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基本半導(dǎo)體SiC MOSFET模塊在電力電子中的應(yīng)用深度解析

傾佳電子代理的基本半導(dǎo)體SiC MOSFET模塊在電力電子中的應(yīng)用深度解析傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器...

2025-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC MOSFET 418 0

加速落地主驅(qū)逆變器，三安光電1200V 13mΩ SiC MOSFET完成驗(yàn)證

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道近日，三安光電在投資者平臺(tái)上表示，其主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET從1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在國內(nèi)頭...

2025-08-10 標(biāo)簽：SiC 三安光電 SiC MOSFET 7.7k 0

SiC MOSFET功率模塊效率革命：傾佳電子力推國產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時(shí)代

SiC MOSFET模塊革命：傾佳電子力推國產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時(shí)代 34mm封裝BMF80R12RA3模塊——工業(yè)電源的能效突破者 ? ? 一、產(chǎn)...

2025-07-29 標(biāo)簽：功率模塊 SiC MOSFET 347 0

兩款SiC MOSFET模塊在三相四橋臂變換器中的應(yīng)用優(yōu)勢分析如下（聚焦工商業(yè)儲(chǔ)能PCS場景）

BMF008MR12E2G3和BMF240R12E2G3兩款SiC MOSFET模塊在三相四橋臂變換器中的應(yīng)用優(yōu)勢分析如下（聚焦工商業(yè)儲(chǔ)能PCS場景）：...

2025-08-07 標(biāo)簽：變換器 SiC MOSFET 581 0

傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊

傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界關(guān)鍵詞：1200V/...

2025-06-24 標(biāo)簽：封裝 BASIC SiC MOSFET 286 0

SiC MOSFET模塊在英偉達(dá)800V HVDC電源系統(tǒng)中的技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用價(jià)值

基本半導(dǎo)體BMF240R12E2G3 SiC MOSFET模塊在英偉達(dá)800V HVDC電源系統(tǒng)中的技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用價(jià)值隨著AI數(shù)據(jù)中心對算力需求的爆發(fā)...

2025-05-23 標(biāo)簽：電源系統(tǒng)英偉達(dá)SiC MOSFET 913 0

新品 | 采用電平位移驅(qū)動(dòng)器碳化硅SiC MOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kW PFC評(píng)估板

新品采用電平位移驅(qū)動(dòng)器碳化硅SiCMOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kWPFC評(píng)估板電子設(shè)備會(huì)污染電網(wǎng)，導(dǎo)致電網(wǎng)失真，威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此，電源...

2025-05-22 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板碳化硅 787 0

Nexperia推出新款汽車級(jí)SiC MOSFET，具備卓越效率與熱穩(wěn)定性

近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅(jiān)固的汽車級(jí)碳化硅(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，SiCMOSFET)，這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分...

2025-05-08 標(biāo)簽：Nexperia SiC MOSFET 汽車 482 0

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛...

2025-04-30 標(biāo)簽：英飛凌碳化硅 SiC MOSFET 487 0

SiC功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能PCS的主流化與SiC單管并聯(lián)方案的運(yùn)維成本劣勢

E2B碳化硅SiC功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS的主流化與單管并聯(lián)方案的運(yùn)維成本劣勢傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(...

2025-05-06 標(biāo)簽：SiC 功率模塊 PCS 412 0

SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊，助力緊湊型高性能電源系統(tǒng)

在高電壓和高效率應(yīng)用領(lǐng)域，SemiQ作為一家領(lǐng)先的設(shè)計(jì)和開發(fā)企業(yè)，近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨...

2025-04-17 標(biāo)簽：MOSFET SiC 電源系統(tǒng) 540 0

廣東佳訊邀您一起探究：SiC MOSFET 替代 IGBT ，這是必然走向嗎？

碳化硅MOSFET以其高開關(guān)速度、高溫工作能力和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，在電動(dòng)汽車、太陽能逆變器等領(lǐng)域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優(yōu)勢，但碳...

2025-01-15 標(biāo)簽：IGBT SiC MOSFET 837 0

國產(chǎn)SiC MOSFET，正在崛起

來源：電子工程世界 SiC（碳化硅），已經(jīng)成為車企的一大賣點(diǎn)。而在此前，有車企因是否全域采用SiC MOSFET，發(fā)生激烈輿論戰(zhàn)?？梢姡琒iC這一市場在...

2025-01-09 標(biāo)簽：SiC MOSFET 759 0

IFWS&SSLCHINA2024 蘇州盛大開幕，超千人齊聚探尋產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新融合新思路

2024年11月19日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇SSLCHINA2024）在蘇州開幕。本屆論壇由蘇州實(shí)驗(yàn)室、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA...

2024-11-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC MOSFET 1.3k 0

車載用SiC MOSFET又增10個(gè)型號(hào)，業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容！

ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET 【關(guān)鍵詞】滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)...

2024-08-25 標(biāo)簽：元器件 SiC MOSFET 658 0

如何更好地驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET器件？

IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓一般都是15V，而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動(dòng)電壓各品牌并不一致，15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動(dòng)電壓有助于降低器...

2024-05-13 標(biāo)簽：芯片 MOSFET IGBT 1.3k 0

小米SU7碳化硅應(yīng)用情況如何？

小米SU7單電機(jī)版，400V電壓平臺(tái)的電驅(qū)供應(yīng)商為聯(lián)合汽車電子，其中搭載了來自博世的碳化硅芯片，根據(jù)調(diào)研：其中搭載了博世第二代750V，6毫歐的芯片產(chǎn)品。

2024-04-11 標(biāo)簽：永磁電機(jī)碳化硅 SiC MOSFET 2k 0

SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢在哪里

低電感電機(jī) 低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用，包括大氣隙電機(jī)、無槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類型中。這些電機(jī)需要高...

2024-01-16 標(biāo)簽：電機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET 750 0

全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)正在以每年10%速度增長

汽車半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)到 2022 年將達(dá)到 599 億美元，2023 年至 2032 年復(fù)合年增長率 (CAGR) 為 10.3%，達(dá)到 1531.1

2023-12-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器功率器件半導(dǎo)體器件 1.2k 0

安世半導(dǎo)體推出首款SiC MOSFET，聚焦電動(dòng)汽車充電樁等市場

，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出...

2023-12-05 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車充電樁 SiC MOSFET 1.8k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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太陽能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

USB-PD

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

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董明珠

董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
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