? 美國加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 5 月 [10]日：氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NVTS）正式發(fā)布 NV6169，這是一款采用 GaNSense
2022-05-11 11:05:19
3146 
納微 (Navitas) 半導(dǎo)體宣布，將在11月3號(hào)到6號(hào)在上海舉辦的中國電源學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)(CPSSC) 上展示最新的氮化鎵(GaN)功率IC及其應(yīng)用。
2017-10-30 11:54:4814245 今年2月，納微半導(dǎo)體發(fā)布了寬禁帶行業(yè)首份可持續(xù)發(fā)展報(bào)告。報(bào)告指出，每顆出貨的清潔、綠色氮化鎵功率芯片可節(jié)省 4 kg CO2排放，GaN有望節(jié)省高達(dá) 2.6 億噸/年的二氧化碳排放量，相當(dāng)于 650
2022-06-15 18:19:511086 
前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502386 
氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NVTS）宣布，戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9000 系列高端筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快充。
2021-12-30 15:06:091790 
下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠(yuǎn)的電動(dòng)汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放。
2022-01-14 11:18:151534 
氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼： NVTS）正式宣布其發(fā)貨數(shù)量已超過四千萬顆，終端市場故障率為零。
2022-03-28 09:27:481184 
芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，帶來前所未有的高集成度和性能表現(xiàn)。 氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，同時(shí)還減少了提供相同
2023-03-28 13:54:321257 
器件行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日發(fā)布 全新CRPS185 4.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源方案 ，該方案圍繞納微旗下GaNSafe?高功率氮化鎵功率芯片和GeneSiC
2024-07-26 14:54:012497 
— 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及GaNFast?氮化鎵功率芯片和GeneSiC?碳化硅功率器件行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日發(fā)布 全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片產(chǎn)品——GaNSlim? ，其憑借 最高級(jí)別的集成度和散熱性能 ，可為 手機(jī)
2024-10-17 16:31:091304 
的情況下，氮化鎵有望替代大部分LDMOS份額，占據(jù)射頻器件市場約50%的份額。汽車電氣化推動(dòng)碳化硅市場快速成長汽車半導(dǎo)體市場快速增長汽車IC快速增長，成半導(dǎo)體增長亮點(diǎn)。根據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)
2019-05-06 10:04:10
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)
2018-11-05 09:51:35
電子、汽車和無線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代，需要的器件越來越多，價(jià)格越來越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
Canaccord Genuity預(yù)計(jì)，到2025年，電動(dòng)汽車解決方案中每臺(tái)汽車的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點(diǎn)碳化硅（SiC），在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
詳情見附件：汽車標(biāo)準(zhǔn)總體情況、電動(dòng)汽車標(biāo)準(zhǔn)工作思路、中國電動(dòng)汽車標(biāo)準(zhǔn)及體系概況、中國參與電動(dòng)汽車國際標(biāo)準(zhǔn)與法規(guī)情況、電動(dòng)汽車標(biāo)準(zhǔn)工作未來展望。
2021-04-20 14:44:18
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào)，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
％。[color=rgb(51, 51, 51) !important]目前，氮化鎵已經(jīng)擁有了足夠廣闊的應(yīng)用空間。作為第三代半導(dǎo)體新技術(shù)，也是全球各國爭相角逐的市場，并且市面上已經(jīng)形成了多股氮化鎵代表勢力
2019-07-08 04:20:32
? 至10m?）的分立MOSFET和模塊、用于電動(dòng)汽車輔助系統(tǒng)的600至1200V智能功率模塊（IPM）、和用于泵及電機(jī)的各種40 V至60 V MOSFET。展望未來，安森美半導(dǎo)體電源方案部正擴(kuò)展針對(duì)
2018-10-25 08:53:48
中國的“一車一樁”計(jì)劃，電動(dòng)汽車充電樁總數(shù)在2020年將達(dá)480萬個(gè)，與現(xiàn)有的接近50萬個(gè)相比，未來2年多內(nèi)將安裝430萬個(gè)，其中將至少有200萬個(gè)是大功率直流充電樁。安森美半導(dǎo)體是嶄露頭角的電動(dòng)汽車
2019-08-06 06:39:15
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導(dǎo)體供應(yīng)商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進(jìn)行新產(chǎn)品開發(fā)，用于汽車功能電子化和HEV/EV應(yīng)用。
2019-07-23 07:30:07
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
位于加拿大渥太華的第三代半導(dǎo)體無晶圓設(shè)計(jì)公司，主營業(yè)務(wù)是開發(fā)基于 氮化鎵的功率芯片和功率轉(zhuǎn)換解決方案。公司現(xiàn)擁有200多名員工，這就意味著按照員工數(shù)量的收購價(jià)格約為4百萬美元每位員工。恭喜GaN
2023-03-03 16:48:40
為有效提升電動(dòng)車整體功率并減少車體重量，采用新一代功率半導(dǎo)體可說是勢在必行，氮化鎵便應(yīng)運(yùn)而生；透過氮化鎵IC，未來的電動(dòng)汽車將更快、更小、具更佳的性能，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的能源損耗。
2018-08-14 14:13:063721 
日本一研究團(tuán)隊(duì)宣布，他們利用半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）研發(fā)的逆變器，已首次成功應(yīng)用在電動(dòng)汽車上，有望讓電動(dòng)汽車節(jié)能20％以上。
2019-12-09 10:07:052388 納微半導(dǎo)體今日正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品零故障。
2021-01-27 16:43:142250 納微半導(dǎo)體正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品零故障，反應(yīng)了全球移動(dòng)消費(fèi)電子市場正加速采用氮化鎵芯片，實(shí)現(xiàn)移動(dòng)設(shè)備和相關(guān)設(shè)備的快速充電。
2021-02-01 11:12:142246 ? 納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）是全球氮化鎵功率芯片的開創(chuàng)者，成立于2014年，總部位于愛爾蘭，在深圳、杭州、上海都擁有銷售和研發(fā)中心。納微半導(dǎo)體擁有一支強(qiáng)大且不斷壯大
2021-03-10 14:33:013980 DUBLIN， IRELAND —（PRWeb） 納微半導(dǎo)體宣布，在為期三天的2021年慕尼黑上海電子展上，成功完成一系列GaNFast? 大功率氮化鎵工業(yè)應(yīng)用首秀。
2021-04-27 14:11:531302 納微半導(dǎo)體向福布斯詳細(xì)介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關(guān)信息，并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動(dòng)汽車以及電動(dòng)交通工具等方面的應(yīng)用。
2021-08-24 09:39:212059 
截至 2021 年 5 月，超過 2000 萬片納微 GaNFast?? 氮化鎵功率芯片已經(jīng)成功出貨。
2021-08-24 09:42:301764 
“氮化鎵功率芯片可以將電動(dòng)汽車充電時(shí)間，從原來的11.3小時(shí)縮短到4.7小時(shí)。這個(gè)變化可以節(jié)省70%的能量。
2021-10-08 09:58:161205 
納微半導(dǎo)體今日宣布，小米正式發(fā)布新款智能手機(jī)小米 Civi，配備采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的 55W 氮化鎵充電器。
2021-10-08 11:45:092410 
氮化鎵功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（“納微”）的股票，正式開始在納斯達(dá)克全球市場交易，股票代碼為“NVTS”。
2021-10-21 14:30:312630 
全球氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體，在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業(yè) Demo Day 上，展示了下一代功率電源和手機(jī)快充產(chǎn)品。
2021-11-02 09:51:311289 
在即將召開的 2022 年的CES上，氮化鎵 （GaN） 功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克交易代碼：NVTS）將展示其業(yè)務(wù)拓展計(jì)劃，其業(yè)務(wù)范圍將從目前排名第一的氮化鎵移動(dòng)快速充電器領(lǐng)域，進(jìn)入到包括太陽能、數(shù)據(jù)中心以及電動(dòng)汽車在內(nèi)的更高功率的市場。
2021-12-30 15:08:45881 氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù)，集成了氮化鎵功率場效應(yīng)管（GaN Power［FET］）、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)模塊在單個(gè)SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:132198 氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級(jí)以提高效率和功率密度，將加速進(jìn)入更多類型的快充市場。
2022-05-05 10:32:562299 下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠(yuǎn)的電動(dòng)汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放。
2022-05-09 09:41:571090 美國加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 5 月10日：氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NVTS）正式發(fā)布 NV6169，這是一款采用 GaNSense?技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast?芯片，可滿足高功率應(yīng)用。
2022-05-11 11:24:312749 氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體宣布，正式成為全球首家獲得頂尖碳中和及氣候融資顧問機(jī)構(gòu)Natural Capital Partners頒發(fā)的CarbonNeutral?公司認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。
2022-06-06 14:48:112763 下一代氮化鎵功率芯片 助力RedmiBook Pro實(shí)現(xiàn)輕巧快充 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多2022年6月29日訊 — 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NVTS）宣布
2022-07-01 14:39:402312 
碳化硅和氮化鎵等 寬帶隙 功率半導(dǎo)體可減小組件尺寸、提高效率并改善混合動(dòng)力和全電動(dòng)汽車的性能。 現(xiàn)在越來越多的汽車制造商押注于 SiC 和 GaN，芯片制造商正在轉(zhuǎn)變他們的業(yè)務(wù)，以利用電動(dòng)汽車
2022-07-29 12:06:00947 Anker，重新定義氮化鎵！ ? “納微半導(dǎo)體是氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，自 2017 年以來一直與安克緊密合作。作為納微半導(dǎo)體的首批投資者，安克見證了納微從成立初期到 2021 年在納斯達(dá)克的成功上市。 安克GaNPrime? 全氮化鎵快充家族的產(chǎn)品中，采用了納微新一代增加GaNSense??技術(shù)的
2022-07-29 16:17:441027 
能源轉(zhuǎn)型的挑戰(zhàn)涉及不同的市場。電動(dòng)汽車 (EV) 的技術(shù)進(jìn)步正在降低成本，但最重要的是提供了許多消費(fèi)者所需的更大范圍效率。更高功率密度的電池、更高效的電動(dòng)機(jī)以及用于整個(gè)動(dòng)力系統(tǒng)的新型寬帶隙半導(dǎo)體
2022-08-03 09:40:462177 
電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車的制造商正在為多個(gè)動(dòng)力總成階段尋找高效的功率轉(zhuǎn)換解決方案。寬帶隙半導(dǎo)體，如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，在幾個(gè)方面比硅具有性能優(yōu)勢：更高的效率和開關(guān)頻率，以及
2022-08-05 17:10:021202 
芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者— 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）已正式宣布與威睿電動(dòng)汽車技術(shù)（寧波）有限公司聯(lián)合打造的新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室正式揭牌， 憑借旗下領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片和GeneSiC?碳化硅功率MOSFETs及二極管，進(jìn)一步加速電動(dòng)汽車電源系統(tǒng)的發(fā)展。 威睿是極氪
2022-11-04 15:58:38758 
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測以及芯片等主要應(yīng)用場景。
2023-02-07 09:36:562408 
納微半導(dǎo)體如何在氮化鎵上造芯片？ 作者丨 周雅 剛剛過去的10月底，納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）成功在納斯達(dá)克上市，上市當(dāng)天企業(yè)價(jià)值10億美元。1個(gè)月后，納微半導(dǎo)體再進(jìn)
2023-02-21 14:57:11
0 領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時(shí)、智能的傳感和保護(hù)電路，
進(jìn)一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時(shí)增加了
2023-02-22 13:48:053 下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠(yuǎn)的電動(dòng)汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放 2022年1月14日，北京—— 氮化鎵 (GaN) 功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 Navitas
2023-02-22 13:49:511 近日，世強(qiáng)先進(jìn)(深圳)科技股份有限公司(下稱“世強(qiáng)先進(jìn)”)與國內(nèi)氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)芯片領(lǐng)先廠商——晶通半導(dǎo)體(深圳)有限公司(下稱“晶通半導(dǎo)體”)簽署授權(quán)代理協(xié)議，代理其旗下工業(yè)級(jí)氮化鎵功率驅(qū)動(dòng)芯片、智能氮化鎵功率開關(guān)等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、數(shù)據(jù)中心電源、光伏儲(chǔ)能、快充電源等行業(yè)。
2023-03-08 09:56:002122 在電源領(lǐng)域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設(shè)計(jì)，加強(qiáng)器件可靠性，降低系統(tǒng)成本，納微半導(dǎo)體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進(jìn)的GaNSense?技術(shù)，推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，進(jìn)一步加速氮化鎵市場普及
2023-03-28 13:58:021876 
全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布 已出貨超7500萬顆高壓氮化鎵功率器件。 氮化鎵是是較高壓傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，它減少了提供高壓性
2023-03-28 14:19:531041 
電子展上，納微半導(dǎo)體帶來不少新品，包括最新發(fā)布的GaNSense Control合封技術(shù)、第五代MPS碳化硅肖特基二極管和大功率SiCPAK模塊，進(jìn)一步開發(fā)工業(yè)、家電、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、電動(dòng)汽車等市場。 ? 納微半導(dǎo)體高級(jí)現(xiàn)場應(yīng)用工程師羅月亮對(duì)電子發(fā)
2023-08-01 16:36:192934 
進(jìn)入三星進(jìn)供應(yīng)鏈：納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用。作為下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)，氮化鎵正持續(xù)取代傳統(tǒng)硅功率芯片在移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車的市場份額。 Galaxy S23可謂配置“拉滿”——配備一塊大小為6.1英寸，分辨率為2340×
2023-11-03 14:06:311663 ，氮化鎵芯片具有許多優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢，同時(shí)也存在一些缺點(diǎn)。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵芯片的定義、優(yōu)缺點(diǎn)，以及與硅芯片的區(qū)別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導(dǎo)體
2023-11-21 16:15:3011007 專為大功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，有助于加速氮化鎵半導(dǎo)體在數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動(dòng)汽車領(lǐng)域的應(yīng)用 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 12 月 7 日 – 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN
2023-12-12 18:03:10880 氮化鎵半導(dǎo)體芯片（GaN芯片）和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片在組成材料、性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，氮化鎵半導(dǎo)體芯片和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片的組成
2023-12-27 14:58:242956 納微半導(dǎo)體，作為全球唯一全面專注于下一代功率半導(dǎo)體公司，氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，近日宣布與深圳欣銳科技股份有限公司聯(lián)合打造的新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室正式揭牌。這一合作旨在加速全球新能源汽車的第三代半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展。
2024-01-30 11:08:201499 納微半導(dǎo)體，作為氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，近日宣布與深圳欣銳科技股份有限公司聯(lián)合打造的新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室正式揭牌。這一創(chuàng)新合作旨在推動(dòng)電動(dòng)汽車電源系統(tǒng)的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
2024-01-30 11:13:021695 在功率半導(dǎo)體行業(yè)，納微半導(dǎo)體以其對(duì)氮化鎵和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新，贏得了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。值此成立十周年之際，納微半導(dǎo)體回顧了其一路走來的輝煌歷程，并對(duì)未來展望了無限期待。
2024-02-21 10:50:321467 加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布其GaNFast?氮化鎵功率芯片為三星全新發(fā)布的“AI機(jī)皇”—— Galaxy S24智能手機(jī)打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:041476 納微氮化鎵和碳化硅技術(shù)并進(jìn)，下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升 加利福尼亞州托倫斯2024年3月11日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體
2024-03-13 13:48:331419 
納微半導(dǎo)體，作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者，以及氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)頭羊，近日公布了其針對(duì)AI人工智能數(shù)據(jù)中心的最新電源技術(shù)路線圖。此舉旨在滿足未來12至18個(gè)月內(nèi)，AI系統(tǒng)功率需求可能呈現(xiàn)高達(dá)3倍的指數(shù)級(jí)增長。
2024-03-16 09:39:551722 納微半導(dǎo)體，作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者，以及氮化鎵和碳化硅功率芯片技術(shù)的引領(lǐng)者，近日宣布將亮相于2024年3月20日至22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展。屆時(shí)，納微半導(dǎo)體將設(shè)立一個(gè)獨(dú)特而富有未來感的“納微芯球”展臺(tái)，充分展示其最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)，引領(lǐng)觀眾領(lǐng)略全電氣化的未來世界。
2024-03-16 09:40:581411 1 得益于移動(dòng)快充、AI數(shù)據(jù)中心對(duì)氮化鎵的持續(xù)采用，以及碳化硅在電動(dòng)汽車、太陽能和工業(yè)應(yīng)用的銷售增長，納微半導(dǎo)體2024年第一季度收入同比增長達(dá)73%。 2 全新的GaNSlim技術(shù)將提升氮化鎵基
2024-05-10 18:35:412437 
在電力電子領(lǐng)域，納微半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)，已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日，該公司受邀參加6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024電力電子展，并在“納微芯球”展臺(tái)上展示其最新技術(shù)成果。
2024-05-30 14:43:081171 在AI技術(shù)的快速發(fā)展推動(dòng)下，數(shù)據(jù)中心對(duì)電源功率的需求正呈指數(shù)級(jí)增長。納微半導(dǎo)體CEO Gene Sheridan近日在CNBC的WORLDWIDE EXCHANGE節(jié)目中，就這一趨勢與主持人Frank Holland進(jìn)行了深入討論。
2024-06-11 16:29:081292 近日，納微半導(dǎo)體CEO Gene Sheridan做客CNBC，與WORLDWIDE EXCHANGE主持人Frank Holland對(duì)話，分享了在AI數(shù)據(jù)中心所需電源功率呈指數(shù)級(jí)增長的需求下，下一代氮化鎵和碳化硅將迎來怎樣的火熱前景。
2024-06-13 10:30:041343 加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片獲
2024-06-21 14:45:442670 在科技日新月異的今天，充電技術(shù)正不斷取得新的突破。近日，納微半導(dǎo)體宣布其先進(jìn)的GaNFast氮化鎵功率芯片被聯(lián)想兩款全新充電器所采用，為消費(fèi)者帶來了前所未有的快充體驗(yàn)。這兩款充電器分別是小新105W
2024-06-22 14:13:491787 加利福尼亞州托倫斯2024年7月25日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日發(fā)布全新CRPS185
2024-07-26 14:15:293244 
近日，納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能，在手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源以及固態(tài)照明電源等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大潛力。
2024-10-17 16:02:311134 日本公司正積極投入大規(guī)模生產(chǎn)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體器件，旨在提升電動(dòng)汽車的行駛里程。盡管氮化鎵與碳化硅（SiC）在電動(dòng)汽車功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用上競爭激烈，但氮化鎵因其極低的功率損耗而備受矚目。
2024-10-22 15:10:021757 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）十年前納微半導(dǎo)體作為氮化鎵行業(yè)的先鋒，成功地將氮化鎵功率器件帶入消費(fèi)電子市場，幫助客戶打造了許多氮化鎵充電器的爆款產(chǎn)品，也推動(dòng)了“氮化鎵”的認(rèn)知普及，當(dāng)然也成就了納微
2024-10-23 09:43:592386 
氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢盡顯，在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子等熱門領(lǐng)域，發(fā)揮重要的作用。
2024-10-29 16:23:151570 
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，其
2024-11-08 11:33:162107 近日， 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 將參加于2025年1月7日-10日在拉
2024-12-09 11:50:311435 近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081235 
GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，將觸發(fā)多個(gè)行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級(jí)解決方案，預(yù)計(jì)將顯著提升能效與功率密度，加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對(duì)傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。
2025-02-21 16:41:10867 近日，唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025，展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用新突破。
2025-02-25 10:16:381785 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)650V雙向GaNFast氮化鎵
2025-03-13 15:49:392996 
日訊——納微半導(dǎo)體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項(xiàng)車規(guī)認(rèn)證，這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在電動(dòng)汽車市場的應(yīng)用正式邁入了全新階段。 ? 納微半導(dǎo)體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產(chǎn)品家族， 集成了控制、驅(qū)動(dòng)、感測以及關(guān)鍵的保護(hù)功能
2025-04-17 15:09:264300 
納微半導(dǎo)體宣布將在5月6-8日參加于德國紐倫堡舉辦的PCIM 2025，全面展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、電機(jī)馬達(dá)和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用新進(jìn)展。
2025-04-27 09:31:571008 下一階段戰(zhàn)略有望強(qiáng)化供應(yīng)鏈、推動(dòng)創(chuàng)新，降本增效——助力納微氮化鎵（GaN）在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、太陽能以及家電、手機(jī)移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域的快速應(yīng)用。 加利福尼亞州托倫斯2025年6月30日訊——納微
2025-07-02 17:21:091548 
納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布一項(xiàng)重要人事任命：納微董事會(huì)已決定聘任Chris Allexandre為公司總裁兼首席執(zhí)行官，自2025年9月1日起正式履職。同時(shí)，Chris
2025-08-29 15:22:423924 隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹立新標(biāo)桿。這些突破性的新一代
2025-10-31 13:56:161980
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