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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用中,MDD的MOS晶體管是重要的開(kāi)關(guān)元件。當(dāng)MOS晶體管出現(xiàn)故障時(shí),可能會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)無(wú)法正常工作,甚至引發(fā)損壞。對(duì)于MDDFAE工程師來(lái)說(shuō)...
2025-11-25 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)MOS晶體管 653 0
NCV84160自保護(hù)高側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NCV84160自保護(hù)高側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款單通道驅(qū)動(dòng)器,可用于開(kāi)關(guān)螺線管、燈泡和執(zhí)行器等負(fù)載。該MOSFET驅(qū)動(dòng)器具有~VD~ 輸出短路檢...
2025-11-25 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器單通道 469 0
?NCP303160A智能功率模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NCP303160A柵極驅(qū)動(dòng)器在單一封裝中集成了MOSFET驅(qū)動(dòng)器、高側(cè)MOSFET和低側(cè)MOSFET。該柵極驅(qū)動(dòng)器和MOSFET優(yōu)化用于大電流、...
2025-11-25 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器 417 0
選型手冊(cè):MOT6556T N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT6556T是一款面向60V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借0.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大連續(xù)電流...
?基于NCV81071柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NCV81071柵極驅(qū)動(dòng)器是高速雙路低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器,能夠?yàn)槿菪载?fù)載提供較大的峰值電流。這些驅(qū)動(dòng)器可在米勒平坦區(qū)域提供5A峰值電流,有助于降...
2025-11-24 標(biāo)簽:MOSFET容性負(fù)載柵極驅(qū)動(dòng)器 447 0
?onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET是一種單通道、-30V MOSFET,尺寸為5mmx6mm,可節(jié)省空間并具有出色的熱傳導(dǎo)性...
onsemi NTMFSS0D9N03P8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NTMFSS0D9N03P8 N溝道MOSFET是一款單源下MOSFET,具有低 ~RDS (on)~ ,可最大限度地降低導(dǎo)通損耗,另外還具有低~...
?安森美NTBL032N065M3S碳化硅MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi NTBL032N065M3S碳化矽(SiC)MOSFET專為快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì),在負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)和關(guān)斷尖峰時(shí)性能可靠。onsemi NTB...
基于EVBUM2909G-EVK評(píng)估板數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi EVBUM2909G-EVK子卡 是專為離散雙脈沖測(cè)試儀EVBUM2897設(shè)計(jì)的擴(kuò)展套件。onsemi子卡具有電路板邊緣連接器以及被測(cè)設(shè)備...
基于onsemi NVH4L050N170M1碳化硅MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi NVH4L050N170M1碳化矽(SiC)MOSFET性能卓越,在V~GS~ = 20V時(shí),典型R~DS(on)~ 為53mΩ。onse...
2025-11-24 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng) 634 0
?基于NTTFD1D8N02P1E N通道MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)分析
安森美NTTFD1D8N02P1E N溝道MOSFET是一款雙通道25V電源夾非對(duì)稱器件。該N溝道MOSFET具有4.2mΩ HS、1.4mΩ LS和2...
onsemi NCP402045集成驅(qū)動(dòng)器和MOSFET技術(shù)解析
安森美 NCP402045集成驅(qū)動(dòng)器/MOSFET在單一封裝中集成了MOSFET驅(qū)動(dòng)器、高側(cè)MOSFET、 和低側(cè)MOSFET。該元件優(yōu)化用于大電流直...
2025-11-24 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換集成驅(qū)動(dòng)器 544 0
基于onsemi EVBUM2897G-EVB評(píng)估板的雙脈沖測(cè)試技術(shù)詳解
onsemi EVBUM2897G-EVB評(píng)估板設(shè)計(jì)用于比較測(cè)量各種分立封裝的Elite SiC MOSFET和IGBT。Onsemi EVBUM289...
意法半導(dǎo)體GaN晶體管推動(dòng)下一代電機(jī)逆變器的發(fā)展
滿足日益增長(zhǎng)的高能效和高功率性能需求,同時(shí)不斷降低成本和尺寸是當(dāng)今功率電子行業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)。
2025-11-24 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)控制意法半導(dǎo)體 6.8k 0
?NVMFWS0D45N04XM功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NVMFWS0D45N04XM MOSFET是一款單N溝道STD柵極MOSFET,采用SO8FL封裝。該器件具有40V漏極-源極電壓、469A連續(xù)...
NVTFWS002N04XM功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) NVTFWS002N04XM MOSFET具有低R~DS(on)~ 和低電容,采用符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝。該MOSFE...
基于NVMFWS4D0N04XM MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) NVMFWS4D0N04XM MOSFET具有低R~DS(on)~ 和低電容,采用符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝。該MOSFE...
onsemi NVMFWS1D7N04XM功率MOSFET技術(shù)深度解析
安森美NVMFWS1D7N04XM MOSFET是一款單N溝道STD柵極MOSFET,采用SO8FL封裝。該器件具有40V漏極-源極電壓、154A連續(xù)漏...
NVBLS1D2N08X:一款高性能80V N溝道功率MOSFET的深度解析
安森美NVBLS1D2N08X MOSFET具有~低QRR~ 、~RDS(on)~ 和 ~QG~ ,可最大限度降低驅(qū)動(dòng)器損耗和導(dǎo)通損耗。MOSFET符合...
2025-11-24 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通損耗 539 0
?NVTFWS003N04XM功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NVTFWS1D9N04XM MOSFET具有低~RDS(on)~ 和低電容,采用符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝。該MOSFET具有40V漏極-源...
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