很多人可能覺得PCB信號速率越高，如25Gbps，56G/112G-PAM4信號等調(diào)試上發(fā)現(xiàn)的問題會越多，其實(shí)不然。我們收到最多的調(diào)試問題還是DDR3、DDR4等，不是跑不到額度速率，就是識別不到
2026-01-05 15:46:16
探索DS42MB200：高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)睦硐脒x擇 在當(dāng)今高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r(shí)代，對于信號處理和傳輸?shù)囊笤絹碓礁?。DS42MB200作為一款由德州儀器（Texas Instruments）推出的芯片，為
2025-12-27 17:20:09
973 深度解析DS25MB200：2.5 Gbps雙路CML復(fù)用器/緩沖器的卓越性能與應(yīng)用 在高速數(shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域，信號的穩(wěn)定與準(zhǔn)確傳輸至關(guān)重要。TI的DS25MB200作為一款雙路2.5 Gbps 2:1
2025-12-27 17:20:06962 探索IDT74SSTUBF32866B：DDR2的25位可配置寄存器緩沖器 在DDR2內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)中，擁有高性能且穩(wěn)定的寄存器緩沖器至關(guān)重要。Renesas的IDT74SSTUBF32866B就是
2025-12-24 16:30:09124 的DS64MB201作為一款專為高速總線應(yīng)用設(shè)計(jì)的雙車道2:1復(fù)用器和1:2開關(guān)或扇出緩沖器，憑借其出色的信號調(diào)節(jié)能力和廣泛的應(yīng)用場景，成為眾多工程師的選擇。今天我們就來深入了解一下這款器件。 文件下載
2025-12-24 14:00:03152 Renesas IDT74SSTUBF32866B：DDR2的25位可配置寄存器緩沖器詳解 在DDR2內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)中，一款合適的寄存器緩沖器至關(guān)重要。Renesas
2025-12-23 15:55:06168 高速數(shù)據(jù)傳輸新寵：DS125MB203低功耗12.5Gbps雙路復(fù)用器/緩沖器深度解析 在高速數(shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域，對高性能、低功耗的需求愈發(fā)迫切。DS125MB203作為一款低功耗12.5Gbps雙路2
2025-12-23 15:15:31156 本章的實(shí)驗(yàn)任務(wù)是在 PL 端自定義一個(gè) AXI4 接口的 IP 核，通過 AXI_HP 接口對 PS 端 DDR3 進(jìn)行讀寫測試，讀寫的內(nèi)存大小是 4K 字節(jié)。
2025-11-24 09:19:423467 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 日前，瑞薩電子宣布推出業(yè)界首款面向DDR5寄存雙列直插式內(nèi)存模塊（RDIMM）的第六代（Gen6）寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（RCD），這款全新RCD率先實(shí)現(xiàn)了9600兆傳輸/秒（MT/s
2025-11-19 15:59:055453 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 11月10日，瀾起科技正式推出新一代DDR5時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(CKD)芯片，該芯片最高支持9200 MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，可有效優(yōu)化客戶端內(nèi)存子系統(tǒng)性能，為下一代高性能PC
2025-11-12 08:50:007603 
。 繼2024年成功量產(chǎn)支持7200 MT/s的DDR5 CKD芯片后，瀾起科技持續(xù)深耕DDR5及后續(xù)標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存接口芯片設(shè)計(jì)。新款9200 MT/s CKD芯片采用公司自研的高速、低抖動(dòng)時(shí)鐘緩沖架構(gòu)，可在主機(jī)控制器與DRAM芯片之間實(shí)現(xiàn)高精度時(shí)鐘信號緩沖與驅(qū)動(dòng)，顯著提升時(shí)鐘同步精度和信號完整
2025-11-10 10:01:3567936 Weaver，一款內(nèi)存扇出Gearbox，該產(chǎn)品可顯著提升內(nèi)存帶寬和內(nèi)存密度，優(yōu)化AI加速器或xPU的計(jì)算效率。作為Credo OmniConnect系列的首款產(chǎn)品，Weaver旨在解決AI建設(shè)中的縱向擴(kuò)展
2025-11-08 11:01:412157 下面是HummingBird EV Kit給的版圖，其中DDR3_D0對應(yīng)的應(yīng)該是板子上的FPGA的C2引腳：?
不過我在配置MIG的時(shí)候，通過讀入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引腳
2025-11-06 07:57:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-05 17:04:01
4 本隊(duì)伍編號CICC3042，本文介紹如何為蜂鳥添加DDR內(nèi)存擴(kuò)展。一些需要大存儲空間的設(shè)計(jì)中經(jīng)常需要使用DDR，這時(shí)我們希望蜂鳥可以訪問DDR，以實(shí)現(xiàn)更好的軟硬件協(xié)同。
簡單閱讀蜂鳥的代碼發(fā)現(xiàn)
2025-10-31 06:07:38
由于FPGA內(nèi)部存儲資源有限，很多時(shí)候不能滿足需求，因此可以利用DDR對系統(tǒng)進(jìn)行存儲擴(kuò)展。由于DDR3內(nèi)部控制十分復(fù)雜，因此可以基于AXI總線，利用Vivado提供的MIG IP對DDR3進(jìn)行控制
2025-10-29 07:16:34
DDR使用
在我們的項(xiàng)目中，我們使用的是芯來科技的DDR200T開發(fā)板，我們通過調(diào)用板上的DDR3 IP核完成如下表的配置，配置完成后例化該DDR3，然后利用DMA和VDMA作為數(shù)據(jù)的緩沖模塊，將
2025-10-28 07:24:01
前言：2025年，存儲市場持續(xù)“高燒”——-國際大廠停產(chǎn)DDR3/4，減產(chǎn)LPDDR4/4X，漲價(jià)50%只是起步-國產(chǎn)料號月更、周更，同一料號不同Die，顆粒參數(shù)“開盲盒”-更大的坑是：對于嵌入式
2025-10-24 11:59:51918 
：使用DDR200T上板載的DDR3對內(nèi)存進(jìn)行擴(kuò)展
擴(kuò)展方案結(jié)構(gòu)圖：
該方案中DDR3使用vivado提供的axi接口mig的IP核來進(jìn)行控制，蜂鳥e203源代碼中提供了icb2axi模塊，可以使發(fā)出
2025-10-24 08:12:53
的S00_AXI_ACLK、M00_AXI_ACLK，分別接系統(tǒng)頂層時(shí)鐘hfextclk、mig產(chǎn)生的用戶時(shí)鐘ui_clk，以此來實(shí)現(xiàn)跨時(shí)鐘域。
（2）例化DDR3模型（仿真的時(shí)候需要用，vivado
2025-10-24 07:25:00
] correct : %drn”,i,rd_data);
ddr_offset += 0x00000004;
}
（2）測試效果，讀數(shù)正確
vivado綜合：
注意：(1)綜合不需要例化ddr3模型，將
2025-10-23 06:16:44
股票代碼：ALGM）今日 推出 業(yè)界首款量產(chǎn)級 10 MHz 帶寬磁性電流傳感器 ACS37100 ，該產(chǎn)品基于 Allegro 先進(jìn)的 XtremeSense 隧道磁阻（TMR）技
2025-10-22 10:30:3060516 
DDR控制協(xié)議
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源
2025-10-21 14:30:16
由于e203內(nèi)部DTCM空間較小，所以本隊(duì)針對DDR200T開發(fā)板進(jìn)行針對e203的DDR3存儲器擴(kuò)展。
論壇中所給出的e203擴(kuò)展DDR的方法大致分為兩種，一種是直接將DDR存儲器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40
蜂鳥DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引腳配置。具體參數(shù)可更具項(xiàng)目實(shí)際更改。
這里選用的axi接口
在賽靈思的IP配置中沒有MT41K28M6JT-125K內(nèi)存的信息，因此選用
2025-10-21 11:19:08
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 10:40:28
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 08:43:39
回收DDR2，回收DDR3，收購DDR2，收購DDR3 DDR4 DDR5長期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR，回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR
2025-10-09 14:15:34
當(dāng)超頻而生的主板，遇上國韻美學(xué)加持的內(nèi)存，究竟能擦出什么樣的火花？最近，國韻存儲代表云彣(UniWhen?)與板卡巨頭微星科技（MSI）組成又一對“神仙CP”，推出了MPOWER聯(lián)盟款云礪DDR
2025-09-23 17:02:15767 TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和源極雙數(shù)據(jù)速率 （DDR） 終端穩(wěn)壓器，專為低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，其中空間是關(guān)鍵考慮因素。
該器件保持快速瞬態(tài)響應(yīng)，最小輸出電容僅為
2025-09-09 14:28:07713 
TPS65295器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 DDR4 上電和斷電序列要求的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。該TPS65295集成了兩個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器
2025-09-09 14:16:041731 
隨著人工智能加速計(jì)算、云數(shù)據(jù)中心以及高帶寬網(wǎng)絡(luò)的持續(xù)發(fā)展，驅(qū)動(dòng)這一切的“時(shí)鐘”就像電路的心跳。無論是服務(wù)器之間的高速互聯(lián)、GPU 與存儲設(shè)備的協(xié)同，還是 5G/6G 網(wǎng)絡(luò)的核心傳輸，都必須依賴極高精度、低抖動(dòng)的時(shí)鐘源，才能確保系統(tǒng)穩(wěn)定和性能最優(yōu)。
2025-09-05 16:38:201039 憑借與紫光國芯的緊密合作，貞光科技能夠?yàn)榭蛻籼峁?b class="flag-6" style="color: red">DDR3、LPDDR4及LPDDR4X全系列車規(guī)級存儲產(chǎn)品。在產(chǎn)品覆蓋、技術(shù)支持和供應(yīng)保障等方面的綜合優(yōu)勢，使貞光科技成為車載電子領(lǐng)域可靠且高效
2025-08-26 16:12:151423 
Arm 神經(jīng)技術(shù)是業(yè)界首創(chuàng)在 Arm GPU 上增添專用神經(jīng)加速器的技術(shù)，首次在移動(dòng)設(shè)備上實(shí)現(xiàn) PC 級別的 AI 圖形性能，為未來的端側(cè) AI 創(chuàng)新奠定基礎(chǔ) 神經(jīng)超級采樣是 Arm 神經(jīng)技術(shù)的首款
2025-08-14 17:59:112603 “香山”實(shí)現(xiàn)業(yè)界首個(gè)開源芯片的產(chǎn)品級交付與首次規(guī)模化應(yīng)用開源高性能RISC-V處理器核“香山”產(chǎn)業(yè)落地取得里程碑式突破。7月16-19日，在上海舉辦的2025RISC-V中國峰會期間，北京開源芯片
2025-08-01 18:16:301502 
本文緊接著前一個(gè)文檔《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長設(shè)計(jì)技巧-數(shù)據(jù)線等長 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號線等長設(shè)計(jì)，因?yàn)榈刂肪€、控制信號線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512 DP4363是一款高性能、低電流收發(fā)器，覆蓋119~1050MHz的Sub-GHz頻段。它是完整的發(fā)射器、接收器和收發(fā)器產(chǎn)品系列的一部分，適用于各種應(yīng)用。該器件具有-126dBm的出色靈敏度，同時(shí)
2025-07-28 17:48:57
的講解數(shù)據(jù)線等長設(shè)計(jì)。? ? ? 在另一個(gè)文件《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長設(shè)計(jì)技巧-地址線T型等長》中著重講解使用AD設(shè)計(jì)DDR地址線走線T型走線等長處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124 ：
Window11 PDS2022.2-SP6.4
芯片型號：
PG2L50H-484
2.實(shí)驗(yàn)原理
開發(fā)板集成 1 顆 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型號為 MT41K256M16。DDR3
2025-07-10 10:46:48
（2GX8）內(nèi)存在6月2日的報(bào)價(jià)為5.171美元，當(dāng)時(shí)比DDR5低約8%。然而，最新報(bào)價(jià)顯示DDR4已上漲至8.633美元，不到一個(gè)月時(shí)間內(nèi)漲幅高達(dá)67%，且已經(jīng)超過DDR5的價(jià)格的44%。最新市場數(shù)據(jù)
2025-06-27 00:27:004538 ?、板載 512MB DDR3 內(nèi)存 、128 MiB NAND、16 MiB NOR、M.2接?，MINI PCIE和USB 2.0接?等。
Banana Pi BPI-RV2 開源網(wǎng)關(guān)是矽昌和?蕉派
2025-06-26 19:51:09
DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場正經(jīng)歷一場前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場，轉(zhuǎn)向DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場呈現(xiàn)供不應(yīng)求、供需失衡、漲勢延續(xù)的局面。未來，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場份額增長的趨勢。
2025-06-25 11:21:152009 
電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，全新推出 SRP2512CL?和?SRP3212CL?系列屏蔽功率電感器。這兩個(gè)全新系列具備低交流阻抗 (ACR) 與低直流內(nèi)阻 (DCR)，可有效降低能量損耗并提升效率
2025-06-16 15:27:091100 
華為全新一代先鋒影像美學(xué)旗艦Pura80系列手機(jī)重磅發(fā)布，其中有一項(xiàng)產(chǎn)品定位格外吸引業(yè)界的關(guān)注：業(yè)界首款支持星閃車鑰匙的智能手機(jī)！
2025-06-13 11:09:222393 在智慧城市的建設(shè)進(jìn)程中，照明系統(tǒng)的智能化與節(jié)能化至關(guān)重要。近日，立洋光電推出業(yè)界首款三合一智慧儲能路燈產(chǎn)品，在智慧城市照明領(lǐng)域掀起了一股綠色科技新風(fēng)潮。
2025-06-11 16:55:361008 隨著計(jì)算密集型任務(wù)的日益增長，DDR4內(nèi)存的性能瓶頸已逐步顯現(xiàn)。DDR5的出現(xiàn)雖解燃眉之急，但真正推動(dòng)內(nèi)存發(fā)揮極致性能的背后“功臣”——正是 DDR5 SPD（Serial Presence Detect）芯片。
2025-06-11 10:07:301913 
隨著汽車產(chǎn)業(yè)向智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速轉(zhuǎn)型，高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和智能駕駛技術(shù)已成為現(xiàn)代汽車不可或缺的核心組件。紫光國芯作為國內(nèi)領(lǐng)先的存儲器芯片制造商，其車規(guī)級DDR3存儲產(chǎn)品在智能駕駛和ADAS
2025-06-05 16:50:171220 
PC處理器對DDR5的支持，DDR5內(nèi)存將更快滲透普及。相較于DDR4，所有電壓由主板供給，DDR5中內(nèi)存模組搭載PMIC，PMIC是實(shí)現(xiàn)高效供電的關(guān)鍵，能夠?yàn)橄冗M(jìn)的計(jì)算應(yīng)用提供突破性的性能表現(xiàn)。Rambus最近推出面向下一代AI PC內(nèi)存模塊的完整客戶端芯片組，包含兩款用于客戶端計(jì)算的全新電源
2025-05-29 09:11:208127 
近日，Cadence（NASDAQ：CDNS）近日宣布推出業(yè)界速度最快的 HBM4 12.8Gbps 內(nèi)存 IP 解決方案，以滿足新一代 AI 訓(xùn)練和 HPC 硬件系統(tǒng)對 SoC 日益增長的內(nèi)存帶寬
2025-05-26 10:45:261303 內(nèi)存模塊 ? ? 中國北京， 2025 年5月15日 —— 作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布推出
2025-05-15 11:19:421570 
給大家?guī)硪恍?b class="flag-6" style="color: red">業(yè)界資訊： 三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20%? 存儲器價(jià)格跌勢結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價(jià)格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報(bào)道稱，三星公司DDR4內(nèi)存開始漲價(jià)，在本月
2025-05-13 15:20:111204 楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布率先推出基于臺積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足
2025-05-09 16:37:44905 下面是調(diào)用的DDR3模塊的，模塊的倒數(shù)第二行是，模塊的時(shí)鐘輸入，時(shí)鐘源來自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時(shí)鐘的倍頻。
2025-05-03 10:21:001339 
LP2996-N 和 LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 終止規(guī)范。該器件還支持 DDR2，而 LP2996A 支持 DDR3 和 DDR3
2025-04-29 18:11:05834 
終端供電。這 該器件還支持 DDR3 VTT 端接，VDDQ 電壓為 1.5 V（典型值）。此外，TPS51100 包括集成的睡眠狀態(tài)控制、在 S3 中將 VTT 置于 Hi-Z（暫停到 RAM）和軟
2025-04-29 17:15:20774 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
在高速PCB設(shè)計(jì)中，DDR模塊是絕對繞不過去的一關(guān)。無論你用的是DDR、DDR2還是DDR3，只要設(shè)計(jì)不規(guī)范，后果就是——信號反射、時(shí)序混亂、系統(tǒng)頻繁死機(jī)。
2025-04-29 13:51:032491 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-29 11:34:59810 
TPS51200 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 終端穩(wěn)壓器，專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
該TPS51200保持快速瞬態(tài)響應(yīng)，并且需要的最小輸出電容
2025-04-29 09:59:251345 
TPS51200-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 終端穩(wěn)壓器，專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
TPS51200-Q1 器件保持快速瞬態(tài)響應(yīng)，并且
2025-04-28 16:21:07852 
TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內(nèi)存提供完整的電源 系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩沖低噪聲基準(zhǔn)集成在一起
2025-04-28 13:54:45814 
TPS51216 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖
2025-04-28 11:09:05663 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
TPS51206 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 終端穩(wěn)壓器，具有 VTTREF 緩沖基準(zhǔn)輸出。它專為空間是關(guān)鍵考慮因素的低輸入電壓、低成本、低外部元件數(shù)系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。該器件可保持
2025-04-28 10:04:48685 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 1A 灌電流/拉電流集成在一起 跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩沖
2025-04-27 13:35:32741 
TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實(shí)現(xiàn)內(nèi)存系統(tǒng)。它集成了一個(gè)同步降壓 具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO
2025-04-27 11:36:05763 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-27 09:40:04874 
LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 規(guī)范 DDR-SDRAM 終止。該器件還支持 DDR2、DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接，帶 V~DDQ~最小為 1.35V
2025-04-26 15:02:50746 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖
2025-04-26 11:12:30681 
只需要最小輸出 電容為 20 μF。TPS51200-EP 支持遙感功能和所有功率要求 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端。
2025-04-26 10:26:351335 
TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 終端穩(wěn)壓器，專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
該器件保持快速瞬態(tài)響應(yīng)，并且只需要 20 μF
2025-04-25 10:07:151053 
基于矽昌 SF21H8898 SoC的設(shè)備，1 × 2.5 G WAN?絡(luò)接?、5 個(gè)千兆LAN ?絡(luò)接?、板載 512MB DDR3 內(nèi)存 、128 MiB NAND、16 MiB NOR、M.2接
2025-04-18 14:06:07
在全球科技競爭加劇、國產(chǎn)替代加速推進(jìn)的背景下，紫光國芯憑借其在DDR3與RDIMM等高端內(nèi)存芯片領(lǐng)域的技術(shù)積累，不斷實(shí)現(xiàn)突破，推動(dòng)國產(chǎn)存儲芯片向高端市場邁進(jìn)。作為其核心代理商，貞光科技在市場推廣
2025-04-16 16:39:301342 DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
隨著人工智能、高性能計(jì)算（HPC）以及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對內(nèi)存帶寬和容量的需求日益增長。傳統(tǒng)的內(nèi)存技術(shù)，如DDR和GDDR，已逐漸難以滿足這些新興應(yīng)用對高性能、低延遲和高能效的嚴(yán)苛要求。正是
2025-03-22 10:14:143658 
燦芯半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（燦芯股份，688691）宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性，支持DDR3
2025-03-21 16:20:03984 初次使用XC7A35T-FGG484做設(shè)計(jì)，用的是25MHZ有源晶振，有源晶振3.3V供電，DDR3的供電1.35V，現(xiàn)在接上晶振后，DDR3的供電變成1.8V
求助怎么解決。
2025-03-21 14:25:05
近日，納維塔斯半導(dǎo)體公司在亞特蘭大舉行的APEC2025大會上，宣布推出全球首款雙向氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)，此舉被業(yè)界譽(yù)為在可再生能源和電動(dòng)汽車等高功率應(yīng)用領(lǐng)域的“范式轉(zhuǎn)變”。納維塔斯
2025-03-19 11:15:001256 
DDR內(nèi)存控制器是一個(gè)高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設(shè)計(jì)的架構(gòu)來優(yōu)化內(nèi)存訪問效率。
2025-03-05 13:47:403573 
S3SSE2A 芯片號稱是“業(yè)界首款配備硬件后量子密碼學(xué)（PQC）的安全芯片”，也是一個(gè)包含硬件和軟件的安全元素（SE）一站式解決方案。
2025-02-26 15:23:282481 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，日媒報(bào)道由于DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計(jì)劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示，2025年1月，DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:002803 05MB絲印降壓芯片解析
2025-02-20 10:53:341130 
據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513460 產(chǎn)品概述BCM49418B0KFEBG是博通（Broadcom）公司推出的一款高性能無線通信芯片，專為高帶寬和低延遲的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該芯片集成了多種無線技術(shù)，能夠支持高速數(shù)據(jù)傳輸和穩(wěn)定的網(wǎng)絡(luò)連接
2025-02-18 23:50:36
MT62F1G64D8EK-031 AAT:B是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速內(nèi)存的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備優(yōu)秀的存儲性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:41:56
MT41K64M16TW-107 AUT:J是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速內(nèi)存的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:37:41
;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊，專為滿足現(xiàn)代計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性，廣泛應(yīng)用于個(gè)人電腦、服務(wù)器和嵌入式系統(tǒng)中，成為市場上備
2025-02-10 20:10:39
M471A2G43AB2-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 16GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進(jìn)技術(shù)，適用于各種
2025-02-10 07:49:49
M425R2GA3PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 16GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進(jìn)技術(shù)，適用于各種
2025-02-10 07:49:16
M471A1G44CB0-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進(jìn)技術(shù)，適用于各類
2025-02-10 07:48:41
M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了最新的 DDR5 技術(shù)，具有
2025-02-10 07:47:57
全球工業(yè)級嵌入式存儲領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)品牌ADATA威剛科技，近期正式推出了其最新的工業(yè)級DDR5 6400 CU-DIMM與CSO-DIMM內(nèi)存產(chǎn)品，為高性能運(yùn)算(HPC)領(lǐng)域注入了新的活力。 這兩款內(nèi)存
2025-02-08 10:20:131040 創(chuàng)見（Transcend）近日宣布面向消費(fèi)領(lǐng)域推出DDR5 6400 CUDIMM內(nèi)存條，為硬件市場注入新活力。 該系列最先面世的型號為16GB容量單條模組，專為游戲玩家、內(nèi)容創(chuàng)作者、計(jì)算機(jī)DIY
2025-01-24 11:16:181754 2024年作為AIPC元年伴隨異構(gòu)算力（CPU+GPU+NPU）需求高漲及新處理器平臺推出DDR5內(nèi)存以高速率、大容量低延遲與高帶寬有效滿足高性能算力要求加速本地AI大模型運(yùn)行效率推動(dòng)AIPC硬件端
2025-01-21 16:34:412426 
全球航空分析數(shù)據(jù)領(lǐng)域的佼佼者Cirium，近日宣布推出業(yè)界首款專為航空公司和機(jī)場準(zhǔn)點(diǎn)率(OTP)設(shè)計(jì)的生成式AI助手——OTP Awards AI。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的問世，標(biāo)志著Cirium在航空數(shù)據(jù)
2025-01-16 14:27:54908 Banana Pi BPI-RV2 開源網(wǎng)關(guān)是?款基于矽昌SF2H8898 SoC的設(shè)備，1 × 2.5 G WAN?絡(luò)接?、5 個(gè)千兆LAN ?絡(luò)接?、板載 512MB DDR3 內(nèi)存 、128
2025-01-15 17:03:48
Banana Pi BPI-RV2 開源網(wǎng)關(guān)是?款基于矽昌SF2H8898 SoC的設(shè)備，1 × 2.5 G WAN?絡(luò)接?、5 個(gè)千兆LAN ?絡(luò)接?、板載 512MB DDR3 內(nèi)存 、128 MiB NAND、16 MiB NOR、M.2接?，MINI PCIE和USB 2.0接?等。
2025-01-15 17:02:251845 
隨著國產(chǎn)DDR5內(nèi)存的上市，內(nèi)存市場的競爭態(tài)勢即將迎來新的變化。DRAM內(nèi)存作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的明星產(chǎn)品，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Trendforce預(yù)估，2024年全球DRAM內(nèi)存的產(chǎn)值將達(dá)到約907億美元。
2025-01-07 15:53:292422
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