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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>華邦針對SiP市場推出32bit SDR/DDR利基型內(nèi)存

華邦針對SiP市場推出32bit SDR/DDR利基型內(nèi)存

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2025-06-12 13:55:50

上海貝嶺推出全新DDR5 SPD芯片BL5118

隨著計算密集型任務(wù)的日益增長,DDR4內(nèi)存的性能瓶頸已逐步顯現(xiàn)。DDR5的出現(xiàn)雖解燃眉之急,但真正推動內(nèi)存發(fā)揮極致性能的背后“功臣”——正是 DDR5 SPD(Serial Presence Detect)芯片。
2025-06-11 10:07:301913

基DRAM市場趨勢

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,基于產(chǎn)品和市場特性,DRAM可分為主流DRAM和基DRAM。主流DRAM產(chǎn)品具有大容量、高傳輸速率的特點,主要應(yīng)用于智能手機、個人計算機、服務(wù)器等大規(guī)模標準化電子設(shè)備。其市場
2025-06-07 00:01:004202

AI PC內(nèi)存升級,這顆DDR5 PMIC一馬當(dāng)先

PC處理器對DDR5的支持,DDR5內(nèi)存將更快滲透普及。相較于DDR4,所有電壓由主板供給,DDR5中內(nèi)存模組搭載PMIC,PMIC是實現(xiàn)高效供電的關(guān)鍵,能夠為先進的計算應(yīng)用提供突破性的性能表現(xiàn)。Rambus最近推出面向下一代AI PC內(nèi)存模塊的完整客戶端芯片組,包含兩款用于客戶端計算的全新電源
2025-05-29 09:11:208127

DDR系列連接器主要應(yīng)用于工控和主板領(lǐng)域等

CJTconnDDR系列產(chǎn)品介紹長江連接器有限公司長江連接器·DDR產(chǎn)品?DDR(DoubleDataRate)內(nèi)存的主要特性包括?:雙倍數(shù)據(jù)率?:DDR內(nèi)存的核心特性是其雙倍數(shù)據(jù)率,每個時鐘周期
2025-05-17 23:35:17929

電子創(chuàng)新存儲賦能端側(cè)智能端側(cè)

人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展,#端側(cè)AI 正在成為智能設(shè)備發(fā)展的重要趨勢。電子正憑借其卓越存儲技術(shù)和豐富的產(chǎn)品,積極布局端側(cè) AI 市場,為智能設(shè)備提供高性能、低功耗、高可靠性的存儲支持。
2025-05-14 09:59:231178

ez-usb3.0如何更改slfifosync中的數(shù)據(jù),可以生成8bit數(shù)據(jù)位的usb固件?

使用gpif ii生成.h文件后,ez usb suite中載入slfifosync文件夾,并將.h文件放進去。由于原slfifosync中好像只能選擇16或者32bit數(shù)據(jù)位的,生成的.img燒錄
2025-05-14 07:53:28

看點:三星DDR4內(nèi)存漲價20% 華為與優(yōu)必選全面合作具身智能

給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊: 三星DDR4內(nèi)存漲價20%? 存儲器價格跌勢結(jié)束,在2025年一季度和第二季度,價格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報道稱,三星公司DDR4內(nèi)存開始漲價,在本月
2025-05-13 15:20:111204

昂科燒錄器支持Winbond電子的串行閃存W35T51NWTB

作為芯片燒錄行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,昂科技術(shù)近期重磅發(fā)布燒錄軟件的全新版本。隨著此次迭代升級,昂科技術(shù)還披露了一批新適配的芯片型號。值得關(guān)注的是,電子研發(fā)的 W35T51NWTB串行閃存已順利通過技術(shù)適配
2025-05-13 10:22:27615

DDR4漲價20%,DDR5上調(diào)5%!

最新消息,三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價達成一致。DDR4 DRAM價格平均上漲兩位數(shù)百分比;DDR5價格上漲個位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%,DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006843

Cadence推出DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2內(nèi)存IP系統(tǒng)解決方案

楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布率先推出基于臺積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足
2025-05-09 16:37:44905

TPS51116 完整的DDRDDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊

TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031

電子積極布局AI推理存儲,以定制化內(nèi)存助AI眼鏡升級

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)在2025慕尼黑上海電子展上,電子展示Flash、CMS(Customized Memory Solution)、TrustME?安全閃存三大類產(chǎn)品。電子產(chǎn)品
2025-04-29 16:19:522015

TPS51916 DDR2/3/3L/4 內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊

TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 (VDDQ),具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO (VTT) 和緩沖低噪聲基準 (VTTREF)。
2025-04-28 10:58:44657

基礎(chǔ)軟件與氪科技達成戰(zhàn)略合作

近日,普基礎(chǔ)軟件股份有限公司(以下簡稱普基礎(chǔ)軟件)與上海利氪科技有限公司(以下簡稱氪科技)在上海國際車展上正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。在普基礎(chǔ)軟件董事、總經(jīng)理劉宏倩與氪科技創(chuàng)始人兼董事長惠志峰的共同見證下,普基礎(chǔ)軟件副總經(jīng)理陳云然與氪科技首席技術(shù)官蘇干廳代表雙方簽署協(xié)議。
2025-04-27 16:23:42733

TPS51216-EP 增強型產(chǎn)品 完整的 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存電源解決方案 同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊

TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 (VDDQ) 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO (VTT) 和緩
2025-04-26 11:12:30681

深圳運算放大器市場分析:如何抓住新興領(lǐng)域機遇?

深圳運算放大器需求激增,瞄準電子煙、MEMS傳感器、車載電子等賽道,以創(chuàng)新芯片方案搶占市場,適配智能化趨勢。
2025-04-21 16:05:39501

大型文件秒開、多開任務(wù)流暢——DDR5的優(yōu)勢遠不止頻率

如果把CPU比作廚師,內(nèi)存就是廚房的操作臺,DDR5內(nèi)存相當(dāng)于給廚師換了一個更大、更快、更整潔的操作臺,做起菜來自然效率提升。隨著DDR5內(nèi)存價格逐步下降,這項具備更高帶寬和超大容量的新技術(shù),正在
2025-04-18 10:34:1371

DC-DC電源管理芯片的市場價值與應(yīng)用前景

分析全球和中國DC-DC電源管理芯片市場的發(fā)展趨勢,以及在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2025-04-15 17:04:551234

智啟存儲未來,電子攜三大產(chǎn)品矩陣亮相2025慕尼黑上海電子展

全球半導(dǎo)體存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商電子(以下簡稱“”)今日正式亮相2025年慕尼黑上海電子展(N5館309展位),以“芯存綠意·共創(chuàng)未來”為主題,全面呈現(xiàn)其在車用電子、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)及邊緣計算
2025-04-15 15:30:29762

技嘉Z890鈦雕主板以DDR5-12762MHz登頂內(nèi)存超頻之巔 重寫性能天花板

2025年4月3日?——全球硬件品牌技嘉科技今日宣布,其旗艦級超頻主板Z890 AORUS TACHYON ICE(鈦雕)通過采用XPG 龍耀 D500G DDR5內(nèi)存及液氮(LN2)散熱技術(shù),成功
2025-04-03 17:52:45803

電子存儲芯片驅(qū)動智能汽車升級

電子作為全球第五大車用存儲廠商,憑借自主晶圓廠與中低容量產(chǎn)品矩陣,精準定位高速增長賽道。在近期 OFweek 2025 汽車電子技術(shù)在線會議中,電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪解讀了三大技術(shù)核心,分享了智能汽車存儲產(chǎn)業(yè)的最新洞察。
2025-04-02 09:38:141684

燦芯半導(dǎo)體推出DDR3/4和LPDDR3/4 Combo IP

燦芯半導(dǎo)體(上海)股份有限公司(燦芯股份,688691)宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性,支持DDR
2025-03-21 16:20:03984

DDR內(nèi)存控制器的架構(gòu)解析

DDR內(nèi)存控制器是一個高度集成的組件,支持多種DDR內(nèi)存類型(DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2),并通過精心設(shè)計的架構(gòu)來優(yōu)化內(nèi)存訪問效率。
2025-03-05 13:47:403573

4088芯片:信息與技術(shù)支持服務(wù)

介紹4088芯片的基礎(chǔ)信息,包括充電芯片的性能、應(yīng)用等特點與優(yōu)勢
2025-02-24 14:19:412275

DLPC410的datasheet寫明1bit的刷新率可以達到32KHz,在目前的EVM上可以實現(xiàn)嗎?

1. DLPC410的datasheet寫明1bit的刷新率可以達到32KHz,在目前的EVM上可以實現(xiàn)嗎? 2. 如果第1個問題回答是否定的,那么如何設(shè)計才能達到高刷新率? 3.EVM上的內(nèi)存DDR2,如果提升為DDR3或者DDR4是否可以提高刷新率?
2025-02-21 10:23:16

DDR4或年內(nèi)停產(chǎn),三大廠商引發(fā)內(nèi)存市場變局

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,日前,日媒報道由于DRAM內(nèi)存芯片價格持續(xù)下滑,全球三大原廠三星、SK海力士和美光計劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示,2025年1月,DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:002803

未來展望:在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的雄心壯志

預(yù)測未來的發(fā)展方向,包括擴大生產(chǎn)規(guī)模、增強市場份額和響應(yīng)國家政策等方面。
2025-02-19 15:38:20766

SiP藍牙芯片在項目開發(fā)及應(yīng)用中具有什么優(yōu)勢?

昇潤科技推出的BLE藍牙SiP芯片是一種通過先進封裝技術(shù)將多個功能組件集成到單一封裝中的解決方案,在市場應(yīng)用中,其設(shè)計、性能在不同應(yīng)用場景中都具有一定優(yōu)勢,高集成度使得外圍電路設(shè)計更簡單;小體積使其
2025-02-19 14:53:20

三大內(nèi)存原廠或?qū)⒂?025年停產(chǎn)DDR3/DDR4

DDR5內(nèi)存已成為市場主流,并逐步取代DDR4內(nèi)存。值得注意的是,消費級平臺已不再支持DDR4,這使得DDR4內(nèi)存開始加速向DDR3目前所占據(jù)的市場轉(zhuǎn)移。 若三大內(nèi)存原廠真的決定停產(chǎn)DDR3和DDR4,這無疑將對內(nèi)存市場產(chǎn)生深遠影響。一方面,這將促使現(xiàn)有DDR3和DDR4內(nèi)存庫存
2025-02-19 11:11:513460

HMCG78AEBRA內(nèi)存

HMCG78AEBRA是一款高性能的16GB DDR5 4800 RDIMM內(nèi)存條,專為需要高帶寬和高效能的應(yīng)用而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用288-Pin RDIMM封裝,支持1.1V低電壓運行,能夠有效
2025-02-14 07:17:55

電子安全閃存關(guān)鍵知識點

黑客攻擊?高溫考驗?駕駛安全?通通沒在怕的!1月15日,電子舉辦了“安全閃存強化車用電子安全性”為主題的線上研討會。為了讓沒能參加這場線上研討會的友們也可以清晰 Get 安全閃存關(guān)鍵知識點,
2025-02-12 18:15:031215

MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊

;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊,專為滿足現(xiàn)代計算需求而設(shè)計。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性,廣泛應(yīng)用于個人電腦、服務(wù)器和嵌入式系統(tǒng)中,成為市場上備
2025-02-10 20:10:39

8GB DDR4 ECC UDIMM

如需了解價格貨期等具體信息,歡迎在首頁找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言,留言會被吞,收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 產(chǎn)品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47

DDR內(nèi)存的工作原理和信號組成

內(nèi)存(DRAM-Random Access Memory)作為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的核心組件之一,在計算機、汽車與消費電子產(chǎn)品上可謂無所不在。
2025-02-10 17:42:185046

M471A2G43AB2-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊

M471A2G43AB2-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊,具有 16GB 的容量,專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進技術(shù),適用于各種
2025-02-10 07:49:49

M425R2GA3PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊

M425R2GA3PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊,具有 16GB 的容量,專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進技術(shù),適用于各種
2025-02-10 07:49:16

M471A1G44CB0-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊

M471A1G44CB0-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊,具有 8GB 的容量,專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進技術(shù),適用于各類
2025-02-10 07:48:41

M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊

 M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊,具有 8GB 的容量,專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了最新的 DDR5 技術(shù),具有
2025-02-10 07:47:57

DDR4內(nèi)存價格下跌,NAND閃存減產(chǎn)效果未顯

TrendForce集咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告顯示,DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢。
2025-02-08 16:41:02930

威剛工控發(fā)布DDR5 6400高性能內(nèi)存

全球工業(yè)級嵌入式存儲領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)品牌ADATA威剛科技,近期正式推出了其最新的工業(yè)級DDR5 6400 CU-DIMM與CSO-DIMM內(nèi)存產(chǎn)品,為高性能運算(HPC)領(lǐng)域注入了新的活力。 這兩款內(nèi)存
2025-02-08 10:20:131039

DRAM與NAND閃存市場低迷,DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)下滑

近日,據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce集咨詢最新發(fā)布的報告指出,DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢。 特別是在DRAM市場方面,春節(jié)長假過后,消費者對于DRAM的需求并未如預(yù)期
2025-02-06 14:47:47930

不挑硬件,親民之選,亦逍遙DDR5內(nèi)存裝機評測

雖然目前DDR5高頻內(nèi)存已經(jīng)相當(dāng)普及了,但還是有一些用戶始終對頻率不怎么敏感。他們追求更為親民的裝機成本,對超頻了解也有限,單純希望內(nèi)存可以做到穩(wěn)定兼容,到手即用。對于這類用戶來說,裸條其實是個不錯
2025-01-24 11:18:52996

創(chuàng)見推出DDR5 6400 CUDIMM內(nèi)存

創(chuàng)見(Transcend)近日宣布面向消費領(lǐng)域推出DDR5 6400 CUDIMM內(nèi)存條,為硬件市場注入新活力。 該系列最先面世的型號為16GB容量單條模組,專為游戲玩家、內(nèi)容創(chuàng)作者、計算機DIY
2025-01-24 11:16:181754

電子2024年度大事件回顧

新春佳節(jié)即將到來,在此辭舊迎新之際,博士和大家一起回顧 2024 年精彩紛呈、收獲頗豐的“芯”路歷程。
2025-01-22 14:11:311133

德明DDR5內(nèi)存助力AI PC時代存儲性能與市場增長

側(cè)應(yīng)用落地高率、大容量、低延遲與高帶德明最新推出針對AIPC的DDR5SO-DIMM和U-DIMM內(nèi)存模組系列產(chǎn)品,單條內(nèi)存容量高達48GB,理論帶寬32GB/
2025-01-21 16:34:412426

一圖讀懂德明內(nèi)存條產(chǎn)品線

一圖讀懂德明內(nèi)存條產(chǎn)品線
2025-01-21 15:42:411436

HOTCHIP如何讓HT4928S移動電源管理芯片使用壽命更長?

科技有限公司研發(fā)推出。 HT4928S 芯片在移動電源中的使用壽命受多種因素影響,沒有具體固定的年限,但一般來說可以使用數(shù)年甚至更長時間。
2025-01-15 15:19:51895

微電子推出LCD背光驅(qū)動芯片SGM3791

微電子推出了具備黑幀插入功能的 LCD 背光驅(qū)動芯片 SGM3791。該芯片采用了自主研發(fā)專利技術(shù),有效解決了插黑帶來的輸入電流沖擊。
2025-01-10 15:06:591842

國產(chǎn)DDR5內(nèi)存上市,內(nèi)存市場價格戰(zhàn)一觸即發(fā)

隨著國產(chǎn)DDR5內(nèi)存的上市,內(nèi)存市場的競爭態(tài)勢即將迎來新的變化。DRAM內(nèi)存作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的明星產(chǎn)品,據(jù)市調(diào)機構(gòu)Trendforce預(yù)估,2024年全球DRAM內(nèi)存的產(chǎn)值將達到約907億美元。
2025-01-07 15:53:292422

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