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標(biāo)簽 > 芯片制造
《芯片制造》是2010年8月1日電子工業(yè)出版社出版的圖書,作者是(美國(guó))贊特。本書介紹了半導(dǎo)體工藝的制作制程、誕生、發(fā)展、半導(dǎo)體材料和化學(xué)品的性質(zhì)等方面闡述。
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半導(dǎo)體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關(guān)鍵基礎(chǔ),其核心在于通過(guò)精確控制的物理化學(xué)過(guò)程去除各類污染物,同時(shí)避免對(duì)材料造成損傷。以下是該工藝的主要技...
2025-10-09 標(biāo)簽:芯片制造半導(dǎo)體器件 143 0
視覺(jué)定位引導(dǎo):芯片制造中的“精準(zhǔn)之眼”
機(jī)器視覺(jué)引導(dǎo)的機(jī)器人修磨系統(tǒng)搭載的軟件已在蘋果供應(yīng)鏈的核心制程中穩(wěn)定運(yùn)行超十年,經(jīng)過(guò)千萬(wàn)次批量生產(chǎn)驗(yàn)證,具備極高的可靠性與可復(fù)制性。
2025-08-14 標(biāo)簽:芯片制造工業(yè)自動(dòng)化視覺(jué)定位 295 0
DEXMET PFA延展過(guò)濾網(wǎng):0.11mm精度重塑芯片制造過(guò)濾工藝
大連義邦的DEXMET PFA全氟過(guò)濾支撐網(wǎng)憑借高精度(0.11mm)、耐強(qiáng)腐蝕、低摩擦、自潤(rùn)滑等特性,成為半導(dǎo)體制造(如光刻、蝕刻、CMP工藝)中提升...
2025-08-08 標(biāo)簽:芯片制造過(guò)濾系統(tǒng) 373 0
3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造光刻工藝的表征應(yīng)用
光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟,其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下,光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對(duì)準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級(jí),傳統(tǒng)檢測(cè)...
鍵合技術(shù)是通過(guò)溫度、壓力等外部條件調(diào)控材料表面分子間作用力或化學(xué)鍵,實(shí)現(xiàn)不同材料(如硅-硅、硅-玻璃)原子級(jí)結(jié)合的核心工藝,起源于MEMS領(lǐng)域并隨SOI...
在芯片制造的最后環(huán)節(jié),裸片(Die)需要穿上“防護(hù)鎧甲”——既要抵抗物理?yè)p傷和化學(xué)腐蝕,又要連接外部電路,還要解決散熱問(wèn)題。封裝工藝的進(jìn)化核心,是如何更...
三維集成電路制造中,對(duì)準(zhǔn)技術(shù)是確保多層芯片鍵合精度、實(shí)現(xiàn)高密度TSV與金屬凸點(diǎn)正確互聯(lián)的核心技術(shù),直接影響芯片性能與集成密度,其高精度可避免互連失效或錯(cuò)...
劃片機(jī)(DicingSaw)在生物晶圓芯片的制造中扮演著至關(guān)重要的角色,尤其是在實(shí)現(xiàn)高精度切割方面。生物晶圓芯片通常指在硅、玻璃、石英、陶瓷或聚合物(如...
芯片制造中高精度膜厚測(cè)量與校準(zhǔn):基于紅外干涉技術(shù)的新方法
在先進(jìn)光學(xué)、微電子和材料科學(xué)等領(lǐng)域,透明薄膜作為關(guān)鍵工業(yè)組件,其亞微米級(jí)厚度的快速穩(wěn)定測(cè)量至關(guān)重要。芯片制造中,薄膜襯底的厚度直接影響芯片的性能、可靠性...
芯片制造中的膜厚檢測(cè) | 多層膜厚及表面輪廓的高精度測(cè)量
隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和人工智能(AI)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體器件微型化,對(duì)多層膜結(jié)構(gòu)的三維無(wú)損檢測(cè)需求急劇增長(zhǎng)。傳統(tǒng)橢偏儀僅支持逐點(diǎn)膜厚測(cè)量,而白光干涉法等技術(shù)難...
在指甲蓋大小的芯片上,數(shù)百億晶體管需要通過(guò)比頭發(fā)絲細(xì)千倍的金屬線連接。當(dāng)制程進(jìn)入130納米節(jié)點(diǎn)時(shí),傳統(tǒng)鋁互連已無(wú)法滿足需求——而銅(Cu) 的引入,如同...
在指甲蓋大小的硅片上建造包含數(shù)百億晶體管的“納米城市”,需要極其精密的工程規(guī)劃。分層制造工藝如同建造摩天大樓:先打地基(晶體管層),再逐層搭建電路網(wǎng)絡(luò)(...
在芯片的納米世界中,多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡(jiǎn)稱Poly-Si) 。這種由無(wú)數(shù)微小硅晶粒組成的材料,憑借其可調(diào)的電學(xué)性能...
熱波系統(tǒng)通過(guò)激光誘導(dǎo)熱效應(yīng)與晶格缺陷的關(guān)聯(lián)性實(shí)現(xiàn)摻雜濃度評(píng)估。其核心機(jī)制為:氬泵浦激光經(jīng)雙面鏡聚焦于晶圓表面,通過(guò)光熱效應(yīng)產(chǎn)生周期性熱波,導(dǎo)致局部晶格缺...
當(dāng)晶體管柵長(zhǎng)縮至20納米以下,源漏極間可能形成隱秘的電流通道,導(dǎo)致晶體管無(wú)法關(guān)閉。而暈環(huán)注入(Halo Implant) 技術(shù),正是工程師們?cè)O(shè)計(jì)的原子級(jí)...
在芯片的硅基世界中,硼離子注入(Boron Implant) 如同納米級(jí)的外科手術(shù)——通過(guò)精準(zhǔn)控制高能硼原子打入晶圓特定區(qū)域,構(gòu)建出晶體管性能的“地基”...
在5納米以下的芯片制程中,晶體管柵極介質(zhì)層的厚度已縮至1納米以下(約5個(gè)原子層)。此時(shí),傳統(tǒng)二氧化硅(SiO?)如同漏水的薄紗,電子隧穿導(dǎo)致的漏電功耗可...
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