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FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長(zhǎng)。

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FinFET簡(jiǎn)介

  FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor,中文名叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長(zhǎng)。

  工作原理

  閘長(zhǎng)已可小于25納米,未來預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9納米,約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于在這種導(dǎo)體技術(shù)上的突破,未來芯片設(shè)計(jì)人員可望能夠?qū)⒊?jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)成只有指甲般大小。 FinFET源自于傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (Field-Effect Transistor;FET)的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)。在傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)中,控制電流通過的閘門,只能在閘門的一側(cè)控制電路的接通與斷開,屬于平面的架構(gòu)。在FinFET的架構(gòu)中,閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu),可于電路的兩側(cè)控制電路的接通與斷開。[2] 這種設(shè)計(jì)可以大幅改善電路控制并減少漏電流(leakage),也可以大幅縮短晶體管的閘長(zhǎng)。

FinFET百科

  FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor,中文名叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長(zhǎng)。

  工作原理

  閘長(zhǎng)已可小于25納米,未來預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9納米,約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于在這種導(dǎo)體技術(shù)上的突破,未來芯片設(shè)計(jì)人員可望能夠?qū)⒊?jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)成只有指甲般大小。 FinFET源自于傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (Field-Effect Transistor;FET)的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)。在傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)中,控制電流通過的閘門,只能在閘門的一側(cè)控制電路的接通與斷開,屬于平面的架構(gòu)。在FinFET的架構(gòu)中,閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu),可于電路的兩側(cè)控制電路的接通與斷開。[2] 這種設(shè)計(jì)可以大幅改善電路控制并減少漏電流(leakage),也可以大幅縮短晶體管的閘長(zhǎng)。

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