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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中

英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中

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伯恩半導體 肖特基二極管 SS14數(shù)據(jù)手冊

肖特基二極管SMA(DO-214AC)40V1A0.5mA封裝:SMA
2022-08-19 15:44:594

伯恩半導體 肖特基二極管 SS54數(shù)據(jù)手冊

肖特基二極管SMB(DO-214AA)40V5A0.5mA封裝:SMB
2022-08-19 15:45:061

伯恩半導體 肖特基二極管 DSS24數(shù)據(jù)手冊

肖特基二極管SOD-123FL40V2A0.5mA封裝:SOD123FL
2022-08-19 15:45:270

伯恩半導體 肖特基二極管 SS54SMA數(shù)據(jù)手冊

肖特基二極管SMA40V5A1mA封裝:SMA
2022-08-19 15:45:434

PSC1065H:DPAK R2P650 V、10 A SiC肖特基二極管產(chǎn)品介紹

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2023-12-19 16:06:240

英飛凌發(fā)布650V軟特性發(fā)射控制高速二極管EC7

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝,具有2個引腳,不僅增加了安規(guī)距離,提高了可靠性,而且適用于多種應用場景。
2024-02-01 10:50:021808

介紹一款用于光伏儲能充電樁的50A 650V TO-247封裝IGBT

本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT
2024-03-15 14:26:0746430

650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65HE數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:08:180

650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UE數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:09:161

650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UH數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:10:360

Nexperia推出兩款650V超快速恢復整流二極管

2024年7月10日,半導體行業(yè)的領軍企業(yè)Nexperia隆重推出了兩款專為高壓環(huán)境設計的650V超快速恢復整流二極管,這些產(chǎn)品采用了獨特的D2 PAK真雙引腳(R2P)封裝技術,旨在廣泛應用于工業(yè)及消費領域,如充電適配器、光伏(PV)系統(tǒng)、逆變器、數(shù)據(jù)中心服務器以及開關模式電源(SMPS)等。
2024-07-11 15:02:0111753

Nexperia推出650V兩種超快速恢復整流二極管

Nexperia(安世半導體)近日推出了采用D2PAK真雙引腳 (R2P) 封裝650V兩種超快速恢復整流二極管,可用于各種工業(yè)和消費應用,包括充電適配器、光伏 (PV)、逆變器、服務器和開關模式
2024-07-11 16:10:111291

MBR4040CT肖特基二極管40A電流40V規(guī)格介紹

MBR4040CT肖特基二極管40A電流40V規(guī)格介紹
2024-11-13 16:26:401412

新品 | 3300V,1600A二極管IHV B模塊

新品3300V,1600A二極管IHVB模塊知名的IHVBIHVB3.3kV單開關IGBT模塊經(jīng)過了重大改進,以滿足牽引和工業(yè)應用(如壓傳動或HVDC)當前和未來的要求。這是首次擴展二極管產(chǎn)品組合
2024-12-12 17:03:21895

NGW40T65M3DFP 40A溝槽場停止IGBT與全額定硅二極管規(guī)格書

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2025-02-18 16:58:120

SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性

P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標準,具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
2025-02-25 14:18:58844

SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準,無鹵且符合RoHS標準。產(chǎn)品具備超快速開關、零反向恢復
2025-02-25 15:44:15792

SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101、RoHS標準,無鹵。具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻
2025-02-25 16:01:30888

SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標準,具備超快速開關、零反向恢復電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流
2025-02-25 17:03:23871

SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標準,具備超快速開關、零反向恢復電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-25 17:44:07773

SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P6D06004T2650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS
2025-02-25 18:13:42813

SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和 RoHS標準。具備超快速開關、零反向恢復電流、高頻操作、正向
2025-02-26 16:54:52783

SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和 RoHS標準。具有超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:07:13727

SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標準。具有超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:25:48806

SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和RoHS標準。封裝形式為 TO - 263 - 2。具備超快速
2025-02-26 17:40:46774

SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和RoHS標準。封裝形式為 TO - 252 - 2。具備超快速
2025-02-26 18:01:16854

Vishay推出多款采用工業(yè)標準SOT-227封裝650 V和1200 V SiC肖特基二極管,提升高頻應用效率

40 A至240 A二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V,QC僅為56 nC 威世科技宣布,推出16款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅(SiC)肖特基
2025-02-27 12:49:35763

SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和 RoHS標準。封裝形式為 TO - 220 - 2,具備超快速
2025-02-27 17:11:28678

SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS 標準。封裝形式為 TO - 220I - 2,具有超
2025-02-27 17:32:44805

SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標準。具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作
2025-02-27 17:59:06713

SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標準,具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓具有正溫度系數(shù)
2025-02-27 18:25:13833

SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝。通過 AEC - Q101認證,具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:12:48792

SiC SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過 AEC - Q101認證,具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓具有正
2025-02-28 17:21:08851

SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認證,具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:52:15813

SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過了 AEC - Q101認證,具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行等特性,正向電壓具有
2025-02-28 18:21:04900

森國科650V/10A SiC二極管的七大封裝形態(tài)

第三代半導體碳化硅功率器件領軍企業(yè)森國科推出的碳化硅二極管 KS10065(650V/10A),針對不同場景的散熱、空間及絕緣要求,提供7種封裝形態(tài),靈活覆蓋車規(guī)、工業(yè)電源、消費電子三大領域。通過
2025-08-16 15:55:442377

探索LSIC2SD065D40CC碳化硅肖特基二極管:性能與應用的深度解析

LSIC2SD065D40CC是一款耐壓650V,每路20A的碳化硅肖特基勢壘二極管。它采用TO - 263 - 2L封裝,這種封裝形式在實際應用較為常見,方便
2025-12-15 16:10:20275

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