致力于提供高品質(zhì)汽車驅(qū)動芯片和高品質(zhì)信號鏈芯片供應(yīng)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”)宣布全新第二代高邊開關(guān)芯片HD80152和SPI高邊HD708204量產(chǎn)。自
2026-01-05 17:57:12
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2025ANALYTICS數(shù)據(jù)賦能AI領(lǐng)芯程數(shù)據(jù)智驅(qū)芯制造,績卓領(lǐng)航芯征程普迪飛半導(dǎo)體技術(shù)(上海)有限公司2025年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速邁入智能化、先進化發(fā)展新階段,普迪飛(PDFSolutions
2025-12-31 17:07:23
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意法半導(dǎo)體(ST)推出的IPS1050LQ低邊開關(guān)芯片提供靈活的過流保護功能,包括固定及可動態(tài)限流配置能夠安全處理高浪涌電流。該芯片輸出級最大額定電壓為65V,可用于可編程邏輯控制器(PLC)、工廠自動化和數(shù)控機床等設(shè)備。
2025-12-28 09:17:46
207 傾佳電子(Changer Tech)銷售團隊培訓(xùn)材料:功率半導(dǎo)體拓撲架構(gòu)與基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)碳化硅器件的戰(zhàn)略應(yīng)用 1. 執(zhí)行摘要與戰(zhàn)略背景 在“雙碳”戰(zhàn)略的宏觀驅(qū)動
2025-12-22 08:17:35
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器件必須同時具備低損耗、快速開關(guān)和高可靠性等特點。 為此,飛虹半導(dǎo)體推出的?FHP20N40W(TO-220封裝)?是一款性能卓越的N溝道增強型高壓功率MOSFET。其400V的耐壓、20A的電流能力以及優(yōu)化的動態(tài)特性,為工程師在高頻開關(guān)電源應(yīng)用中,提供
2025-12-15 17:51:06
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- SPEED? Fuse L60QS系列高速圓柱形半導(dǎo)體熔斷器,它在保護功率半導(dǎo)體器件方面表現(xiàn)出色。 文件下載: Littelfuse L60QS高速半導(dǎo)體保險絲.pdf 產(chǎn)品概述 Littelfuse的QS
2025-12-15 16:30:02
220 12月5日,瑞能半導(dǎo)體憑借高性能功率器件WND90P20W,在亞洲金選獎(EE Awards Asia)的評選中脫穎而出,榮獲Best Power Semiconductor of the Year(年度最佳功率半導(dǎo)體獎)。
2025-12-15 15:37:43
258 威兆半導(dǎo)體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-02 09:32:01
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威兆半導(dǎo)體推出的VS3618BE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性,適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-11-28 12:07:44
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威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性,適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負載
2025-11-27 16:52:11
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威兆半導(dǎo)體推出的VS3633GE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,基于FastMOSII技術(shù)實現(xiàn)快速開關(guān)與高能量效率,憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性,適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步
2025-11-27 14:53:22
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寬禁帶半導(dǎo)體驅(qū)動
SiLM27517HAD-7G通過極速開關(guān)、高可靠性保護與緊湊集成三重優(yōu)勢,解決了高頻功率系統(tǒng)中的驅(qū)動痛點。其非對稱驅(qū)動和12.5V UVLO等設(shè)計,體現(xiàn)了對實際應(yīng)用場景的深度適配。
#SiLM27517 #低邊門極驅(qū)動器 #門極驅(qū)動 #低邊驅(qū)動
2025-11-19 08:40:33
近日,納微半導(dǎo)體宣布了一系列重要人事任命,多名高管的加入將為納微注入全新動力。
2025-11-14 14:11:10
2167 隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增,安森美(onsemi)推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導(dǎo)體,為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。這些突破性的新一代
2025-10-31 13:56:16
1980 仁懋電子(MOT)推出的MOT7N70D是一款面向高壓開關(guān)場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借700V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高速開關(guān)特性,廣泛適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從
2025-10-27 17:19:00
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近日,工業(yè)和信息化部正式公布第七批國家級專精特新“小巨人”企業(yè)名單, 華大半導(dǎo)體旗下飛锃半導(dǎo)體(上海)有限公司憑借在寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的突出技術(shù)創(chuàng)新能力、深厚產(chǎn)業(yè)積累與廣闊市場前景成功入選
2025-10-27 15:44:58
460 隨著便攜儲能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對高效率、高功率密度需求的不斷提升,IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件,其性能已成為決定整機效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對市場對高性能功率器件的迫切需求,龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列IGBT新品,致力于為高頻、高效應(yīng)用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:30
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電阻率的測試方法多樣,應(yīng)根據(jù)材料的維度(如塊體、薄膜、低維結(jié)構(gòu))、形狀及電學(xué)特性選擇合適的測量方法。在低維半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)和生產(chǎn)中,電阻率作為反映材料導(dǎo)電性能的關(guān)鍵參數(shù),其精確測量對器件性能
2025-09-29 13:43:16
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在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,封裝技術(shù)的創(chuàng)新正成為提升系統(tǒng)性能的關(guān)鍵突破口。借鑒ROHM DOT-247“二合一”封裝理念,翠展微電子推出全新?6-powerSMD?封裝,以模塊化設(shè)計、成本優(yōu)勢和卓越性能,為光伏逆變器、工業(yè)電機驅(qū)動等中小功率場景提供更優(yōu)解決方案。
2025-09-29 11:17:43
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安世半導(dǎo)體近期推出了12/16/24通道、每通道100mA驅(qū)動能力的線性LED驅(qū)動系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品集成芯片級ASIL-B功能安全,滿足車燈系統(tǒng)針對功能安全日漸增加的高要求,非常適用于車外照明中的轉(zhuǎn)向燈、剎車燈、貫穿式尾燈,以及日間行車燈等信號燈和裝飾燈。
2025-09-26 17:35:00
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在新能源、電動汽車、光伏逆變器等行業(yè)快速崛起的今天,大功率 PCB Layout 設(shè)計已成為驅(qū)動產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的核心能力。兆易創(chuàng)新作為行業(yè)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計公司,始終致力于以卓越的芯片產(chǎn)品賦能產(chǎn)業(yè)升級,此次
2025-09-19 11:11:31
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Texas Instruments LM74501-Q1汽車用反向極性保護控制器與外部N溝道MOSFET搭配使用,可實現(xiàn)低損耗反極性保護解決方案LM74501-Q1該器件支持3.2V至65V的寬電源電壓輸入范圍,特別適合對冷啟動有嚴苛要求的汽車系統(tǒng)。
2025-09-18 15:51:40
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Bourns 推出全新 Riedon 系列功率電阻。此系列采用緊湊型 TO-247 封裝,具備堅固耐用、高功率的厚膜電阻特性,能在搭配散熱器時提供高達 100 W 的輸出功率,并可承受最高 700
2025-09-17 14:37:11
678 以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-關(guān)于功率電子系統(tǒng)Desat保護的解析-「SysPro電力電子」知識星球節(jié)選-原創(chuàng)文章,非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載-本篇為節(jié)選,完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布
2025-09-17 07:21:22
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9月10日,中國集成電路產(chǎn)業(yè)全鏈條技術(shù)展示與交流核心平臺——SEMI-e深圳國際半導(dǎo)體展暨2025集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新展在深圳成功召開。作為國家集成電路產(chǎn)業(yè)的重要組成力量,本次展覽,兆芯展示了開先、開勝
2025-09-11 10:49:28
1424 電子散熱與溫控領(lǐng)域中,半導(dǎo)體制冷片因其高效、無噪音、無振動等優(yōu)勢而被廣泛應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮半導(dǎo)體制冷片的性能,關(guān)鍵在于準確計算其實際功率需求。若功率匹配不當,可能導(dǎo)致能效低下甚至設(shè)備損壞。本文
2025-09-04 14:34:44
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安世半導(dǎo)體于近日推出了NEX83X88 PFC(功率因數(shù)校正)控制器系列,包括適用于300W以內(nèi)的臨界模式PFC控制器,NEX83088 和NEX83288;以及300W以上的多模式PFC控制器,NEX83188。
2025-09-02 17:58:07
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數(shù)明半導(dǎo)體即將推出 SiLM2234、SiLM2206 和 SiLM2207 三款 600V、290mA/600mA 半橋門極驅(qū)動換新系列產(chǎn)品。
2025-08-28 11:20:59
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功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件,它們在電力系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動,包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換,以及交流電(AC)和直流電(DC)之間的轉(zhuǎn)換。這種
2025-08-25 15:30:17
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基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:14
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深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM(Intelligent Power Module,智能功率模塊) 是集成了功率器件、驅(qū)動電路、保護功能的“系統(tǒng)級”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
近日,總投資超200億元的長飛先進半導(dǎo)體基地項目正式運營投產(chǎn)。該項目是目前國內(nèi)規(guī)模最大的碳化硅半導(dǎo)體基地,年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓,可滿足144萬輛新能源汽車制造需求,推動我國第三代半導(dǎo)體實現(xiàn)
2025-07-22 07:33:22
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隨著全球能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型加速,新能源汽車、人形機器人等產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長,功率半導(dǎo)體市場需求呈指數(shù)級攀升。 中國作為全球最大的功率半導(dǎo)體市場,發(fā)展前景十分廣闊。然而功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)繁榮背后暗藏隱憂。 國內(nèi)功率
2025-07-18 14:51:45
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為提供卓越的效率和功率密度,意法半導(dǎo)體加快了氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設(shè)計進程,推出了基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝(SiP)的EVL250WMG1L諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。
2025-07-18 14:40:16
941 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布擴展其雙極性晶體管(BJT)產(chǎn)品組合,推出12款采用銅夾片封裝(CFP15B)的MJD式樣的雙極性晶體管。這款名為MJPE系列
2025-07-18 14:19:47
2331 Vicfuse VC10 系列熔斷器是一款專門為半導(dǎo)體保護設(shè)計的 10×38mm 規(guī)格快速熔斷器,適用于逆變器、UPS、變速驅(qū)動器和其他分立半導(dǎo)體設(shè)備的保護。它依據(jù) IEC60269-4 標準進行
2025-07-17 14:12:34
Vicfuse VBS 系列熔斷器是一款針腳式快速熔斷器,專為半導(dǎo)體保護設(shè)計。它依據(jù) IEC60269-4 和 BS88:4 標準進行設(shè)計,符合 CE 和 RoHS 環(huán)保要求,具備 aR 操作類別
2025-07-17 14:07:04
Vicfuse VRX 系列熔斷器是一款專門為半導(dǎo)體保護設(shè)計的熔斷器,旨在為功率半導(dǎo)體(如二極管、相位控制 SCR 和其他功率半導(dǎo)體設(shè)備)提供保護。它依據(jù) UL 248 標準進行設(shè)計,符合 CE
2025-07-17 13:54:28
Vicfuse VRA 系列熔斷器是一款專門為半導(dǎo)體保護設(shè)計的熔斷器,旨在為額定 150V AC/DC 的二極管和其他半導(dǎo)體設(shè)備提供特定保護。它依據(jù) UL 248 標準進行設(shè)計,符合 CE
2025-07-16 15:02:07
領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商,推出全新厚膜電阻系列,具備高耐熱特性并采用緊湊型 TO-227 封裝。Bourns? Riedon? PF2270 系列功率厚膜電阻采用厚膜技術(shù)設(shè)計,具備卓越的功率耗散能力與優(yōu)異的脈沖處理性能,搭配散熱片時可承受高達 300 瓦的功率耗散。其低電感設(shè)計與高功率處理能力,使該系
2025-07-11 17:39:14
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結(jié)構(gòu)、器件的制造和模擬、功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用到各類重要功率半導(dǎo)體器件的基本原理、設(shè)計原則和應(yīng)用特性,建立起一系列不同層次的、復(fù)雜程度漸增的器件模型,并闡述了各類重要功率半導(dǎo)體器件各級模型的基礎(chǔ)知識,使
2025-07-11 14:49:36
站在戰(zhàn)略升級的關(guān)鍵節(jié)點,聞泰科技正在全力聚焦半導(dǎo)體業(yè)務(wù),開啟全新發(fā)展階段。值此之際,公司特別推出 《探秘“芯”世界》系列專題,邀您一同探索半導(dǎo)體的奧秘,見證聞泰科技以創(chuàng)新引領(lǐng)行業(yè)的 "芯" 力量。
2025-07-09 11:42:19
1137 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日推出專為保護48V汽車數(shù)據(jù)通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的ESD二極管,旨在使其免受靜電放電(ESD)事件的破壞性影響。這一全新的產(chǎn)品組合包含六款
2025-07-08 11:46:35
11661 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日,類比半導(dǎo)體宣布推出全新第二代高邊開關(guān)芯片HD80012,單通道內(nèi)阻低至1.2mΩ。HD80012還內(nèi)置電池反接保護和輸入電源過壓保護電路,無需外圍增加TVS和防反二極管
2025-07-06 05:46:00
5655 在科技飛速發(fā)展的今天,每一次電子設(shè)備性能的躍升,都離不開半導(dǎo)體技術(shù)的突破。仁懋電子推出的TOLT封裝產(chǎn)品,以顛覆傳統(tǒng)的設(shè)計和卓越性能,成為大功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的“破局者”,為工業(yè)、新能源、消費等多個領(lǐng)域
2025-07-02 17:49:08
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致力于提供高品質(zhì)汽車驅(qū)動芯片和高品質(zhì)工業(yè)模擬芯片供應(yīng)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”)宣布推出全新第二代高邊開關(guān)芯片HD80012,單通道低內(nèi)阻1.2mΩ產(chǎn)品。
2025-07-02 15:19:40
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先進的半導(dǎo)體解決方案,今日正式推出E-fuse系列產(chǎn)品—— 以?“精密保護、智能控制”?為核心設(shè)計理念,集成高精度保護、浪涌管理、故障診斷于一體,為汽車配電、電池管理系統(tǒng)(BMS)、工業(yè)電源等場景提供高可靠性的功率保護方案,樹立行
2025-06-30 16:21:15
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有沒有這樣的半導(dǎo)體專用大模型,能縮短芯片設(shè)計時間,提高成功率,還能幫助新工程師更快上手。或者軟硬件可以在設(shè)計和制造環(huán)節(jié)確實有實際應(yīng)用。會不會存在AI缺陷檢測。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測性維護中
2025-06-24 15:10:04
電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商,全新推出 SRP2512CL?和?SRP3212CL?系列屏蔽功率電感器。這兩個全新系列具備低交流阻抗 (ACR) 與低直流內(nèi)阻 (DCR),可有效降低能量損耗并提升效率
2025-06-16 15:27:09
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SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30
911 致力于提供高品質(zhì)汽車驅(qū)動芯片和高品質(zhì)工業(yè)模擬芯片供應(yīng)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”)宣布推出全新第二代高邊開關(guān)芯片HD8004,單通道低內(nèi)阻4.3mΩ產(chǎn)品。
2025-05-21 18:04:20
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在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動及新能源領(lǐng)域,MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求,MDD辰達半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù),為同步整流、電機驅(qū)動等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:38
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咨詢請看首頁華太半導(dǎo)體(Hottek-semi)推出1-12按鍵系列高性能ASIC觸摸芯片:高可靠、超強抗干擾。動態(tài)CS:10V,EFT:4KV,ESD:8KV,全系列可做隔空觸摸(去彈簧應(yīng)用、節(jié)省
2025-05-19 17:17:55
從清華大學(xué)到鎵未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市鎵未來科技有限公司(以下簡稱“鎵未來”)在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起,憑借領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)技術(shù)儲備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
步進電機驅(qū)動器的核心需求是精準的電流控制與高效的功率切換。飛虹半導(dǎo)體推出的FHP70N11V型號MOS管因其大電流能力、快速開關(guān)特性與低導(dǎo)通損耗,成為可替代IRF3710的選擇。
2025-05-13 13:49:49
780 !?HT71663 的卓越性能,從核心配置便可窺見一斑。它集成了低內(nèi)阻的 16mΩ 功率開關(guān)管與 23mΩ 同步整流管,在大幅降低功率損耗的同時,顯著提升了能量轉(zhuǎn)換效率。無論是移動電源、便攜式醫(yī)療設(shè)備,還是小型
2025-05-09 18:00:13
制造與封測領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商榜單。本屆大會以\"新能源芯時代\"為主題,匯集了來自功率半導(dǎo)體、第三代材料應(yīng)用等領(lǐng)域的行業(yè)專家與企業(yè)代表。
作為專注電子測試測量領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè),麥科
2025-05-09 16:10:01
全集成保護型氮化鎵功率芯片搭配雙向無損耗電流檢測,效率提升4%、系統(tǒng)成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——納微半導(dǎo)體今日正式宣布推出 全新專為電機驅(qū)動
2025-05-09 13:58:18
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全新屏蔽式功率電感系列具備高耐熱、高飽和電流能力及低磁場輻射特性 2025 年 5 月 7 日 - Bourns 全球知名電源、保護和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商,全新推出的 Bourns
2025-05-09 11:47:20
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4月,作為國內(nèi)深耕于IGBT、MOS管的廠家代表,飛虹半導(dǎo)體成功參加了第104屆中國電子展(深圳)以及慕尼黑上海電子展,兩大行業(yè)盛會圓滿落幕。
2025-04-29 11:39:30
881 納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊,該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù),經(jīng)過嚴格設(shè)計和驗證,適用于最嚴苛的高功率環(huán)境,重點確??煽啃耘c耐高溫
2025-04-22 17:06:39
980 意法半導(dǎo)體的IPS4140HQ和IPS4140HQ-1是兩款功能豐富的四通道智能功率開關(guān),采用8mmx6mm緊湊封裝,每通道RDS(on)導(dǎo)通電阻80mΩ(最大值),工作電源電壓10.5V-36V,還配備各種診斷保護功能。
2025-04-18 14:22:18
942 日訊——納微半導(dǎo)體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項車規(guī)認證,這標志著氮化鎵技術(shù)在電動汽車市場的應(yīng)用正式邁入了全新階段。 ? 納微半導(dǎo)體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產(chǎn)品家族, 集成了控制、驅(qū)動、感測以及關(guān)鍵的保護功能
2025-04-17 15:09:26
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2025年慕尼黑上海電子展即將在上海新國際博覽中心隆重舉辦。2025年4月15-17日飛虹半導(dǎo)體攜其在大功率分立器件領(lǐng)域的創(chuàng)新成果——MOS管、IGBT、肖特基、三極管等系列產(chǎn)品亮相展會。在此誠邀各位電子領(lǐng)域的同行共賞盛宴,共同交流!
2025-04-14 15:49:06
758 第104屆中國電子展即CITE2025即將在深圳會展中心(福田)隆重舉辦。2025年4月9-11日飛虹半導(dǎo)體受邀參展,攜其在大功率分立器件領(lǐng)域的創(chuàng)新成果——MOS管、IGBT、肖特基等系列產(chǎn)品亮相展會。與參展者圍繞“科技創(chuàng)新·‘圳’在變革”的主題共襄盛典,展望電子產(chǎn)業(yè)的未來。
2025-04-09 16:22:41
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上世紀60年代,開關(guān)電源的問世,使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來,開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化,經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個發(fā)展階段
2025-04-09 15:02:01
本文深入探討了功率半導(dǎo)體器件與功率集成技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀,分析了其面臨的挑戰(zhàn)與機遇,并對未來發(fā)展趨勢進行了展望。功率半導(dǎo)體器件作為電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,在新能源、工業(yè)控制、消費電子等領(lǐng)域發(fā)揮
2025-04-09 13:35:40
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,打造智能、高效、高功率密度的數(shù)字電源產(chǎn)品,并配合兆易創(chuàng)新的全產(chǎn)業(yè)鏈的管理能力與納微對系統(tǒng)應(yīng)用的深刻理解,加速在AI數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、儲能、充電樁和電動汽車商業(yè)化布局。作為戰(zhàn)略合作的重要組成部分,兆易創(chuàng)新還將與納微半導(dǎo)體攜手共建聯(lián)合
2025-04-09 09:30:43
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? ? ? 今日,兆易創(chuàng)新宣布與納微半導(dǎo)體正式達成戰(zhàn)略合作!雙方將強強聯(lián)合,通過將兆易創(chuàng)新先進的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進行優(yōu)勢整合,打造智能、高效、高功率
2025-04-08 18:12:44
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本文聚焦于先進碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體封裝技術(shù),闡述其基本概念、關(guān)鍵技術(shù)、面臨挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。碳化硅功率半導(dǎo)體憑借低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在移動應(yīng)用功率密度提升的背景下
2025-04-08 11:40:33
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5000m操作高度輸入反向極性保護技術(shù)優(yōu)勢高壓輸入能力:支持1500VDC高壓輸入,適用于半導(dǎo)體設(shè)備等高壓場景。寬溫度適應(yīng)性:在-40℃至+80℃范圍內(nèi)穩(wěn)定運行,適應(yīng)嚴苛環(huán)境。保護機制:內(nèi)置多重保護電路
2025-03-31 09:23:24
??????最近,意法半導(dǎo)體(ST)重磅升級STM32WBA產(chǎn)品系列,推出STM32WBA6系列新品,能夠在單芯片上同時支持藍牙低功耗(Bluetooth LE)和IEEE 802.15.4標準的器件。
2025-03-21 09:40:52
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芯片簡介
SS6200 是一款經(jīng)過優(yōu)化的單相 MOSFET 柵極驅(qū)動器,可驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)功率MOSFET的柵極。
集成的自舉二極管減少了外部元件數(shù)量。具有較寬的工作電壓范圍,可以優(yōu)化高側(cè)或低側(cè)
2025-03-17 16:10:59
雖然明確說明了先輯半導(dǎo)體HPM6E00系列產(chǎn)品能用來做EtherCAT的從站,但它可以用來做主站嗎,還是說必須用其他芯片做主站呢
2025-03-16 10:16:43
2024年,芯途璀璨,創(chuàng)新不止。武漢芯源半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“武漢芯源半導(dǎo)體”)在21ic電子網(wǎng)主辦的2024年度榮耀獎項評選中,憑借卓越的技術(shù)創(chuàng)新實力與行業(yè)貢獻,榮膺“年度創(chuàng)新驅(qū)動獎”。這一
2025-03-13 14:21:54
自適應(yīng)防串通保護
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2025-03-07 09:27:56
2025 功率半導(dǎo)體的五大發(fā)展趨勢:功率半導(dǎo)體在AI數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的增長,SiC在非汽車領(lǐng)域應(yīng)用的增長,GaN導(dǎo)入到快速充電器之外的應(yīng)用領(lǐng)域, 中國功率半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的壯大以及晶圓尺寸的顯著升級。
2025-03-04 09:33:41
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近日,華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會,共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計、制造、材料等領(lǐng)域的最新進展及挑戰(zhàn)。
2025-02-28 17:33:53
1172 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日新推出一系列符合AEC-Q100標準的超低靜態(tài)電流通用低壓差(LDO)穩(wěn)壓器。該新系列同時包含高精度帶輸出跟隨的LDO,集成輸出保護功能,且輸入電壓范圍較寬,因此
2025-02-26 11:01:33
GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù),將觸發(fā)多個行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級解決方案,預(yù)計將顯著提升能效與功率密度,加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對傳統(tǒng)硅基器件的替代進程。
2025-02-21 16:41:10
867 特瑞仕半導(dǎo)體株式會社(日本東京都中央?yún)^(qū) 董事總經(jīng)理:木村 岳史,以下簡稱“特瑞仕”)開發(fā)了負載開關(guān)IC的新產(chǎn)品,帶有理想二極管功能的XC8114系列。
2025-02-21 09:13:31
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制造供貨商,宣布推出全新 SRR6838A 系列屏蔽功率電感器。全新 AEC-Q200 認證車規(guī)級電感為高可靠性消費、工業(yè)和電信應(yīng)用提供更廣泛的電感選擇。 Bourns 全新功率電感采用鐵氧體芯和鐵氧體屏蔽設(shè)計,可實現(xiàn)低磁場輻射,其先進特性使其成為低噪聲環(huán)境應(yīng)用的卓越電源轉(zhuǎn)
2025-02-19 17:50:42
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產(chǎn)品線。 這兩款單通道低邊開關(guān)芯片均集成了NMOS功率FET,專為提供卓越的保護和可靠性而設(shè)計。它們特別適用于那些電阻或電感負載一側(cè)連接到電池的應(yīng)用場景,如便攜式設(shè)備、汽車電子等領(lǐng)域。通過集成先進的保護功能,如過流保護、短路保護等,HL85103L和
2025-02-19 17:34:48
1173 優(yōu)恩半導(dǎo)體(UNSEMI)推出的多功能電源保護模塊,專為工業(yè)電源在應(yīng)用中可能會遇到的各種復(fù)雜問題而設(shè)計。
2025-02-19 14:42:01
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2025 亞洲國際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦;展會將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場,打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購及技術(shù)交流平臺,集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、材料、封裝技術(shù)、測試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門產(chǎn)品
2025-02-13 11:49:01
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近年來,隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動汽車等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而,這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度,這對功率半導(dǎo)體器件的運行可靠性構(gòu)成了嚴峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:25
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在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案:從產(chǎn)品到應(yīng)用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家對其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來,本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:50
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為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設(shè)計,意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝(SiP)的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。
2025-02-06 11:31:15
1133 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體.pdf》資料免費下載
2025-01-24 13:50:27
0 近日,上海先楫半導(dǎo)體科技有限公司,國內(nèi)領(lǐng)先的高性能微控制器及嵌入式解決方案提供商,推出了專為機器人運動與控制設(shè)計的高性能MCU產(chǎn)品——HPM6E8Y系列。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為當前蓬勃發(fā)展的機器人市場帶來了全新的活力。
2025-01-23 15:40:56
1277 ▍全球最大數(shù)字智能化LED芯片廠加碼化合物半導(dǎo)體 來源:LEDinside等網(wǎng)絡(luò)資料 近日,兆馳集團二十周年盛典暨全球戰(zhàn)略合作伙伴生態(tài)峰會在江西隆重召開,在盛典上,兆馳集團明確了未來10到20年
2025-01-23 11:49:08
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全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商瑞薩電子,近日宣布了一項重要技術(shù)創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1,成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET:RBA300N10EANS
2025-01-22 17:04:06
991 德國半導(dǎo)體巨頭英飛凌科技(Infineon Technologies)近日宣布了一項重要決策,將在泰國設(shè)立一座全新的半導(dǎo)體工廠。這座工廠將專注于功率半導(dǎo)體的組裝工作,屬于“后工序”生產(chǎn)環(huán)節(jié)。
2025-01-22 15:48:00
1025 意法半導(dǎo)體推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管,新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸娀鏈喜蹡偶夹g(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力,適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場景。
2025-01-16 13:28:27
1022 設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,相關(guān)標準和工程測量方法。功率半導(dǎo)體的電流密度隨著功率半導(dǎo)體芯片損耗降低,最高工作結(jié)溫提升,器件的功率密度越來越高,也就是
2025-01-13 17:36:11
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日前,全球知名的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)意法半導(dǎo)體正式發(fā)布了一款全新的IO-Link參考設(shè)計——EVLIOL4LSV1電路板。此產(chǎn)品以其強大的功能和高集成度,旨在為工業(yè)監(jiān)控和設(shè)備制造商提供高效可靠的一站式
2025-01-10 11:55:11
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近日,全球領(lǐng)先的高功率半導(dǎo)體激光元器件及原材料、激光光學(xué)元器件、光子技術(shù)應(yīng)用解決方案供應(yīng)商炬光科技,正式發(fā)布了LCS系列980/1470nm高功率低熱阻低Smile傳導(dǎo)冷卻半導(dǎo)體激光器。 這款LCS
2025-01-09 17:07:53
1225 意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。
2025-01-09 14:48:33
1278 趨勢一:碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)大放異彩 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)宛如兩顆冉冉升起的新星,正以迅猛之勢改變著行業(yè)格局。 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比,SiC
2025-01-08 16:32:15
5035 /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:48
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