來自法國的市場研究機構 Yole Developpement 發(fā)布最新覆晶封裝（Flip Chip）市場及技術發(fā)展趨勢報告，更新了覆晶封裝市場的最新商業(yè)動態(tài)，其中包括TIM、底部填充膠（underfills）、基板（substrates）及覆晶封裝焊接器（Flip-Chip bonders）之資訊；該報告更新了對該市場2010~2018年的預測數(shù)據(jù)、詳細的技術發(fā)展藍圖，以及從細節(jié)到總體性的方法途徑，并探討了針對 3DIC 與2.5D IC制程應用的微凸塊（micro bumping）封裝技術。

　　Yole Developpement表示，儘管具備高達19% 的年復合成長率，覆晶封裝其實并非新技術，早在叁十年前就由IBM首次引進市場；也因為如此，覆晶封裝很容易被視為是一種舊的、較不吸引人的成熟技術。但事實上，覆晶封裝不斷隨著時代演進，甚至發(fā)展出新型的微凸塊封裝方案，以支援3DIC及2.5D等最先進IC制程技術。

　　事實上，無論使用哪種封裝技術，最終都還是需要凸塊（bumping）這個制程階段。2012年，凸塊技術在中段制程領域佔據(jù)81%的安裝產(chǎn)能，約當1，400萬片12吋晶圓；晶圓廠裝載率同樣為高水準，特別是銅柱凸塊平臺（Cu pillar platform，88%）。

　　在覆晶封裝市場規(guī)模方面，估計其 2012年金額達200億美元（為中段制程領域的最大市場），Yole Developpement預期該市場將持續(xù)以每年9%速度成長，在2018年可達到350億美元規(guī)模。而接下來五年內(nèi)，覆晶封裝產(chǎn)能預期將于以下叁個主要領域產(chǎn)生大量需求：

　　1. CMOS 28nm IC，包括像是APE/BB等新應用；

　　2. 下一代DDR記憶體；

　　3. 使用微凸塊技術的3D/2.5D IC 硅中介層（interposer）。

　　在以上應用的推動下，銅柱凸塊正逐步成為覆晶封裝的互連首選。

　　而除了已經(jīng)使用覆晶封裝好一段時間的傳統(tǒng)應用──筆電、桌上型電腦、CPU、繪圖處理器（GPU）、晶片組；雖然成長速度趨緩但仍佔據(jù)據(jù)覆晶封裝相當大的產(chǎn)量──Yole Developpement分析師預期，覆晶封裝技術也將在行動與無線裝置（如智慧型手機）、消費性應用（平板電腦、智慧型電視、機上盒）、電腦運算，以及高效能/工業(yè)性應用像是網(wǎng)路、伺服器、資料處理中心及HPC等方面產(chǎn)生大量需求。

　　新一代的覆晶封裝IC 預期將徹底改變市場面貌，并驅動市場對晶圓凸塊技術的新需求；Yole Developpement先進封裝技術分析師Lionel Cadix表示：「在3D整合及超越摩爾定律的途徑方面，覆晶封裝是關鍵技術之一，并將讓晶圓整合實現(xiàn)前所未見的精密系統(tǒng)?！苟簿Х庋b正隨著產(chǎn)業(yè)對新式銅柱凸塊及微凸塊技術的需求而重新塑形，正逐漸成為晶片互連的新主流凸塊冶金技術。

　　除了主流的凸塊技術外，Yole Developpement的新報告也聚焦了逐漸于各種應用領域受到歡迎的銅柱凸塊技術。銅柱凸塊獲得大量採用的驅動力來自數(shù)個方面，包括超細間距（very fine pitch）、無凸塊下金屬層（UBM），以及high Z standoff制程等。

　　以晶圓片數(shù)量計算，銅柱凸塊覆晶封裝產(chǎn)能預期將在2010到2018之間達到35% 的年復合成長率（CAGR）；銅柱凸塊產(chǎn)能已經(jīng)在第一大覆晶封裝制造商英特爾（Intel）的產(chǎn)能佔據(jù)很高比例，預期到2014年，有超過50%的凸塊晶圓是採用銅柱。

　　至于運用于2.5D IC與 3DIC 制成的微凸塊技術，可望在2013年隨著APE、 DDR記憶體等新型態(tài)應用，拉高市場對覆晶封裝的需求，并帶來新的挑戰(zhàn)與新技術發(fā)展。如今的覆晶封裝技術已可支援各種制程技術節(jié)點，以因應各種應用的特定需求。

　　而最終凸塊技術將演進至直接將IC與銅墊片接合；這種以無凸塊銅對銅接合的3D IC整合方案，預期將可提供高于4 x 105 cm2的IC對IC連結密度，使其成為更適合未來推進摩爾定律極限的晶圓級3D IC整合方案。

　　***是全球覆晶封裝凸塊制程產(chǎn)能第一大

　　全球各大半導體封測業(yè)者正準備生產(chǎn)以覆晶球柵陣列（fcBGA）為基礎形式的銅柱凸塊制程，也不會限制銅柱凸塊在晶片尺寸覆晶封裝（fcCSP）上的運用，這讓各種元件如CPU、GPU、晶片組、APE、BB、ASIC、FPGA及記憶體等供應商，都有機會採用銅柱凸塊覆晶封裝技術。估計銅柱凸塊產(chǎn)能將在2010到2014期間快速成長（年復合成長率31%），規(guī)模在2014年達到900萬片晶圓，并支援微凸塊技術及先進CMOS IC凸塊技術的成長需求。

　　在正值轉變期的中段制程領域，各家CMOS晶圓廠正在大力推廣晶圓凸塊技術服務──包括臺積電（TSMC）、GLOBALFOUNDRIES等晶圓代工大廠；而凸塊技術供應商（FCI、Nepes等）以及半導體封測業(yè)者，則是專注于投資先進凸塊技術。在2012年，半導體封測業(yè)者貢獻31%的ECD焊錫凸塊（solder bump）技術安裝產(chǎn)能，及22%的銅柱凸塊技術安裝產(chǎn)能。

　　以區(qū)域來看，***擁有全球最大的是整體凸塊產(chǎn)能（不分冶金技術），主要來自晶圓代工廠與半導體封測業(yè)者；而***目前是銲錫與銅覆晶封裝凸塊外包市場的龍頭。受惠于半導體中段制程聚合趨勢，覆晶封裝市場正在成長，且可能對傳統(tǒng)「IDM vs.無晶圓廠」的供應鏈生態(tài)帶來前所未有的挑戰(zhàn)。