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Diodes發(fā)布DFN3020封裝分立式MOSFET

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2025-07-04 14:16:52710

新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET

新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封裝(TO-263-7),該系列導(dǎo)通電阻(RDS
2025-07-01 17:03:111321

TOLL和DFN封裝CoolGaN? 650V G5第五代氮化鎵功率晶體管

新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效,符合業(yè)界最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),助力打造兼具超高效率與卓越
2025-06-26 17:07:332034

高功率DC-DC應(yīng)用設(shè)計新方案:DFN3.3x3.3源極朝下封裝技術(shù)

專為高功率密度應(yīng)用而設(shè)計的 DFN3.3x3.3 源極朝下封裝,采用創(chuàng)新的柵極中置布局技術(shù),可大幅簡化 PCB 走線設(shè)計。 日前,集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商
2025-06-18 15:18:491438

東芝DFN2020B(WF)封裝提高可靠性

隨著汽車電子化、智能化進程不斷加速,車載系統(tǒng)對元器件的可靠性、小型化及熱管理能力提出了前所未有的嚴(yán)苛要求。在此背景下,東芝推出DFN2020B(WF)封裝,在2.0mm×2.0mm的小型體積下,實現(xiàn)了1.84W的高耗散功率,為車載功率器件提供了高密度集成與熱性能優(yōu)化的雙重解決方案。
2025-06-16 17:50:31901

Diodes公司多款最新產(chǎn)品概述

Diodes 公司擴大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合,推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FOM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管。
2025-06-06 16:09:51867

立式同步電機起動分析

純分享帖,需要者可點擊附件免費獲取完整資料~~~*附件:立式同步電機起動分析.pdf【免責(zé)聲明】本文系網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請第一時間告知,刪除內(nèi)容!
2025-06-06 14:20:20

IP6802 5W方案

本文介紹了國內(nèi)團隊自主研發(fā)的無線充電芯片IP6802,其單芯片構(gòu)建完整生態(tài)IP6802的革命性突破,將傳統(tǒng)分立式電路濃縮為單芯片解決方案,實現(xiàn)了智能功率管理、動態(tài)功率管理、溫度守護者等功能。
2025-06-02 08:57:00568

合科泰TO-252封裝的MOS管介紹

在功率器件領(lǐng)域,TO-252封裝的MOS管因緊湊尺寸與性價比優(yōu)勢成為工業(yè)場景的主流選擇。合科泰HKTD80N06通過單芯片工藝革新,在標(biāo)準(zhǔn)封裝內(nèi)實現(xiàn)性能突破,為新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域提供“高可靠、低阻抗、易散熱”的核心器件,助力B端客戶提升產(chǎn)品競爭力。
2025-05-29 10:09:481551

【產(chǎn)品介紹】DFN1006和DFN0603 封裝——5V 超低電容帶回掃ESD

上海雷卯推出兩款5V,小封裝DFN1006和DFN0603),帶回掃,低鉗位電壓VCmax的防靜電二極管:ULC0521CLV、ULC0542CLV。帶回掃ESD和普通ESD二極管電性參數(shù)圖如下:我們可以看到,普通的ESD是隨著IPP
2025-05-23 16:16:19877

Nexperia MLPAK33封裝60V MOSFET助力優(yōu)化電源開關(guān)性能

、高性能、高可靠性,同時也注重成本效益。因此,對于大部分電源、充電器、電池管理系統(tǒng) (BMS) 和電機驅(qū)動器,關(guān)鍵在于以適當(dāng)?shù)男〕叽?b class="flag-6" style="color: red">封裝和合適的價格提供恰當(dāng)?shù)腞DS(on)值。Nexperia新發(fā)布的MLPAK33封裝的60 V MOSFET系列產(chǎn)品正好滿足了這一市場需求。
2025-05-23 13:33:33779

東芝推出新型650V第3代SiC MOSFET

”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù),并采用緊湊型DFN8×8封裝,適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。
2025-05-22 14:51:22901

LM7332 雙路、32V、19MHz運算放大器技術(shù)手冊

運算放大器的輸出電流。具有高輸出電流要求的電路設(shè)計通常需要分立式晶體管,因為許多運算放大器的電流輸出較低。LM7332 具有足夠大的電流輸出,能夠直接驅(qū)動許多負(fù)載,從而節(jié)省分立式晶體管所需的成本和空間。
2025-05-19 11:38:05945

Diodes公司推出五款高性能650V碳化硅肖特基二極管

。DSCxxA065LP 系列的額定電流為 4A、6A、8A、10A 及 12A,采用超高熱效率的 T-DFN8080-4 封裝,專為高效率電源開關(guān)產(chǎn)品應(yīng)用而設(shè)計,例如直流對直流、交流轉(zhuǎn)直流、可再生能源、數(shù)據(jù)中心 (特別是處理大量人工智能運算的數(shù)據(jù)中心) ,以及工業(yè)電機驅(qū)動等。
2025-05-12 16:06:34897

2.4G芯片DFN封裝的作用是什么

2.4G芯片DFN封裝的作用是什么 在無線通信技術(shù)快速發(fā)展的今天,2.4G頻段因其廣泛的應(yīng)用場景(如Wi-Fi、藍牙、ZigBee等)成為高頻芯片設(shè)計的重要領(lǐng)域。而DFN(Dual Flat
2025-04-30 10:31:321206

2N7002KDW SOT363:小封裝、高ESD保護的N溝道MOSFET規(guī)格書

2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET,集成了ESD保護功能,兼具低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))與高耐壓(60V)特性。其超小封裝和低閾值電壓(VTH=1.6V)使其成為便攜式設(shè)備、信號開關(guān)和ESD敏感電路的理想選擇。
2025-04-29 18:14:340

2N7002KDW SOT363:小封裝、高ESD保護的N溝道MOSFET,助力精密電路設(shè)計

2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET,集成了ESD保護功能,兼具低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))與高耐壓(60V)特性。其超小封裝和低閾值電壓(VTH=1.6V)使其
2025-04-27 16:59:26

HMC960LP4E集成驅(qū)動器的DC -100 MHz雙通道數(shù)字可變增益放大器技術(shù)手冊

HMC960LP4E是一款數(shù)字可編程雙通道可變增益放大器。 該器件支持0到40 dB分立式增益步進,步長為精確的0.5 dB。 該器件采用無毛刺架構(gòu),具有出色的平滑增益躍遷性能。 器件的匹配增益路徑提供寬信號帶寬內(nèi)出色的正交平衡。
2025-04-19 15:17:41889

半導(dǎo)體封裝中的片工藝介紹

片(Die Bond)作為半導(dǎo)體封裝關(guān)鍵工序,指通過導(dǎo)電或絕緣連接方式,將裸芯片精準(zhǔn)固定至基板或引線框架載體的工藝過程。該工序兼具機械固定與電氣互聯(lián)雙重功能,需在確保芯片定位精度的同時,為后續(xù)鍵合、塑封等工藝創(chuàng)造條件。
2025-04-18 11:25:573081

LTM4681輸入和輸出的電容可以使用0805封裝嗎?

LTM4681 輸入和輸出的電容,可以使用0805封裝的嗎?
2025-04-17 06:49:05

比傳統(tǒng)封裝小40%!TO-252為何成為智能硬件的核心選擇?

隨著智能家居設(shè)備向“更小、更高效”進化功率器件的體積、能效、可靠性成為核心挑戰(zhàn),TO252封裝分立器件以五大優(yōu)勢重新定義行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2025-04-09 18:32:371651

Littelfuse新型1300V A5A溝槽分立式IGBT在電動汽車中的應(yīng)用

Littelfuse推出新型1300V A5A溝槽分立式IGBT,專為800V電動汽車(BEV)應(yīng)用而設(shè)計。這些IGBT具有優(yōu)化的集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat))、強大的短路能力和更大
2025-04-09 10:15:141819

替代LT8301微功率反激隔離開關(guān)控制器SOT23-5封裝

/1.5A電源開關(guān)提供高達6W的輸出功率。PC4401具有欠壓鎖定(UVLO)功能)短路保護(SCP)及以上溫度保護(OTP)以幫助設(shè)備安全可靠地運行。PC4401采用5引腳TSOT-23封裝。特征:?3V至
2025-04-08 10:43:00

JFE150 超低噪聲、低柵極電流、音頻、N 溝道JFET技術(shù)手冊

JFE150 是使用德州儀器 (TI) 的現(xiàn)代高性能模擬雙極工藝構(gòu)建的 Burr-Brown? 分立式 JFET。JFE150 具有以前較舊的分立式 JFET 技術(shù)所不具備的性能。JFE150 提供
2025-04-02 15:03:051553

JFE2140 雙路、超低噪聲、低柵極電流音頻N溝道JFET技術(shù)手冊

JFE2140 是使用德州儀器 (TI) 現(xiàn)代高性能模擬雙極工藝構(gòu)建的 Burr-Brown? 音頻、匹配對分立式 JFET。JFE2140 具有以前較舊的分立式 JFET 技術(shù)所不具備的性能
2025-04-02 09:39:161693

AD8312 50MHz至3.5GHz、45dB RF對數(shù)檢波器技術(shù)手冊

AD8312是一款用于RF信號測量的低成本完整子系統(tǒng),工作頻率范圍為50 MHz至3.5 GHz,典型動態(tài)范圍為45 dB,主要用于各種蜂窩手機和其它無線設(shè)備。與采用分立式二極管檢波器的方案相比,它能夠提供更寬的動態(tài)范圍和更高的精度,在-40°C至+85°C整個工作溫度范圍內(nèi)的溫度穩(wěn)定性尤為出色。
2025-03-25 16:15:341042

AD8314 100MHz至2.7GHz 、45dB RF檢波器/控制器技術(shù)手冊

AD8314是一款用于RF信號測量與控制的低成本完整子系統(tǒng),工作頻率范圍為100 MHz至2.7 GHz,典型動態(tài)范圍為45 dB,主要用于各種蜂窩手機和其它無線設(shè)備。與采用分立式二極管檢波器的方案
2025-03-25 13:44:57992

ADL5506 30MHz至4.5GHz、 45dB RF檢波器技術(shù)手冊

ADL5506是一款完整的低成本子系統(tǒng),用于30 MHz至4.5 GHz頻率范圍內(nèi)的RF信號測量,典型動態(tài)范圍為45 dB,主要用于各種無線終端設(shè)備。與采用分立式二極管檢波器的方案相比,它能夠提供更寬的動態(tài)范圍和更高的精度,在?40°C到+85°C溫度范圍內(nèi)的溫度穩(wěn)定性尤為出色。
2025-03-24 16:46:39941

INA351A 具有集成基準(zhǔn)放大器的低功耗儀表放大器技術(shù)手冊

性能。這使得 INA351A 成為替代分立式 INA 實現(xiàn)方案的理想解決方案,可實現(xiàn)更高的性能和更緊湊的設(shè)計,同時最大限度地降低對物料清單 (BOM) 成本的影響。
2025-03-24 09:43:001195

Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)

近日,Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性,還采用了先進的表面貼(SMD
2025-03-20 11:18:11963

TO-252封裝N溝道MOSFET,智能機器人領(lǐng)域的首選器件

供電、執(zhí)行器控制等多個方面。特別是在需要快速響應(yīng)和高效率的場合,TO-252封裝的N溝道MOSFET更是表現(xiàn)出色。
2025-03-14 14:14:082251

TO-252封裝產(chǎn)品,為智能插座提供全場景解決方案

隨著智能家居的普及,智能插座作為電力控制與數(shù)據(jù)傳輸?shù)年P(guān)鍵節(jié)點,其核心器件的高效性和可靠性至關(guān)重要。TO-252封裝以其散熱性能優(yōu)異、體積緊湊、安裝便捷等特點,成為智能插座分立器件的主流選擇。合科泰半
2025-03-14 14:04:001342

求助,關(guān)于STM32MP157D的CPU頻率問題求解

我使用的Linux版本是:6.1.28,我的電源管理是分立式原件,\"VDD_CORE\"實際是1.212V,設(shè)備樹中是這樣的: vddcore
2025-03-14 06:26:32

ESD05D6BU DFN0603塑料封裝ESD保護二極管規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ESD05D6BU DFN0603塑料封裝ESD保護二極管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-13 16:20:010

ESD03D6BU DFN0603塑料封裝ESD保護二極管規(guī)格書

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2025-03-13 16:16:140

ESD05D6BN DFN0603塑料封裝ESD保護二極管規(guī)格書

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2025-03-13 15:51:510

GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數(shù)據(jù)手冊

1MHz的高頻段,電源效率也可達到96.5%以上。另外,通過采用通用性高的DFN封裝,不僅散熱性能出色,還非常易于安裝。 *附件:GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數(shù)據(jù)手冊
2025-03-07 17:40:40847

SS6208率能半導(dǎo)體電機驅(qū)動芯片代理供應(yīng)

芯片簡介 SS6208 將半橋 MOSFET 驅(qū)動器(高邊+ 低邊)集成到 3mm*3mm 8-pins DFN封裝中。 與分立元件解決方案相比,SS6208 集成解決 方案大大減少了分立
2025-03-07 09:27:56

應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結(jié)

的快速轉(zhuǎn)變率和高開關(guān)頻率能力中獲得顯著優(yōu)勢,并由于其大的暴露熱墊而提高其熱性能,顯示出比其他流行的表面貼封裝(如to lead-Less和D2PAK)更好的功耗能力,這些封裝廣泛用于分立功率器件。通過
2025-02-25 10:36:391037

SOD1001-1塑料,表面貼封裝

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2025-02-20 13:53:250

SOT8037-1 DFN3030-10:無引線塑料封裝

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2025-02-19 17:06:350

PMEG3020CPAS-Q雙路肖特基勢壘整流器規(guī)格書

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2025-02-19 17:04:280

SOT8038-1塑料熱增強型表面貼封裝

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2025-02-19 16:28:460

Samtec分立式電纜組件產(chǎn)品推薦

對于硬件工程師,互連設(shè)計是門基本功。有經(jīng)驗的工程師都知道,互連設(shè)計除了要實現(xiàn)所需的電氣連接性能,還要滿足小型化、可靠性、安全性等諸多方面的要求,做起來并不簡單。
2025-02-19 11:25:16921

CS1262封裝

誰有CS1262的封裝庫或者 DEMO 開發(fā)板的資料
2025-02-14 14:59:00

SN74ALVC164245封裝中,DL、DGG性能一致嗎?

沒有問題吧?該芯片使用28V轉(zhuǎn)5V,5V最大輸出電流3A,輸入28V電流是多少? SN74ALVC164245封裝中,DL、DGG性能一致?市面上都容易毛到?我考慮使用DL封裝 謝謝!
2025-02-14 06:55:48

SOD80C玻璃、全密封玻璃表面貼封裝規(guī)格書

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2025-02-13 15:39:251

SOD1002-1塑料、表面貼封裝

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2025-02-13 14:43:260

SOT8061-1塑料、表面貼封裝

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2025-02-10 16:20:330

SOT8098-1塑料、表面貼封裝

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2025-02-10 15:52:341

主驅(qū)逆變器應(yīng)用中不同 Zth 模型對分立 IGBT Tvj 計算的影響

*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/在xEV應(yīng)用的主驅(qū)逆變器中,關(guān)于IGBT分立器件熱阻網(wǎng)絡(luò)建模和虛擬結(jié)溫計算的研究和論文相對較少。本文基于最新的可回流焊接分立式IGBT產(chǎn)品(TO247
2025-02-08 11:26:211750

設(shè)計SO-8封裝的詳細(xì)步驟和注意事項

設(shè)計 SO-8(Small Outline-8)芯片的 PCB 封裝需要遵循一定的規(guī)范和步驟。SO-8 是一種常見的表面貼封裝,具有 8 個引腳,引腳間距通常為 1.27mm(50 mil)。以下是設(shè)計 SO-8 封裝的詳細(xì)步驟和注意事項:
2025-02-06 15:24:265108

Diodes公司推出全新AL8866Q LED驅(qū)動器

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布推出AL8866Q LED 驅(qū)動器,擴大符合汽車標(biāo)準(zhǔn)*的產(chǎn)品組合。這款直流開關(guān) LED 驅(qū)動控制器可驅(qū)動外部 MOSFET,支持
2025-01-23 13:53:231245

SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042

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