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標(biāo)簽 > sic mosfet
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基本半導(dǎo)體SiC MOSFET模塊在電力電子中的應(yīng)用深度解析
傾佳電子代理的基本半導(dǎo)體SiC MOSFET模塊在電力電子中的應(yīng)用深度解析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器...
2025-08-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC MOSFET 414 0
加速落地主驅(qū)逆變器,三安光電1200V 13mΩ SiC MOSFET完成驗證
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日,三安光電在投資者平臺上表示,其主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET從1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ,在國內(nèi)頭...
2025-08-10 標(biāo)簽:SiC三安光電SiC MOSFET 7.7k 0
SiC MOSFET功率模塊效率革命:傾佳電子力推國產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時代
SiC MOSFET模塊革命:傾佳電子力推國產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時代 34mm封裝BMF80R12RA3模塊——工業(yè)電源的能效突破者 ? ? 一、產(chǎn)...
2025-07-29 標(biāo)簽:功率模塊SiC MOSFET 344 0
兩款SiC MOSFET模塊在三相四橋臂變換器中的應(yīng)用優(yōu)勢分析如下(聚焦工商業(yè)儲能PCS場景)
BMF008MR12E2G3和BMF240R12E2G3兩款SiC MOSFET模塊在三相四橋臂變換器中的應(yīng)用優(yōu)勢分析如下(聚焦工商業(yè)儲能PCS場景):...
2025-08-07 標(biāo)簽:變換器SiC MOSFET 580 0
傾佳電子力薦:BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊
傾佳電子力薦:BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關(guān)鍵詞:1200V/...
2025-06-24 標(biāo)簽:封裝BASICSiC MOSFET 285 0
SiC MOSFET模塊在英偉達(dá)800V HVDC電源系統(tǒng)中的技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用價值
基本半導(dǎo)體BMF240R12E2G3 SiC MOSFET模塊在英偉達(dá)800V HVDC電源系統(tǒng)中的技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用價值 隨著AI數(shù)據(jù)中心對算力需求的爆發(fā)...
2025-05-23 標(biāo)簽:電源系統(tǒng)英偉達(dá)SiC MOSFET 912 0
新品 | 采用電平位移驅(qū)動器碳化硅SiC MOSFET交錯調(diào)制圖騰柱5kW PFC評估板
新品采用電平位移驅(qū)動器碳化硅SiCMOSFET交錯調(diào)制圖騰柱5kWPFC評估板電子設(shè)備會污染電網(wǎng),導(dǎo)致電網(wǎng)失真,威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此,電源...
Nexperia推出新款汽車級SiC MOSFET,具備卓越效率與熱穩(wěn)定性
近日,Nexperia宣布推出一系列高效且堅固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,SiCMOSFET),這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分...
2025-05-08 標(biāo)簽:NexperiaSiC MOSFET汽車 482 0
在碳化硅(SiC)技術(shù)的應(yīng)用中,許多工程師對SiC的性能評價存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛...
2025-04-30 標(biāo)簽:英飛凌碳化硅SiC MOSFET 478 0
SiC功率模塊工商業(yè)儲能PCS的主流化與SiC單管并聯(lián)方案的運維成本劣勢
E2B碳化硅SiC功率模塊工商業(yè)儲能變流器PCS的主流化與單管并聯(lián)方案的運維成本劣勢 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(...
SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊,助力緊湊型高性能電源系統(tǒng)
在高電壓和高效率應(yīng)用領(lǐng)域,SemiQ作為一家領(lǐng)先的設(shè)計和開發(fā)企業(yè),近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨...
2025-04-17 標(biāo)簽:MOSFETSiC電源系統(tǒng) 540 0
廣東佳訊邀您一起探究:SiC MOSFET 替代 IGBT ,這是必然走向嗎?
碳化硅MOSFET以其高開關(guān)速度、高溫工作能力和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢,在電動汽車、太陽能逆變器等領(lǐng)域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優(yōu)勢,但碳...
2025-01-15 標(biāo)簽:IGBTSiC MOSFET 834 0
來源:電子工程世界 SiC(碳化硅),已經(jīng)成為車企的一大賣點。而在此前,有車企因是否全域采用SiC MOSFET,發(fā)生激烈輿論戰(zhàn)??梢?,SiC這一市場在...
2025-01-09 標(biāo)簽:SiC MOSFET 757 0
IFWS&SSLCHINA2024 蘇州盛大開幕,超千人齊聚探尋產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新融合新思路
2024年11月19日,第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇SSLCHINA2024)在蘇州開幕。本屆論壇由蘇州實驗室、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA...
2024-11-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC MOSFET 1.3k 0
車載用SiC MOSFET又增10個型號,業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容!
ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET 【 關(guān)鍵詞 】 滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)...
2024-08-25 標(biāo)簽:元器件SiC MOSFET 655 0
IGBT的驅(qū)動電壓一般都是15V,而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動電壓各品牌并不一致,15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動電壓有助于降低器...
小米SU7單電機版,400V電壓平臺的電驅(qū)供應(yīng)商為聯(lián)合汽車電子,其中搭載了來自博世的碳化硅芯片,根據(jù)調(diào)研:其中搭載了博世第二代750V,6毫歐的芯片產(chǎn)品。
2024-04-11 標(biāo)簽:永磁電機碳化硅SiC MOSFET 2k 0
SiC MOSFET用于電機驅(qū)動的優(yōu)勢在哪里
低電感電機 低電感電機有許多不同應(yīng)用,包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應(yīng)電機。它們也可被用 在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高...
2024-01-16 標(biāo)簽:電機電機驅(qū)動SiC MOSFET 738 0
全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)正在以每年10%速度增長
汽車半導(dǎo)體市場預(yù)計到 2022 年將達(dá)到 599 億美元,2023 年至 2032 年復(fù)合年增長率 (CAGR) 為 10.3%,達(dá)到 1531.1
2023-12-21 標(biāo)簽:存儲器功率器件半導(dǎo)體器件 1.2k 0
安世半導(dǎo)體推出首款SiC MOSFET,聚焦電動汽車充電樁等市場
,NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品,隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容,推出...
2023-12-05 標(biāo)簽:電動汽車充電樁SiC MOSFET 1.8k 0
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