂碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議
意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅(SiC)晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。
2020-01-17 標(biāo)簽:晶圓意法半導(dǎo)體碳化硅 1.7k 0
CISSOID強(qiáng)勁可靠的柵極驅(qū)動(dòng)器為Wolfspeed的快速開關(guān)碳化硅(SiC)功率模塊提供支持
CMT-TIT0697柵極驅(qū)動(dòng)器板被設(shè)計(jì)為可直接安裝在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模塊上。憑借可提供每通道高達(dá)2...
2020-01-15 標(biāo)簽:CISSOID柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 1.5k 0
新能源汽車市場化發(fā)展要把握好高密度IGBT和碳化硅器件
在萬物互聯(lián)的指引下,新能源汽車也駛向了“百年未來大變革”的道路上。
新型碳化硅IGBT器件,首次成功實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電流密度突破50A/cm2
當(dāng)前,碳化硅基功率器件面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),現(xiàn)有的碳化硅基肖特基二極管,MOSFET等器件并不能有效地滿足實(shí)際應(yīng)用需要,對IGBT器件的需求日益迫切,必須突...
在采訪中朱勇華介紹了美浦森的發(fā)展現(xiàn)狀,以及本次展會(huì)展示的特色產(chǎn)品,他還特別介紹了該公司碳化硅器件的特性。
Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器,提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)間
MAX22701E將CMTI性能提升3倍、總體系統(tǒng)能耗降低30%,有效延長系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)間
2019-12-18 標(biāo)簽:Maxim柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 1.2k 0
UnitedSiC發(fā)布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ
UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,適用于電動(dòng)汽車(EV)逆變器、高功率D...
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