報導(dǎo)，存儲器三強三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時代做準備。因存儲器削價競爭結(jié)束后，三大廠認為以25
2014-04-04 09:08:42
1577 近日媒體報導(dǎo)，清華紫光集團出價230億美元，希望能并購美國DRAM大廠美光(Micron)。此事還未成真，但已引起臺灣的高度重視(或緊張)
2015-07-26 12:44:211434 對中國大陸來說，今年可算是真正意義上的存儲器元年。武漢存儲器基地項目啟動，與聯(lián)電合作的晉華集成電路項目落戶福建泉州晉江市，還有明確要做存儲器的合肥市和紫光。三個地方加一個企業(yè)牽頭的“3+1”存儲器版圖已初現(xiàn)端倪。
2016-05-25 09:08:441063 廠家有可能跟中國新進入者共同研發(fā)或技術(shù)轉(zhuǎn)移，但利潤很薄，前景堪憂。今年，武漢存儲器基地項目啟動，與聯(lián)電合作的晉華集成電路項目落戶福建泉州晉江市，還有明確要做存儲器的合肥市和紫光。
2016-05-27 09:29:131948 業(yè)界傳出，清華紫光集團有意拉武漢新芯，搶進NAND Flash市場，采取類似美光與臺DRAM大廠華亞科的合作模式，如此一來，紫光也可搭上武漢新芯構(gòu)建新廠的列車，并且與美光洽談技術(shù)授權(quán)，加速紫光集團發(fā)展壯大的時間。
2016-07-12 10:06:531504 大陸DRAM和NAND Flash存儲器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長江存儲、合肥長鑫等陣營陸續(xù)來臺鎖定IC設(shè)計和DRAM廠強力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151867 全球存儲器業(yè)務(wù)整并潮持續(xù)進行，美光科技將退出NOR Flash業(yè)務(wù)，計劃出售旗下NOR芯片業(yè)務(wù)，正尋求相關(guān)買家，全力沖刺DRAM及3D NAND Flash，傳華邦電及兆易創(chuàng)新可能接手。
2017-02-13 09:12:001558 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:365076 
Flash SSD/DOM業(yè)者導(dǎo)入十倍于MLC耐用品質(zhì)等級的iSLC存儲器技術(shù)，加上導(dǎo)入種種維護、監(jiān)控SSD內(nèi)部Flash在擦寫均勻度（Wear Leveling）、品質(zhì)與穩(wěn)定性的關(guān)鍵技術(shù)，使得MLC可以導(dǎo)入輕量級工控應(yīng)用，而iSLC存儲器將成為工控應(yīng)用的新寵。
2013-03-05 10:50:332978 發(fā)展而言，更是象征自主研發(fā)，降低對外國廠商依賴的一大進步。 近日，美光科技 CEO Sanjay Mehrotra 接受采訪時表示，中國廠商在開發(fā) NAND 及 DRAM 上，仍處在非常早期階段。就存儲器產(chǎn)業(yè)而言，要能成為國際市場中擁有影響力的廠商，尖端技術(shù)、知識產(chǎn)
2018-03-25 08:52:0013846 才會停止DRAM的投資。從目前各新興存儲器的技術(shù)進展來看，讀寫速度都已紛紛進入10ns的目標區(qū)，而且不需要更新電流(refresh current)，對功耗問題大有好處。況且這些技術(shù)也都可以3D堆疊
2018-10-12 14:46:09
同于DRAM的存儲技術(shù)。首先，FLASH存儲器中的每個位都由單個晶體管組成，但是這些晶體管具有稱為浮柵的特殊層。通過使用量子隧道將位存儲在FLASH存儲器中，以將電子捕獲在浮柵層中，這使晶體管或多或少具有
2020-09-25 08:01:20
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實現(xiàn)擴展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設(shè)計出一個合理
2019-08-16 07:06:12
Flash存儲器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲器 ,Flash存儲器具有自己獨特的優(yōu)點:不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
存取速度分類)：1、隨機存取存儲器：SRAM、DRAM、FRAM；2、非隨機存取存儲器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差強人意的分類為(按易失性分類)：1、易
2012-01-06 22:58:43
技術(shù)的日趨成熟,存儲器價格會回穩(wěn).然而就DRAM市場來說,誰也不知道DRAM的供貨何時才會穩(wěn)定下來.再來看市場需求狀況,雖然有些存儲器市場分段的市場需求正在增長,但是這些分段的增長幅度并不高,可見主要的問題是來自于供給側(cè).
2019-07-16 08:50:19
7月14日早間消息，據(jù)知情人士透露，紫光集團向美國芯片存儲巨頭美光發(fā)出收購邀約，預(yù)計收購價格230億美元。 據(jù)悉，紫光集團提議以每股21美元，總代價230億美元的價格全面收購美光。這是中國企業(yè)
2015-07-14 10:44:29
EVERSPIN非易失性存儲器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
，大數(shù)據(jù)存儲需求持續(xù)增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增長率達40%-45%，而美光NAND技術(shù)從40nm到16nm，再到64層3D技術(shù)，一直為市場提供更好的產(chǎn)品和解決方案。就在幾個月前美
2018-09-20 17:57:05
Molex推出下一代高性能超低功率存儲器技術(shù)
2021-05-21 07:00:24
flash中運行。嵌入式系統(tǒng)多用一個小容量的nor flash存儲引導(dǎo)代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
Flash類型與技術(shù)特點有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動器？如何去設(shè)計Flash存儲器？
2021-04-27 06:20:01
TPMS技術(shù)及輪胎定位原理是什么？如何解決TPMS輪胎換位和調(diào)換輪胎時的重新定位問題？怎么實現(xiàn)外置編碼存儲器輪胎定位技術(shù)？
2021-05-14 06:13:50
?過去存儲器與晶圓代工業(yè)大致上可以說是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器
2018-12-24 14:28:00
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動態(tài)隨機存儲器（Dynamic RAM），“動態(tài)”二字指沒隔一段時間就會刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會消失。這是因為DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
DRAM補全計劃？此前曾傳出紫光將斥資230億美元收購美的消息，后因美國***的限制，使這筆交易暫時壓后。美光就不需要給大家介紹，它的DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導(dǎo)體組件以及存儲器模塊
2016-07-29 15:42:37
目前高級應(yīng)用要求新的存儲器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對存儲器的需求永不停歇。相變存儲器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對電子系統(tǒng)的重點
2018-05-17 09:45:35
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座
2011-11-19 11:53:09
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座
2011-11-21 10:49:57
存儲器技術(shù).doc
計算機的主存儲器（Main Memory），又稱為內(nèi)部存儲器，簡稱為內(nèi)存。內(nèi)存實質(zhì)上是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸
2007-06-05 16:33:48
40 較為詳細地介紹嵌入式操作系統(tǒng)uClinux 平臺下的Flash 存儲技術(shù)，并給出基于三星S3C4510 系統(tǒng)下Flash 存儲器的具體設(shè)計實例。
2009-05-15 15:47:2410 論述了基于Freescale 32 位ColdFire 系列微處理器MCF5249 的Flash 存儲器擴展技術(shù)，以MCF5249對MX29LV160BT Flash 存儲器的擴展為例，介紹了擴展的原理，MCF5249 與MX29LV160BT 的硬件接口設(shè)計，Flash
2009-08-29 10:27:5835 內(nèi)建自測試是一種有效的測試存儲器的方法。分析了NOR型flash存儲器的故障模型和測試存儲器的測試算法，在此基礎(chǔ)上，設(shè)計了flash存儲器的內(nèi)建自測試控制器。控制器采用了一種23
2010-07-31 17:08:5435 Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:061236 相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
2010-11-11 18:09:422586 Flash 存儲器的簡介
在眾多的單片機中都集成了 Flash 存儲器系統(tǒng)，該存儲器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)
2010-11-11 18:25:095395 
FLASH存儲器（也就是閃存）就 是非易失隨機訪問存儲器（NVRAM），特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:469157 Flash存儲器技術(shù)趨于成熟，應(yīng)用廣泛，它結(jié)合了OTP存儲器的成本優(yōu)勢和EEPROM的可再編程性能，是目前比較理想的存儲器。Flash存儲器具有電可擦除、無需后備電源來保護數(shù)據(jù)、可在線編程、存儲密度
2017-10-11 18:57:415324 
FLASH存儲器又稱閃存，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，FLASH存儲器通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:3022518 日前，存儲器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會，會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 flash存儲器，及閃速存儲器，這一類型的存儲器具有速度快、方便等特點，是人們使用電腦辦公或者娛樂時必備的工具。
2017-10-30 08:54:3434724 將與合肥睿力12吋廠資源整合，全面對決紫光集團旗下長江存儲及聯(lián)電的晉華集成，借由掌握DRAM、NOR Flash、2D NAND等三大技術(shù)，爭奪大陸存儲器寶座。
2017-11-24 12:51:38668 紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設(shè)計，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:412714 紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要將生產(chǎn)3D NAND FLASH存儲芯片和DRAM存儲器芯片，一期占地約700畝，二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長江存儲、在成都打造晶圓廠，另一個紫光大型的存儲器生產(chǎn)南京基地也已經(jīng)實質(zhì)啟動。
2017-11-28 12:54:402401 存儲器大廠美光（Micron）22日在美國召開分析師大會，美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra表示，存儲器市場已出現(xiàn)典范轉(zhuǎn)型，以智能型手機為中心的行動時代（mobile era），逐步轉(zhuǎn)進
2018-06-28 07:34:001118 在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319 中國存儲器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場的角度，就DRAM、NAND Flash、封測技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點思考。
2018-03-07 17:46:006778 
存儲器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機內(nèi)存(如DDR)和手機內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33113864 。反壟斷審查獲得通過，或許證明挖掘美韓技術(shù)人才的中國已開始穩(wěn)步積累技術(shù)。 在中國，政府旗下的紫光集團在推進半導(dǎo)體存儲器本國生產(chǎn)。
2018-05-23 03:24:001907 存儲器大廠美光科技全球制造資深副總裁艾倫（Wayne Allan）昨（24）日指出，企業(yè)級線上交易、自駕車、云端大數(shù)據(jù)、網(wǎng)通、行動裝置、物聯(lián)網(wǎng)等六大領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲器需求強勁，但供給端增幅有限，今年存儲器市況仍會健康穩(wěn)健，其中 DRAM價格可持穩(wěn)到年底。
2018-07-09 07:40:00811 DRAM技術(shù)上取得的進步伴隨著多內(nèi)核處理器的出現(xiàn)、新的操作系統(tǒng)，以及跨多種不同運算平臺和應(yīng)用的越來越多的不同要求，包括服務(wù)器、工作站、海量存儲系統(tǒng)、超級計算機、臺式電腦和筆記本電腦和外設(shè)。存儲器技術(shù)
2020-05-21 07:52:007926 
作為上市公司全資子公司，西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司為DRAM存儲器芯片設(shè)計公司，屬于紫光國微旗下存儲器業(yè)務(wù)平臺。e公司記者發(fā)現(xiàn)，本次紫光國微置出資產(chǎn)主要出于研發(fā)投入資金壓力和間接控股股東紫光集團整體戰(zhàn)略部署考慮。
2018-10-17 10:04:118603 近期，美光正式宣布，對IM Flash Technologies，LLC（簡稱“IM Flash”） 中的權(quán)益行使認購期權(quán)。IM Flash是美光與英特爾的合資公司，主推市場上的新型存儲芯片技術(shù)3D Xpoint。
2018-11-11 09:54:491418 半導(dǎo)體存儲器可以簡單分成易失性存儲器和非易失性存儲器，易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）為主，非易失存儲器反而不斷有
2019-01-01 08:55:0013982 
盡管ㄧ些新存儲器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來，但在這競爭激烈的市場，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲器技術(shù)的列表。然而，無論哪一個技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3411902 
而對于DRAM價格持續(xù)上漲的原因，此前業(yè)界認為是由于DRAM市場需求持續(xù)增長，以及各大存儲廠商積極轉(zhuǎn)進3D NAND Flash制造，但3DNAND Flash生產(chǎn)設(shè)備無法再轉(zhuǎn)回生產(chǎn)DRAM，導(dǎo)致
2019-01-15 14:51:205331 隨著福建晉華和合肥長鑫兩大陣營投入研發(fā) DRAM 技術(shù)，若兩大廠研發(fā)成功且量產(chǎn)，西安紫光國芯的DRAM設(shè)計實力恐與這兩家再度拉大，合并紫光國芯后的紫光存儲要如何進行大整合，以發(fā)揮集團的存儲戰(zhàn)力，還待時間觀察。
2019-02-25 10:22:4910153 作為全球知名的存儲器廠商，近日，美光召開了2019年投資者大會，在大會中上，美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技術(shù)的發(fā)展以及規(guī)劃。
2019-05-24 16:56:354645 美光對存儲市場前景透露悲觀氣氛
2019-06-27 10:22:593500 根據(jù)國外科技媒體《Anandtech》的報導(dǎo)指出，日前美系存儲器大廠美光科技（Micron）正式宣布，將采用第3代10納米級制程（1Znm）來生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生
2019-08-19 15:45:223762 據(jù)外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321643 存儲器大廠美光（Micron Technology）于11日宣布，業(yè)界首款搭載LPDDR5 DRAM的通用快閃存儲器儲存（UFS）多芯片封裝（uMCP）正式送樣。新款UFS多芯片封裝（uMCP5）是基于美光在多芯片規(guī)格尺寸創(chuàng)新及領(lǐng)導(dǎo)地位所打造。
2020-03-12 11:06:324480 目前新型存儲器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:573525 
新興的非易失性存儲器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），磁性隨機存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:312446 的網(wǎng)絡(luò)開發(fā)和商業(yè)化，但首先讓我們看一下當前存儲器和新興的非易失性存儲器技術(shù)的特點，并了解為什么MRAM能夠立足出來。 非易失性存儲器技術(shù)的比較下表1比較了各種新興的非存儲器技術(shù)與已建立的存儲器（SRAM，DRAM，NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:161487 
DRAM、SRAM和Flash都屬于存儲器，DRAM通常被稱為內(nèi)存，也有些朋友會把手機中的Flash閃存誤會成內(nèi)存。SRAM的存在感相對較弱，但他卻是CPU性能發(fā)揮的關(guān)鍵。
2020-07-29 11:14:1614609 隨著當前移動存儲技術(shù)的快速發(fā)展和移動存儲市場的高速擴大，FLASH型存儲器的用量迅速增長。FLASH芯片由于其便攜、可靠、成本低等優(yōu)點，在移動產(chǎn)品中非常適用。市場的需求催生了一大批FLASH芯片研發(fā)
2020-08-13 14:37:298221 
相信有很多人都對計算機里的各種存儲器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3812674 存儲器 IC 設(shè)計廠晶豪科技 （ESMT）昨日公開表示，利基型 DRAM 與 NOR Flash 均已漲價。 晶豪科技指出，利基型 DRAM 部分價格已開始調(diào)高，合約價方面則將從明年第一季起開始調(diào)漲
2020-12-08 13:43:472650 
最近Techinsights舉辦了一場關(guān)于存儲技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:461607 根據(jù)韓國媒體《Etnews》報導(dǎo)指出，目前全球3大DRAM存儲器中尚未明確表示采用EUV極紫外光刻機的美商美光（Micron），因日前招聘網(wǎng)站開始征求EUV工程師，揭露美光也在進行EUV運用于DRAM先進制程，準備與韓國三星、SK海力士競爭
2020-12-25 14:33:101953 1 月 27 日消息 內(nèi)存與存儲解決方案供應(yīng)商美光科技今日宣布批量出貨基于 1α （1-alpha） 節(jié)點的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進的 DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面
2021-01-27 13:56:032777 美光的 1α 技術(shù)節(jié)點使內(nèi)存解決方案更節(jié)能、更可靠，并為需要最佳低功耗 DRAM 產(chǎn)品的移動平臺帶來運行速度更快的 LPDDR5。
2021-01-28 17:28:081182 美光本周二公布其用于DRAM的1α新工藝，該技術(shù)有望將DRAM位密度提升40%，功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存，未來或?qū)⒌采w美光所有類型的DRAM。 同時，美光
2021-01-29 10:17:163024 
的統(tǒng)一組織下亮相第五屆絲博會，展出了公司研發(fā)設(shè)計的包括第四代DRAM 存儲器在內(nèi)的全系列晶圓、顆粒及模組產(chǎn)品及全球首系列商用內(nèi)嵌自檢測修復(fù)（ECC）DRAM存儲器產(chǎn)品。全面展示了西安紫光國芯在集成電路存儲器領(lǐng)域的技術(shù)實力和創(chuàng)新成果。
2021-05-14 14:52:503506 2022年11月2日——中國上?！獌?nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進技術(shù)節(jié)點的1
2022-11-02 17:27:481537 全球電子技術(shù)領(lǐng)域知名媒體集團 ASPENCORE 主辦的全球電子成就獎（WEAA）揭曉，美光 7450 NVMe SSD 成功斬獲“年度存儲器”大獎。這是美光連續(xù)第三年獲得該項殊榮。
2022-11-12 10:43:19845 最新消息，據(jù)日本共同社報道，美光科技位于日本廣島縣東廣島市的子公司“日本美光存儲器公司”，已于16日在該市廣島工廠啟動最尖端DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的量產(chǎn)。 據(jù)悉，量產(chǎn)的最新產(chǎn)品名為“1
2022-11-28 10:40:521736 在當前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。先進的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:5712490 在當前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:391354 
Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:288172 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:062633 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標及應(yīng)用領(lǐng)域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:175564 美光科技指出，為應(yīng)對資料中心工作負載所需，CPU 內(nèi)核數(shù)持續(xù)增加，為突破「存儲器墻」（Memory Wall）瓶頸，同時為客戶提供最佳化的總擁有成本，對于存儲器頻寬及容量需求也隨之大幅提升。美光
2023-10-19 16:03:001261 美光展示了豐富的新產(chǎn)品信息，眾多高管拜訪了參展的制造商。對于今年存儲器行業(yè)的預(yù)測，蒙提斯表示，由于AI技術(shù)如火如荼地發(fā)展以及硬件規(guī)格的升級，存儲器行業(yè)將繼續(xù)保持增長勢頭。
2024-02-29 09:50:491064 。美光在演講中表示 DRAM 節(jié)點和沉浸式光刻分辨率問題，名為“Chop”的層數(shù)量不斷增加，這就意味著添加更多的曝光步驟，來取出密集存儲器陣列外圍的虛假結(jié)構(gòu)（dummy structures）。 ? 美光公司表示由于光學系統(tǒng)本身性質(zhì)，這些 DRAM 層的圖案很難用光學光刻技術(shù)
2024-03-06 08:37:35838 在電子技術(shù)和計算機系統(tǒng)中，存儲器是不可或缺的組成部分，其類型和功能繁多。EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，電可擦除
2024-05-23 16:35:3610922 NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲器，具有多個顯著優(yōu)點，這些優(yōu)點使其在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對NAND Flash優(yōu)點的詳細闡述，并簡要探討與其他類型存儲器的區(qū)別。
2024-08-20 10:24:441952 DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，是現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中不可或缺的內(nèi)存組件。其基本單元的設(shè)計簡潔而高效，主要由一個晶體管（MOSFET）和一個電容組成，這一組合使得DRAM能夠在保持成本效益的同時，實現(xiàn)高速的數(shù)據(jù)存取。
2024-09-10 14:42:493256 鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）與閃存（Flash）是兩種不同類型的非易失性存儲器，它們在工作原理、性能特點、應(yīng)用場景等方面存在顯著的差異。
2024-09-29 15:25:324375 DRAM（Dynamic Random Access Memory）即動態(tài)隨機存儲器，是一種半導(dǎo)體存儲器，用于計算機系統(tǒng)中的隨機存取存儲。它由許多存儲單元組成，每個存儲單元可以存儲一位或多位數(shù)據(jù)。DRAM的主要特點是集成度高、成本低，但讀寫速度相對較慢，并且需要定期刷新以保持數(shù)據(jù)。
2024-10-12 17:06:114113 貞光科技作為業(yè)內(nèi)知名的車規(guī)及工業(yè)元器件供應(yīng)商，現(xiàn)已成為紫光國芯存儲芯片的授權(quán)代理商。在半導(dǎo)體存儲芯片國產(chǎn)化的關(guān)鍵時期，這一合作為推動DRAM等關(guān)鍵器件的國產(chǎn)替代開辟了新的渠道。紫光國芯在存儲芯片領(lǐng)域
2025-06-13 15:41:271298 
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