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美光新加坡HBM內(nèi)存封裝工廠破土動工

近日,全球領(lǐng)先的HBM內(nèi)存制造商之一——美光宣布,其位于新加坡的HBM內(nèi)存先進封裝工廠項目已于當?shù)貢r間今日正式破土動工。這座工廠預(yù)計將于2026年正式投...

2025-01-09 標簽:封裝內(nèi)存美光 1.3k 0

美光科技計劃大規(guī)模擴大DRAM產(chǎn)能

據(jù)業(yè)內(nèi)消息,美光科技預(yù)計今年將繼續(xù)積極擴大其DRAM產(chǎn)能,與去年相似。得益于美國政府確認的巨額補貼,美光近期將具體落實對現(xiàn)有DRAM工廠進行改造的投資計...

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SK海力士增產(chǎn)HBM DRAM,應(yīng)對AI芯片市場旺盛需求

SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存(HBM)的DRAM產(chǎn)能,目標是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片,這一增幅達到了70%。此舉被視為該公司對...

2025-01-07 標簽:DRAMSK海力士HBM 1.6k 0

2025年CES展:英偉達CEO黃仁勛將發(fā)表演講并可能進行HBM對談

2025年美國消費性電子展(CES)將于1月7日盛大開幕,全球圖形處理器(GPU)巨頭英偉達的首席執(zhí)行官黃仁勛將在此次展會上發(fā)表專題演講,分享英偉達在技...

2025-01-06 標簽:英偉達SK海力士HBM 6.1k 0

AI興起推動HBM需求激增,DRAM市場面臨重塑

TechInsights的最新報告揭示了AI興起對高帶寬內(nèi)存(HBM)需求的巨大影響。特別是在機器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用中,HBM的需求呈現(xiàn)出前...

2024-12-26 標簽:處理器DRAMAI 1.1k 0

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SK 海力士新設(shè)AI芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門,任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官

據(jù) Businesses Korea 報道,SK 海力士宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2...

2024-12-06 標簽:DRAMSK海力士HBM 1.3k 0

熱壓鍵合機(TC Bonder)在HBM的應(yīng)用

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熱壓鍵合機TC Bonder(Thermal Compression Bonding)是一種用于半導(dǎo)體封裝過程中熱壓鍵合的專用設(shè)備。在高帶寬內(nèi)存(HBM...

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在做芯片選型的時候,我們通常會對比各廠家芯片的ESD性能,比如A廠家芯片的HBM靜電指標為2KV,B廠家的達到了4KV,如果在各方面條件都差不多的情況下...

2024-11-27 標簽:芯片測試標準HBM 7.1k 0

AI帶動HBM、LPDDR5暢旺,明年內(nèi)存市場預(yù)判

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)在日前由TrendForce集邦咨詢主辦的MTS2025存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會上,集邦分析師們都提到AI對存儲乃至半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的...

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HBM 對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響1. HBM 的核心工藝在于硅通孔技術(shù)(TSV)和堆疊鍵合技術(shù) 硅通孔:TSV(Through-Silicon Via) 是...

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在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標志著SK海力士在...

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三星擴建HBM生產(chǎn)設(shè)施,預(yù)計2027年完工

三星電子公司近日宣布了一項重大投資決策,計劃擴建其位于韓國忠清南道的半導(dǎo)體封裝設(shè)施,以提高高帶寬存儲器(HBM)的產(chǎn)量。這一舉措標志著三星在HBM市場領(lǐng)...

2024-11-13 標簽:半導(dǎo)體三星電子HBM 1.2k 0

美光:人工智能影響PC內(nèi)存的供需平衡

美光是內(nèi)存業(yè)務(wù)的主要參與者之一,包括分別用于SSD和RAM的NAND和DRAM。 “我們?nèi)揞^,海力士、我們、三星,都在花費大量的精力和財力打造H...

2024-11-12 標簽:內(nèi)存美光人工智能 1.2k 0

2025年DRAM展望:位元產(chǎn)出大增25%,HBM成新增長極但供應(yīng)緊張

經(jīng)歷2024年前三個季度的庫存消化和價格回升后,DRAM產(chǎn)業(yè)在第四季度的價格動能開始減弱。TrendForce集邦咨詢的資深研究副總吳雅婷指出,由于部分...

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2024存儲市場冰火交織,時創(chuàng)意電子如何應(yīng)對挑戰(zhàn)與機遇

2024年,AI應(yīng)用市場的持續(xù)升溫推動了存儲器需求的不斷攀升,高性能HBM和大容量閃存產(chǎn)品備受市場青睞。然而,與此同時,全球經(jīng)濟發(fā)展形勢仍不明朗,消費電...

2024-11-06 標簽:存儲AIHBM 1.7k 0

英偉達加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲器

日,英偉達(NVIDIA)的主要高帶寬存儲器(HBM)供應(yīng)商南韓SK集團會長崔泰源透露,英偉達執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達下一代...

2024-11-05 標簽:存儲英偉達HBM 2.4k 0

HBM4需求激增,英偉達與SK海力士攜手加速高帶寬內(nèi)存技術(shù)革新

隨著生成式AI技術(shù)的迅猛發(fā)展和大模型參數(shù)量的急劇增加,對高帶寬、高容量存儲的需求日益迫切,這直接推動了高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的快速增長,并對HBM的性...

2024-11-05 標簽:內(nèi)存英偉達SK海力士 1.8k 0

英偉達加速推進HBM4需求,SK海力士等存儲巨頭競爭加劇

韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露,英偉達的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個月推...

2024-11-04 標簽:存儲英偉達SK海力士 1.9k 0

三星電子或向英偉達供應(yīng)先進HBM

近日,韓國三星電子公司透露了一個引人矚目的消息,有可能在不久的將來向美國的人工智能巨頭英偉達提供其先進的高帶寬存儲器(HBM)。這一消息無疑為科技界帶來...

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