環(huán)球晶圓擬在德州投資50億美元建設(shè)新工廠
此前芯片制造商需要國(guó)會(huì)通過(guò)一項(xiàng)520億美元芯片法案計(jì)劃，這個(gè)法案目的是擴(kuò)大美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，減少對(duì)外國(guó)原材料的依賴(lài)，假如法案被通過(guò)，環(huán)球晶圓也能從中拿到一部分資金。美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)...
2022-06-28 標(biāo)簽：晶圓晶圓環(huán)球晶圓 2265
CLL技術(shù)應(yīng)用于新材料和系統(tǒng)的制造和研究
化學(xué)提升光刻(CLL)是一種減法軟光刻技術(shù)，它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)標(biāo)記來(lái)繪制功能分子的自組裝單層，應(yīng)用范圍從生物分子圖案到晶體管制造。在此我們表明，CLL可以作為一種更廣泛的技術(shù)...
單晶片背面和斜面清潔（上）
介紹 在IC制造中，從晶圓背面(BS)去除顆粒變得與從正面(FS)去除顆粒一樣重要。例如，在光刻過(guò)程中，； BS顆粒會(huì)導(dǎo)致頂側(cè)表面形貌的變化。由于焦深(DOF)的處理窗口減小，這可能導(dǎo)致焦點(diǎn)故障...
先進(jìn)封裝 一個(gè)大周期的開(kāi)始“迎風(fēng)國(guó)潮”半導(dǎo)體設(shè)備研討會(huì)
? 設(shè)備是芯片制造的基石。在芯片短缺和疫情持續(xù)的雙重作用下，發(fā)展芯片設(shè)備行業(yè)成為一個(gè)戰(zhàn)略舉措。為了探討以上問(wèn)題，看清行業(yè)趨勢(shì)、格局變化等，遠(yuǎn)川研究所于5月26日（周四）15:30-17...
中國(guó)臺(tái)灣知名電子企業(yè)22年Q1業(yè)績(jī) 富士康、臺(tái)積電、聯(lián)發(fā)科
蘋(píng)果供應(yīng)商富士康(Foxconn Technology Group，鴻海精密)2022年第一季度利潤(rùn)好于預(yù)期。富士康1-3月凈利潤(rùn)增長(zhǎng)4.6%，至新臺(tái)幣294.5億元；收入增長(zhǎng)4.5%，至新臺(tái)幣1.408萬(wàn)億元(約477億美元)。 和碩(PEGATRON C...
2022-06-16 標(biāo)簽：臺(tái)積電臺(tái)積電富士康聯(lián)發(fā)科 3895
使用硬掩模進(jìn)行更精細(xì)的硅通孔蝕刻
引言 隨著對(duì)多功能移動(dòng)消費(fèi)電子設(shè)備需求的增加，半導(dǎo)體芯片互連密度的復(fù)雜性不斷增加。傳統(tǒng)的芯片到封裝集成(CPI)使用引線鍵合將鍵合焊盤(pán)互連到封裝引線。隨著芯片規(guī)模向原子級(jí)發(fā)展，采...
設(shè)計(jì)一顆IC芯片時(shí)究竟有哪些步驟
昨天的文章中金譽(yù)半導(dǎo)體就提到了，芯片制作的第一個(gè)步驟就是制定芯片方案設(shè)計(jì)，只有把芯片的內(nèi)部制造方案設(shè)計(jì)出來(lái)后，才能根據(jù)這個(gè)方案一步步完成。目前有很多專(zhuān)業(yè)的IC芯片方案設(shè)計(jì)公...
2022-06-15 標(biāo)簽：聯(lián)發(fā)科半導(dǎo)體晶圓edaedaIC芯片半導(dǎo)體晶圓聯(lián)發(fā)科 7981
國(guó)產(chǎn)電腦迎來(lái)新風(fēng)口 永銘電容助力實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵零部件突破
5月28號(hào)，Canalys公布了2022年第一季度國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的PC和平板電腦銷(xiāo)售情況。這份報(bào)告中提到 ， 一季度銷(xiāo)售榜單中聯(lián)想摘得桂冠，共計(jì)出貨430萬(wàn)臺(tái)，占據(jù)了37%的市場(chǎng)份額，其中華為在一季度實(shí)現(xiàn)了...
2022-06-14 標(biāo)簽：電容國(guó)產(chǎn)電腦電容 1204
硝酸濃度對(duì)硅晶片總厚度和重量損失的影響
新的微電子產(chǎn)品要求硅(Si)晶片變薄到厚度小于150 μm。機(jī)械研磨仍然會(huì)在晶片表面產(chǎn)生殘余缺陷，導(dǎo)致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學(xué)蝕刻方法主要用于生產(chǎn)具有所需厚度的光滑表面的可靠薄...
佳能新發(fā)售KrF半導(dǎo)體光刻機(jī)的Grade10升級(jí)包
佳能將于2022年8月初發(fā)售KrF※1半導(dǎo)體光刻機(jī)“FPA-6300ES6a”的“Grade10”產(chǎn)能升級(jí)配件包（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“Grade10”升級(jí)包）。KrF半導(dǎo)體光刻機(jī)“FPA-6300ES6a” 自發(fā)售至今，已經(jīng)在生產(chǎn)存儲(chǔ)器和邏輯電路的...
百億美元市場(chǎng)背后的技術(shù)之戰(zhàn) 芯片先進(jìn)封裝脈動(dòng)全球
預(yù)計(jì)2024年，全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)達(dá)440億元。先進(jìn)封裝設(shè)備貼片機(jī)升級(jí)成封裝廠商投資重點(diǎn)。...
硅片減薄蝕刻技術(shù)：RIE技術(shù)將硅片減薄到小于20微米
引言 高效交叉背接觸(IBC)太陽(yáng)能電池有助于減少太陽(yáng)能電池板的面積，從而為家庭消費(fèi)提供足夠的能量。我們?nèi)A林科納認(rèn)為，借助光阱方案，適當(dāng)鈍化的IBC電池即使厚度小于20μm也能保持20%的效...
蝕刻工藝表征實(shí)驗(yàn)報(bào)告研究
初始屏蔽檢查 對(duì)蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓，無(wú)論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數(shù)是厚度和側(cè)壁角度。如果可能，對(duì)橫截面進(jìn)行SEM檢查，以確定適用于您的蝕刻步驟...
紫光國(guó)微旗下紫光青藤入選國(guó)家鼓勵(lì)的重點(diǎn)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)清單
為持續(xù)優(yōu)化集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，鼓勵(lì)企業(yè)提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力，國(guó)家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部、財(cái)政部、海關(guān)總署、稅務(wù)總局聯(lián)合發(fā)出《關(guān)于做好2022年享受稅收優(yōu)惠政策的集成電路企業(yè)...
通過(guò)一體式蝕刻工藝來(lái)減少通孔的缺陷
引言 本研究針對(duì)12英寸晶圓廠近期技術(shù)開(kāi)發(fā)過(guò)程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導(dǎo)致的圖案失效缺陷。AIO蝕刻直接限定了溝槽和通孔的形狀，然而，包括層間介電膜的沉積、金屬硬掩模和濕法清洗的...
濕法清洗過(guò)程中的顆粒沉積和去除研究
摘要 溶液中晶片表面的顆粒沉積。然而，粒子沉積和清除機(jī)制液體。在高離子中觀察到最大的粒子沉積:本文將討論粒子沉積的機(jī)理酸性溶液的濃度，并隨著溶液pH值的增加而降低，在使用折痕...
封測(cè)企業(yè)華進(jìn)半導(dǎo)體榮獲無(wú)錫高新區(qū)科技創(chuàng)新貢獻(xiàn)獎(jiǎng)
2022年5月30日，無(wú)錫高新區(qū)（新吳區(qū)）召開(kāi)全區(qū)人才工作暨科技創(chuàng)新大會(huì)，華進(jìn)半導(dǎo)體榮獲“2021年度區(qū)科技創(chuàng)新貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”、“2021年度區(qū)科技創(chuàng)新資金重點(diǎn)獎(jiǎng)勵(lì)企業(yè)”，華進(jìn)半導(dǎo)體總經(jīng)理孫鵬上臺(tái)...
2022-05-31 標(biāo)簽：封裝封測(cè)華進(jìn)半導(dǎo)體封測(cè)封裝 8637
22nm互連的光刻蝕刻后殘留去除的挑戰(zhàn)和新方法
本文描述了我們?nèi)A林科納研究去除金屬硬掩模蝕刻后光致抗蝕劑去除和低k蝕刻后殘留物去除的關(guān)鍵挑戰(zhàn)并概述了一些新的非等離子體為基礎(chǔ)的方法。 隨著圖案尺寸的不斷減小，金屬硬掩模(MH...
圖解SK海力士半導(dǎo)體生產(chǎn)全過(guò)程 看半導(dǎo)體制造如何點(diǎn)沙成金
. 來(lái)源 ： SK 海力士...
華進(jìn)半導(dǎo)體指導(dǎo)項(xiàng)目喜獲第二屆 “集萃創(chuàng)新杯”二等獎(jiǎng)
2022年5月24日，由長(zhǎng)三角國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新中心、江蘇省產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院組織開(kāi)展的“第二屆集萃創(chuàng)新杯”活動(dòng)頒獎(jiǎng)典禮順利召開(kāi)，華進(jìn)半導(dǎo)體陳天放、陶煊及北京郵電大學(xué)張金玲教授共同指導(dǎo)的“...
2022-05-26 標(biāo)簽：封裝華進(jìn)半導(dǎo)體 2620
聯(lián)電新加坡晶圓廠P3開(kāi)始動(dòng)工，預(yù)計(jì)2024年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
今年3月份，聯(lián)電曾計(jì)劃咋新加坡Fab12i廠區(qū)新建晶圓廠，共計(jì)花費(fèi)50億美元，預(yù)計(jì)將在2024年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 日前，聯(lián)電新加坡的新晶圓廠P3正式開(kāi)始動(dòng)工，并且以9.54億新臺(tái)幣的價(jià)格取得了30年的土...
Cadence分析 3D IC設(shè)計(jì)如何實(shí)現(xiàn)高效的系統(tǒng)級(jí)規(guī)劃
Cadence Integrity 3D-IC 平臺(tái)是業(yè)界首個(gè)全面的整體 3D-IC 設(shè)計(jì)規(guī)劃、實(shí)現(xiàn)和分析平臺(tái)，以全系統(tǒng)的視角，對(duì)芯片的性能、功耗和面積 (PPA) 進(jìn)行系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)化，并對(duì) 3D-IC 應(yīng)用的中介層、封裝和印刷電...
2022-05-23 標(biāo)簽：集成電路IC設(shè)計(jì)封裝Cadence3DIC 5912
等離子體蝕刻和沉積問(wèn)題的解決方案
我們?nèi)A林科納討論了一些重要的等離子體蝕刻和沉積問(wèn)題（從有機(jī)硅化合物）的問(wèn)題，特別注意表面條件，以及一些原位表面診斷的例子。由于等離子體介質(zhì)與精密的表面分析裝置不兼容，講了...
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