傾佳電子代理的基本半導(dǎo)體SiC MOSFET模塊在電力電子中的應(yīng)用深度解析

傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。他們主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車(chē)連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)！

執(zhí)行摘要

本報(bào)告對(duì)傾佳電子代理的基本半導(dǎo)體碳化硅（SiC）MOSFET模塊產(chǎn)品線進(jìn)行了全面深入的分析。通過(guò)整合和剖析公司提供的內(nèi)部測(cè)試數(shù)據(jù)與應(yīng)用仿真結(jié)果，本報(bào)告旨在量化SiC技術(shù)在應(yīng)對(duì)現(xiàn)代電力電子對(duì)高效率、高功率密度和高可靠性等核心挑戰(zhàn)方面的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。

分析發(fā)現(xiàn)，基本半導(dǎo)體SiC模塊展現(xiàn)出卓越的性能。其極低的開(kāi)關(guān)損耗使其能夠顯著提升系統(tǒng)效率。例如，在工業(yè)電焊機(jī)應(yīng)用中，即使將開(kāi)關(guān)頻率從傳統(tǒng)IGBT的20kHz提高至80kHz，SiC模塊的總損耗仍?xún)H為IGBT的一半，從而將整機(jī)效率提高了近1.58個(gè)百分點(diǎn)。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，效率提升更為顯著，可將系統(tǒng)效率從97.25%提升至99.39%。

在可靠性方面，該系列模塊采用了車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品設(shè)計(jì)理念，并引入了多項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)作為可靠性基石。其中，高性能的氮化硅（Si?N?）陶瓷基板因其出色的機(jī)械強(qiáng)度和低熱膨脹系數(shù)，能夠在經(jīng)受1000次溫度沖擊試驗(yàn)后仍保持良好性能，遠(yuǎn)超其他材料。此外，內(nèi)部集成SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SiC SBD）則從根本上解決了傳統(tǒng)SiC MOSFET體二極管在高電流下的雙極性退化問(wèn)題，將導(dǎo)通電阻$R_{DS(on)}$的變化率控制在3%以?xún)?nèi)，極大地延長(zhǎng)了模塊的壽命。

從系統(tǒng)應(yīng)用角度來(lái)看，基本半導(dǎo)體不僅提供高性能功率模塊，還提供了一套完整的驅(qū)動(dòng)解決方案，其中包括具備米勒鉗位功能的專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)芯片。這一方案有效抑制了在高開(kāi)關(guān)速度下因米勒效應(yīng)引起的誤導(dǎo)通現(xiàn)象，顯著降低了高頻應(yīng)用的設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)和復(fù)雜性，使工程師能夠充分發(fā)揮SiC模塊的性能潛力。

綜上，基本半導(dǎo)體SiC模塊不僅是性能參數(shù)的簡(jiǎn)單升級(jí)，更代表了對(duì)傳統(tǒng)電力電子設(shè)計(jì)范式的根本性重塑，為工業(yè)變頻、新能源、充電樁等領(lǐng)域的高性能化提供了關(guān)鍵使能技術(shù)。

1. 引言：SiC MOSFET技術(shù)在現(xiàn)代電力電子中的關(guān)鍵作用

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SiC MOSFET作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)和高熱導(dǎo)率等獨(dú)特的物理特性，使其在電力電子領(lǐng)域展現(xiàn)出顛覆性?xún)?yōu)勢(shì)。相較于傳統(tǒng)的硅（Si）基IGBT和MOSFET，SiC器件能夠在更高電壓、更高開(kāi)關(guān)頻率和更高溫度下穩(wěn)定運(yùn)行，且具有極低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。這些特性使其成為高效率、高功率密度和高可靠性應(yīng)用的關(guān)鍵核心組件。

本報(bào)告旨在超越單純的產(chǎn)品參數(shù)羅列，通過(guò)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臄?shù)據(jù)分析和跨文檔信息整合，深入剖析基本半導(dǎo)體SiC模塊的產(chǎn)品線、核心技術(shù)、量化性能，并結(jié)合典型應(yīng)用仿真，全面評(píng)估其相對(duì)于傳統(tǒng)IGBT技術(shù)的深遠(yuǎn)影響。這種對(duì)新材料的全面采用，標(biāo)志著行業(yè)正在從單純的器件優(yōu)化向系統(tǒng)級(jí)解決方案轉(zhuǎn)變，為工業(yè)變頻、新能源、電動(dòng)汽車(chē)充電樁等對(duì)性能有著嚴(yán)苛要求的領(lǐng)域提供了至關(guān)重要的技術(shù)支撐。

2. 產(chǎn)品線與核心技術(shù)：基本半導(dǎo)體SiC模塊的基石

2.1 全面產(chǎn)品線概覽

基本半導(dǎo)體針對(duì)不同功率等級(jí)和應(yīng)用需求，構(gòu)建了多維度的SiC模塊產(chǎn)品矩陣。這種戰(zhàn)略布局旨在為客戶提供可擴(kuò)展的、覆蓋多功率等級(jí)的解決方案家族，而非單一產(chǎn)品，這有助于客戶在不同項(xiàng)目中實(shí)現(xiàn)快速迭代和平臺(tái)化設(shè)計(jì)。

Pcore?2 34mm系列: 該系列采用半橋拓?fù)?，主要面向?qū)β拭芏群托视休^高要求的高端工業(yè)應(yīng)用，如高端工業(yè)電焊機(jī)、感應(yīng)加熱、工業(yè)變頻器和電鍍電源 。其代表性型號(hào)BMF80R12RA3 (

VDSS?=1200V, IDnom?=80A, RDS(on)?=15mΩ)和BMF160R12RA3 (VDSS?=1200V, IDnom?=160A, RDS(on)?=7.5mΩ)以?xún)?yōu)異的性能和可靠性為這些應(yīng)用提供堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

Pcore?2 E1B/E2B系列: 該系列同樣采用半橋拓?fù)?，其核心技術(shù)亮點(diǎn)在于內(nèi)部集成了SiC SBD 。該系列主要應(yīng)用于光伏逆變器、APF（有源電力濾波器）、PCS（儲(chǔ)能變流器）、大功率快速充電樁和高頻DCDC變換器等領(lǐng)域 。主打型號(hào)BMF240R12E2G3 (

VDSS?=1200V, IDnom?=240A, RDS(on)?=5.5mΩ)和BMF008MR12E2G3 (VDSS?=1200V, IDnom?=160A, RDS(on)?=8.1mΩ)憑借內(nèi)置SBD的優(yōu)勢(shì)，在這些對(duì)效率和可靠性極為敏感的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

Pcore?2 62mm系列: 專(zhuān)為更高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)，采用半橋拓?fù)?，主要?yīng)用于儲(chǔ)能系統(tǒng)、大功率焊機(jī)電源、感應(yīng)加熱、光伏逆變器和輔助牽引等領(lǐng)域 。主打型號(hào)BMF540R12KA3 (

VDSS?=1200V, IDnom?=540A, RDS(on)?=2.3mΩ)采用了低雜散電感設(shè)計(jì)和銅基板，以應(yīng)對(duì)大電流、高功率下的嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。

2.2 核心技術(shù)深度剖析：可靠性與性能的保障

2.2.1 內(nèi)置SiC SBD的優(yōu)勢(shì)：降低管壓降與反向恢復(fù)損耗

傳統(tǒng)SiC MOSFET的體二極管在高電流下導(dǎo)通電壓較高，且在反向恢復(fù)時(shí)會(huì)產(chǎn)生損耗，這在高頻、硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中會(huì)隨著頻率的升高而急劇增加，成為主要的系統(tǒng)損耗來(lái)源 ?；景雽?dǎo)體的Pcore?2 E1B/E2B系列模塊通過(guò)內(nèi)部集成SiC SBD，從根本上解決了這一問(wèn)題。

文檔指出，內(nèi)置SiC SBD能夠使管壓降大幅降低，并且“基本沒(méi)有反向恢復(fù)行為” 。這意味著在電流反向時(shí)，SiC SBD能夠快速關(guān)閉，幾乎不產(chǎn)生反向恢復(fù)電流

$I_{rr}$和反向恢復(fù)損耗$E_{rr}$。通過(guò)消除這一損耗，模塊在高頻應(yīng)用中能夠保持極高的效率，并降低熱應(yīng)力。

更重要的是，內(nèi)置SBD還解決了SiC MOSFET體二極管在使用中可能出現(xiàn)的雙極性退化問(wèn)題。由于SiC體二極管在前向?qū)ê?，其?dǎo)通電阻$R_{DS(on)}$可能會(huì)發(fā)生漂移，影響長(zhǎng)期可靠性。文檔中的數(shù)據(jù)顯示，普通SiC MOSFET在1000小時(shí)的體二極管導(dǎo)通運(yùn)行后，$R_{DS(on)}$波動(dòng)可能高達(dá)42%，而內(nèi)置SiC SBD的本產(chǎn)品系列則將變化率控制在3%以?xún)?nèi) 。這一量化數(shù)據(jù)是其對(duì)長(zhǎng)期可靠性承諾的有力證明，直接影響了模塊在嚴(yán)苛工作環(huán)境下的壽命 。

2.2.2 高性能Si?N?陶瓷基板：熱管理與機(jī)械可靠性

功率模塊的性能和長(zhǎng)期可靠性很大程度上受限于其封裝技術(shù)，尤其是陶瓷基板的熱管理和機(jī)械性能。文檔對(duì)Si?N?、Al?O?和AIN三種常用的陶瓷基板進(jìn)行了性能比較 。

類(lèi)型Al2?O3?AINSi3?N4?單位熱導(dǎo)率2417090W/mK熱膨脹系數(shù)6.84.72.5ppm/K抗彎強(qiáng)度450350700N/mm2斷裂強(qiáng)度4.23.46.0

剝離強(qiáng)度24≥10N/mm絕緣系數(shù)20kV/mm

導(dǎo)出到 Google 表格

雖然AIN的熱導(dǎo)率最高，但文檔強(qiáng)調(diào)，對(duì)于高功率SiC模塊而言，機(jī)械性能是更重要的考量因素 。高功率模塊在運(yùn)行中會(huì)經(jīng)歷劇烈的溫度循環(huán)，這會(huì)在芯片、焊料和基板之間產(chǎn)生熱機(jī)械應(yīng)力。Si?N?出色的抗彎強(qiáng)度（700

N/mm2）和極低的熱膨脹系數(shù)（2.5 ppm/K）使其能夠更好地匹配SiC芯片的熱膨脹特性，從而在熱循環(huán)中保持結(jié)構(gòu)完整性，避免因應(yīng)力累積導(dǎo)致的芯片和基板分層 。

文檔明確指出，Al?O?和AIN基板在僅10次溫度沖擊后就可能出現(xiàn)銅箔與陶瓷之間的分層現(xiàn)象，而Si?N?在1000次溫度沖擊試驗(yàn)后仍能保持良好的接合強(qiáng)度 。這種千倍級(jí)別的可靠性差異是其“車(chē)規(guī)級(jí)設(shè)計(jì)理念”的有力佐證，并直接轉(zhuǎn)化為用戶對(duì)模塊在嚴(yán)苛工業(yè)應(yīng)用中長(zhǎng)期壽命的信心 。

3. 技術(shù)性能量化評(píng)估：靜態(tài)與動(dòng)態(tài)特性分析

3.1 關(guān)鍵靜態(tài)參數(shù)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)分析

靜態(tài)參數(shù)是評(píng)估模塊基礎(chǔ)性能和制造一致性的重要指標(biāo)。對(duì)BMF80R12RA3的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，該模塊在批量制造中擁有極高的可靠性和一致性 。

項(xiàng)目測(cè)試條件25°C 上橋25°C 下橋175°C 上橋175°C 下橋單位BVDSS?VGS?=0V,ID?=100uA1613161416421629VIDSS?VDS?=1.2kV,VGS?=0V0.090.091.341.35uAVGS(th)?VGS?=VDS?,ID?=23mA2.812.761.881.84VRDS(on)?VGS?=18V,ID?=80A15.9715.6828.0828.24mΩ

導(dǎo)出到 Google 表格

該模塊的擊穿電壓$B_{VDSS}$在1600V左右，留有較高裕量 。同時(shí)，漏電流$I_{DSS}$在$25^{circ}C$時(shí)小于0.2uA，在175°C時(shí)也小于2.5uA，表明其關(guān)斷狀態(tài)下的性能極為穩(wěn)定。在$V_{GS(th)}$方面，上下橋的偏差在同溫度環(huán)境下小于0.07V，這體現(xiàn)了優(yōu)異的芯片一致性，對(duì)于多管并聯(lián)和橋式應(yīng)用至關(guān)重要 。

此外，與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品的對(duì)比分析進(jìn)一步突顯了基本半導(dǎo)體的性能優(yōu)勢(shì) 。在對(duì)BMF540R12KA3與CREE CAB530M12BM3的靜態(tài)參數(shù)比較中，雖然在

25°C下二者各有優(yōu)劣，但在150°C的實(shí)際工作溫度下，BMF540R12KA3的導(dǎo)通電阻$R_{DS(on)}和體二極管正向電壓V_{SD}$表現(xiàn)更佳，證明了其在實(shí)際高溫工況下的導(dǎo)通性能優(yōu)勢(shì) 。

3.2 開(kāi)關(guān)特性與損耗量化分析

開(kāi)關(guān)特性是衡量模塊高頻性能的核心指標(biāo)。BMF80R12RA3的雙脈沖測(cè)試數(shù)據(jù)顯示了其極低的動(dòng)態(tài)損耗 。該模塊的柵-漏電容$C_{rss}

相對(duì)較低（11pF），這直接導(dǎo)致了極小的米勒電荷，使得開(kāi)關(guān)速度更快，總柵極電荷Q_{G}$僅為220nC 。

在測(cè)試條件下，150°C時(shí)的開(kāi)通損耗$E_{on}$為2.43mJ，關(guān)斷損耗$E_{off}$為1.09mJ，總損耗$E_{total}$為3.52mJ（$I_{D}$=80A）。特別值得關(guān)注的是，其體二極管的反向恢復(fù)電荷量$Q_{rr}$在$150^{circ}C$下僅為1.25uC，這對(duì)于高頻、大電流的橋式應(yīng)用至關(guān)重要，因?yàn)闃O小的$Q_{rr}$意味著極低的反向恢復(fù)損耗$E_{rr}$ 。

與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手CREE的BMF540R12KA3模塊對(duì)比，基本半導(dǎo)體模塊在動(dòng)態(tài)性能上同樣表現(xiàn)出更強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力 。在

25°C和175°C的測(cè)試條件下，BMF540R12KA3的開(kāi)通延時(shí)$t_{d(on)}$和上升時(shí)間$t_{r}$均短于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，并且開(kāi)通$di/dt$更高，意味著更快的電流變化率。這些參數(shù)的優(yōu)勢(shì)共同造就了基本半導(dǎo)體模塊更低的開(kāi)通和關(guān)斷損耗 。

4. 典型應(yīng)用仿真：SiC模塊對(duì)系統(tǒng)效率的深遠(yuǎn)影響

電力電子仿真能夠直觀地量化SiC模塊在實(shí)際應(yīng)用中的系統(tǒng)級(jí)效益，揭示其對(duì)整機(jī)性能的深遠(yuǎn)影響。

4.1 工業(yè)電焊機(jī)：功率密度與效率的突破

在對(duì)20kW工業(yè)電焊機(jī)的仿真中，基本半導(dǎo)體的BMF80R12RA3（1200V 15mΩ）SiC模塊與英飛凌1200V 100A IGBT模塊進(jìn)行了對(duì)比 。仿真結(jié)果表明，即使將SiC模塊的開(kāi)關(guān)頻率從IGBT時(shí)代的20kHz提升至80kHz，其總損耗仍?xún)H為IGBT模塊的一半左右 。這一巨大的損耗優(yōu)勢(shì)直接帶來(lái)了整機(jī)效率的顯著提升。在

VDC?=540V，Pout?=20kW的工況下，IGBT系統(tǒng)的效率為97.10%，而SiC模塊系統(tǒng)在70kHz下可達(dá)98.82%，在80kHz下可達(dá)98.68%，整機(jī)效率提升接近1.58個(gè)百分點(diǎn) 。

這種損耗的急劇降低意味著系統(tǒng)能夠使用更小、更輕的散熱器，并減小電感、變壓器等無(wú)源元件的體積。這使得電焊機(jī)整體體積、重量和噪聲顯著降低，實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度。在移動(dòng)式工業(yè)設(shè)備中，這種體積和重量的減小具有巨大的商業(yè)價(jià)值，是SiC技術(shù)在應(yīng)用層面最直觀的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn) 。

4.2 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：高頻高電流下的卓越表現(xiàn)

在對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的仿真中，基本半導(dǎo)體的BMF540R12KA3 SiC模塊與英飛凌的IGBT模塊FF800R12KE7進(jìn)行了對(duì)比 。在

VDC?=800V，Irms?=300A的工況下，IGBT系統(tǒng)的單開(kāi)關(guān)總損耗為1119.22W，而SiC模塊僅為242.66W，損耗降低了約78% 。這使得整機(jī)效率從97.25%提升至99.39%，同時(shí)最高結(jié)溫也從129.14℃降至109.49℃，表明在相同工況下，SiC模塊的熱裕量更大，系統(tǒng)運(yùn)行更穩(wěn)定 。

更深層次的洞察來(lái)自對(duì)熱約束下系統(tǒng)功率邊界的分析。在嚴(yán)格的結(jié)溫Tj?≤175°C的約束下，SiC模塊可以支持520.5A的輸出電流，而IGBT僅能支持446A 。這一數(shù)據(jù)強(qiáng)有力地證明了SiC模塊通過(guò)其極低的開(kāi)關(guān)損耗，能夠在相同的熱預(yù)算內(nèi)，處理遠(yuǎn)超IGBT的更大電流，從而擴(kuò)展了系統(tǒng)的功率邊界。文檔中的“輸出電流 vs. 開(kāi)關(guān)頻率”曲線圖直觀地展示了IGBT的輸出電流能力隨頻率升高而迅速下降，而SiC模塊則在更寬的頻率范圍內(nèi)保持卓越的性能。

5. 驅(qū)動(dòng)方案：米勒鉗位功能在SiC應(yīng)用中的必要性與價(jià)值

5.1 米勒效應(yīng)：SiC高頻應(yīng)用的挑戰(zhàn)

SiC MOSFET的超快開(kāi)關(guān)速度（極高的dv/dt）是其核心優(yōu)勢(shì)，但同時(shí)也帶來(lái)了潛在的系統(tǒng)級(jí)挑戰(zhàn)——米勒效應(yīng) 。在橋式電路中，當(dāng)下管處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，上管的快速開(kāi)通會(huì)導(dǎo)致橋臂中點(diǎn)電壓快速上升。這個(gè)快速上升的電壓(

dv/dt)會(huì)通過(guò)下管的柵-漏寄生電容$C_{gd}$產(chǎn)生米勒電流$I_{gd}$，該電流會(huì)在柵極關(guān)斷電阻$R_{goff}上產(chǎn)生電壓降，從而使下管的門(mén)極電壓V_{gs}被抬高[1,1]。由于SiCMOSFET的開(kāi)啟電壓V_{GS(th)}$相對(duì)較低且隨溫度升高而下降，門(mén)極電壓一旦被抬高超過(guò)閾值，將可能導(dǎo)致下管出現(xiàn)誤導(dǎo)通，從而造成上下橋臂直通，損壞器件。這種因高性能帶來(lái)的高挑戰(zhàn)，必須通過(guò)專(zhuān)用的驅(qū)動(dòng)方案來(lái)解決。

5.2 米勒鉗位技術(shù)：抑制誤導(dǎo)通的有效對(duì)策

為應(yīng)對(duì)米勒效應(yīng)，基本半導(dǎo)體提供了包含米勒鉗位功能的驅(qū)動(dòng)方案 。該功能的原理在于：驅(qū)動(dòng)芯片在SiC MOSFET關(guān)斷期間，當(dāng)門(mén)極電壓低于某一設(shè)定閾值（如2V）時(shí)，會(huì)迅速導(dǎo)通內(nèi)部的MOSFET，為米勒電流提供一個(gè)超低阻抗的泄放路徑，直接將門(mén)極電荷鉗位到負(fù)電源軌，從而有效抑制門(mén)極電壓的波動(dòng) 。

波形測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，在沒(méi)有米勒鉗位功能的情況下，下管的門(mén)極電壓被抬高至7.3V，遠(yuǎn)高于SiC MOSFET的閾值電壓，存在嚴(yán)重的誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn) 。而在啟用米勒鉗位功能后，下管的門(mén)極電壓被有效鉗位在2V甚至0V，徹底消除了誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn) 。這一量化對(duì)比有力證明了該驅(qū)動(dòng)方案的必要性和有效性。

5.3 配套驅(qū)動(dòng)方案解析

基本半導(dǎo)體深知驅(qū)動(dòng)方案對(duì)于充分釋放SiC模塊性能的重要性，因此提供了一套完整的系統(tǒng)級(jí)解決方案 。該方案不僅包含具備米勒鉗位功能的隔離驅(qū)動(dòng)芯片（如BTD5350MCWR），還提供了專(zhuān)用的隔離電源芯片（如BTP1521）。這種“一站式”的配套方案極大地降低了用戶從頭開(kāi)始設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路的門(mén)檻和風(fēng)險(xiǎn)，確保了SiC模塊在實(shí)際應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。

6. 結(jié)論與設(shè)計(jì)建議

綜上所述，基本半導(dǎo)體SiC MOSFET模塊系列憑借其在損耗、可靠性和系統(tǒng)集成方面的多重優(yōu)勢(shì)，在現(xiàn)代電力電子應(yīng)用中展現(xiàn)出壓倒性的技術(shù)領(lǐng)先性。其核心價(jià)值不僅僅在于單個(gè)參數(shù)的優(yōu)異，更在于通過(guò)高性能芯片、先進(jìn)封裝（Si?N?基板）、創(chuàng)新架構(gòu)（內(nèi)置SBD）和專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)方案（米勒鉗位）構(gòu)成的完整技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)。這使得模塊能夠從容應(yīng)對(duì)高頻、高功率密度和高溫等嚴(yán)苛挑戰(zhàn)，并為終端系統(tǒng)帶來(lái)實(shí)實(shí)在在的效率提升和體積減小。

對(duì)于電力電子工程師而言，在進(jìn)行SiC模塊選型時(shí)，應(yīng)改變傳統(tǒng)的思維模式，將關(guān)注點(diǎn)從單純的導(dǎo)通電阻$R_{DS(on)}$擴(kuò)展到更具決定性的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)損耗，并結(jié)合實(shí)際應(yīng)用仿真數(shù)據(jù)進(jìn)行評(píng)估。同時(shí)，必須認(rèn)識(shí)到高性能SiC模塊需要搭配同樣高性能的專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)方案，以充分釋放其性能潛力并規(guī)避米勒效應(yīng)等潛在風(fēng)險(xiǎn)。SiC技術(shù)代表了未來(lái)電力電子發(fā)展的必然趨勢(shì)，其在工業(yè)、儲(chǔ)能、新能源汽車(chē)和消費(fèi)電子等領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用前景值得期待。

深圳市傾佳電子有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“傾佳電子”）是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動(dòng)者：

傾佳電子成立于2018年，總部位于深圳福田區(qū)，定位于功率半導(dǎo)體與新能源汽車(chē)連接器的專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)商，業(yè)務(wù)聚焦三大方向：

新能源：覆蓋光伏、儲(chǔ)能、充電基礎(chǔ)設(shè)施；

交通電動(dòng)化：服務(wù)新能源汽車(chē)三電系統(tǒng)（電控、電池、電機(jī)）及高壓平臺(tái)升級(jí)；

數(shù)字化轉(zhuǎn)型：支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應(yīng)用。

公司以“推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC替代進(jìn)口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命，響應(yīng)國(guó)家“雙碳”政策（碳達(dá)峰、碳中和），致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。

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審核編輯 黃宇