污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響
本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機(jī)和金屬污染中，以研究它們對堿性紋理化過程的影響，由此可見，無機(jī)污染對金字塔密度的影響不小...
一種將硅和石英玻璃晶片的鍵合方法
本文展示了一種使用連續(xù)濕法化學(xué)表面活化(即SPM→RCAl清洗)結(jié)合硅和石英玻璃晶片的鍵合方法。經(jīng)過200 ℃的多步后退火，獲得了無空洞或微裂紋的牢固結(jié)合，基于詳細(xì)的表面和鍵合界面表征，...
詳解化學(xué)鎳沉積技術(shù)的沉積過程
本文報道了這種化學(xué)鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過掃描電鏡檢查，研究了各種預(yù)處理刻蝕過程和鋅酸鹽活化對最終化學(xué)鎳碰撞質(zhì)量的影響，以幫助詳細(xì)了解活化機(jī)理，并確定它們對化學(xué)...
不同清洗方法對納米顆粒表征的影響
本文介紹了我們?nèi)A林科納研究不同清洗方法（離心和透析）對15納米檸檬酸鈉穩(wěn)定納米顆粒表面化學(xué)和組成的影響，關(guān)于透析過程，核磁共振分析表明，經(jīng)過9個清洗周期后，檸檬酸濃度與第一次...
使用KOH各向異性蝕刻Si的光學(xué)器件的單掩模微制造（上）
?引言 我們報道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕，用單掩模工藝進(jìn)行連續(xù)非球面光學(xué)表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級的橫向尺度和幾微米量級的輪廓深度的精確的任意...
使用n型GaSb襯底優(yōu)化干法和濕法蝕刻工藝
基本化學(xué)成分以Cl2為基礎(chǔ)，外加用于側(cè)壁鈍化的N2。優(yōu)化的ICP蝕刻工藝能夠產(chǎn)生具有光滑側(cè)壁的高縱橫比結(jié)構(gòu)。使用670nm波長的激光進(jìn)行原位反射監(jiān)測，以高精度在材料界面停止蝕刻。考慮到在...
多晶硅蝕刻殘留物的的形成機(jī)理
為了闡明蝕刻殘留物的形成機(jī)理，研究了氯/氦-氧、溴化氫/氦-氧和溴化氫/氯等不同氣體混合物的影響，我們發(fā)現(xiàn)在氧的存在下，蝕刻殘留物形成良好，這表明蝕刻殘留物是由氧和非揮發(fā)性乳化...
半導(dǎo)體工藝 臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒
摘要 本研究開發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず皖w粒。僅經(jīng)過商業(yè)脫蠟處理后，仍殘留有厚度超過200的蠟殘留物。由于臭氧的擴(kuò)散限制...
多孔GaN的結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性
摘要 本文報道了鉑輔助化學(xué)化學(xué)蝕刻制備的多孔氮化鎵的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能。掃描電鏡圖像顯示，孔隙的密度隨著蝕刻時間的增加而增加，而蝕刻時間對孔隙的大小和形狀沒有顯著影響。原子力...
半導(dǎo)體工藝中化學(xué)機(jī)械拋光后刷洗的理論分析
摘要 化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導(dǎo)體器件制造的一個關(guān)鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒，或者是...
硅晶片在氫氧化鉀、TMAH和EDP溶液中的蝕刻速率
本文研究了氫氧化鉀、TMAH（C6H4(OH)2)溶液中氫氧化銨（四甲基銨）和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的濃度和溫度對硅表面的影響，制作了光滑的垂直墻和懸吊梳式結(jié)構(gòu)。...
通過表面分析評估Cu-CMP工藝
半導(dǎo)體裝置為了達(dá)成附加值高的系統(tǒng)LSI，需要高集成化，高速化，這其中新的布線材料，絕緣膜是不可缺少的。其中，具有低電阻的Cu，作為布線材料受到關(guān)注。化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）和之后的清...
半導(dǎo)體晶片鍵合的對準(zhǔn)方法
多年來，半導(dǎo)體晶片鍵合一直是人們感興趣的課題。使用中間有機(jī)或無機(jī)粘合材料的晶片鍵合與傳統(tǒng)的晶片鍵合技術(shù)相比具有許多優(yōu)點，例如相對較低的鍵合溫度、沒有電壓或電流、與標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)...
利用原子力顯微鏡測量硅蝕刻速率
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實現(xiàn)在氫氧化鉀...
通過臭氧微氣泡進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓的光刻膠去除實驗
半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環(huán)境污染有很大的關(guān)系，因...
韋爾股份2021年報正式發(fā)布 半導(dǎo)體設(shè)計收入達(dá)200億
韋爾股份2021年報正式發(fā)布 ；數(shù)據(jù)顯示韋爾股份2021年的半導(dǎo)體設(shè)計收入達(dá)200億。...
2022-04-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體設(shè)計半導(dǎo)體設(shè)計韋爾股份 4183
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