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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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全球最大SiC襯底廠商破產(chǎn)！年內有望完成重組

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）? 當?shù)貢r間6月22日，全球最大的碳化硅襯底制造商Wolfspeed正式宣告破產(chǎn)，并公布了與主要債權人達成的《支持重組協(xié)議...

2025-06-24 標簽：SiC 5195 0

SiC/磁材破局關鍵戰(zhàn)！百余位技術精英聚首東莞

在“雙碳”目標的驅動下，光儲充產(chǎn)業(yè)迎來爆發(fā)式增長，但效率瓶頸、安全焦慮與成本高壓仍是橫亙在行業(yè)面前的三座大山。 6月26日，第十六屆光儲充關鍵元器件技術...

2025-06-23 標簽：SiC 182 0

SiC、磁集成、AI調度、雙向逆變，這場會把光儲充系統(tǒng)問題講透了

在光伏、儲能與充電樁系統(tǒng)融合趨勢下，元器件定義方式、協(xié)同方式與系統(tǒng)集成路徑的在發(fā)生變化，磁性元件、功率開關器件、驅動芯片、封裝材料與導熱結構等元器件必須...

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基于SiC碳化硅模塊的125kW工商業(yè)儲能PCS解決方案：效率躍升1%

傾佳電子推廣基于SiC碳化硅的125kW工商業(yè)儲能PCS解決方案：效率躍升1% 隨著全球工商業(yè)儲能市場向高功率密度、高效率方向快速演進，傳統(tǒng)IGBT方案...

2025-06-23 標簽：SiC 儲能變流器 168 0

英飛凌新一代750V SiC MOSFET產(chǎn)品亮點

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東芝推出兩項創(chuàng)新技術提升碳化硅功率器件性能

日本川崎——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(簡稱“東芝”)研發(fā)了一項創(chuàng)新技術，該技術可在增強溝槽型碳化硅(SiC)MOSFET[2]的UIS耐用性[3]...

2025-06-20 標簽：二極管 MOSFET 東芝 425 0

新品 | 采用CoolSiC? 400V SiC MOSFET的ANPC三電平虛擬評估板

新品采用CoolSiC400VSiCMOSFET的ANPC三電平虛擬評估板該虛擬設計（提供設計文件，不提供實物產(chǎn)品）為3L-ANPC拓撲，是帶隔離的三相...

2025-06-19 標簽：MOSFET SiC 評估板 579 0

SGS亮相第四屆功率半導體產(chǎn)業(yè)論壇

近日，第四屆功率半導體產(chǎn)業(yè)論壇在蘇州召開，作為國際公認的測試、檢驗和認證機構，SGS受邀出席并發(fā)表《車規(guī)功率器件可靠性認證與SiC適用性探討》主題演講，...

2025-06-17 標簽：功率器件 SiC 功率半導體 565 0

2025 OktoberTech?精彩回顧一： CoolSiC?碳化硅新品發(fā)布，性能指標領跑全行業(yè)

近日，英飛凌在上海舉辦的2025OktoberTech大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會在上海順利落下帷幕。本次活動中，英飛凌推出多款CoolSiC碳化硅重磅新產(chǎn)品，...

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方正微電子精彩亮相SNEC 2025

近日，在第十八屆SNEC PV展，深圳方正微電子（FMIC）首次以“SiC功率專家”的品牌形象成功亮相光儲行業(yè)，向客戶展示了第三代半導體SiC產(chǎn)品在智慧...

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突發(fā)！歐系Tier1拋售6寸SiC晶圓廠，牽一發(fā)而動全身

第三類半導體碳化矽（SiC）自 2023 年由中系業(yè)者打破過往料源產(chǎn)出瓶頸后，不僅打通了整個產(chǎn)業(yè)的上下游通道，實現(xiàn)供貨順暢且成本快速下降，同時也如同一面...

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突破性能邊界：基本半導體B3M010C075Z SiC MOSFET技術解析與應用前景 ? ? ? ? 在高效能電力電子系統(tǒng)飛速發(fā)展的今天，碳化硅（Si...

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SiC 市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結構詳解

Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。...

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）碳化硅（SiC）MOSFET已成為功率半導體行業(yè)技術演進的重要方向。相比其他現(xiàn)有技術，SiC MOSFET在性能上展現(xiàn)出顯...

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