2016年市場(chǎng)NAND Flash持續(xù)缺貨，據(jù)分析，到2016年底NAND Flash每GB價(jià)格已回升到2014年底水平，至0.25美元/GB，價(jià)格的飛速且大幅上漲不僅對(duì)市場(chǎng)造成了巨大影響，想必也有助于Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等營(yíng)收和利潤(rùn)的增長(zhǎng)，但實(shí)際上大多數(shù)都不如2015年。

　　筆者分析，其重要原因是因?yàn)?016年Flash原廠加速向3D NAND切換，除了研發(fā)成本增加，切換過程中也很容易出現(xiàn)產(chǎn)能損失，同時(shí)還需要更新舊設(shè)備，增加新設(shè)備，以及擴(kuò)大生產(chǎn)空間，從而導(dǎo)致Flash原廠NAND Flash產(chǎn)出減少，以及投資成本增加。

　　三星

　　2016年三星雖然受Note 7停產(chǎn)和停售影響， Q3營(yíng)收和凈利潤(rùn)較預(yù)期減少，但受惠Memory、OLED等半導(dǎo)體芯片需求增長(zhǎng)，以及Galaxy S7銷量?jī)?yōu)于預(yù)期，累積前三季營(yíng)收達(dá)148.5兆韓元，凈利潤(rùn)15.6兆韓元，雖然扭轉(zhuǎn)了連續(xù)兩年?duì)I收和凈利潤(rùn)雙雙下滑的頹勢(shì)，但較2015年同期幾乎零增長(zhǎng)。不過，三星制定了2017年?duì)I收利潤(rùn)超過30兆韓元的目標(biāo)。

　　注：三星初步預(yù)估2016年Q4營(yíng)收為53兆韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為9.2兆韓元，正式Q4財(cái)報(bào)將在2017年1月底發(fā)布。

　　三星自2013年成功量產(chǎn)V-NAND，2016年除了西安廠量產(chǎn)V-NAND，在Q2已將Fab 16工廠16nm MLC產(chǎn)線轉(zhuǎn)向48層V-NAND，2016年底V-NAND生產(chǎn)比重已突破35%。2017年三星新工廠Fab 17和Fab 18也都將投入V-NAND生產(chǎn)，3D技術(shù)也將向64層提升，預(yù)計(jì)三星V-NAND生產(chǎn)比重在2017年Q1可達(dá)到45%，Q2將達(dá)到50%以上，在3D NAND爆發(fā)元年將有很大的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

　　2016年三星股價(jià)漲幅超過60%

　　東芝/西部數(shù)據(jù)（WD SanDisk）

　　2015年東芝曝出財(cái)務(wù)造假，影響股價(jià)跌幅超過50%。東芝2016年4月-6月營(yíng)收1.21兆日元，凈利潤(rùn)798億日元，實(shí)現(xiàn)了自2015年的財(cái)務(wù)造假事件之后的首次盈利，7月-9月營(yíng)收1.372兆日元，凈利潤(rùn)355億日元，可見東芝財(cái)務(wù)狀況已扭虧為盈，股價(jià)也基本回到了2015年初的水平。不過，受東芝子公司西屋電氣的一項(xiàng)核電業(yè)務(wù)收購案影響，東芝2016年底股價(jià)重挫40%，2017年仍將面臨巨大的挑戰(zhàn)。

　　東芝2016年財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)

　　東芝采用BiCS（Bit Cost Scaling）架構(gòu)在2016年量產(chǎn)48層3D NAND，單Die容量為256Gb，僅用于自家閃存產(chǎn)品，年底已小量生產(chǎn)64層3D NAND，2017年將主力切換到64層量產(chǎn)。東芝改造的Fab 2工廠已開始小規(guī)模投產(chǎn)48層3D NAND，預(yù)計(jì)2017年將切換至64層量產(chǎn)。東芝計(jì)劃在未來3年內(nèi)投資額達(dá)8600億日元，其中包括將在2017年3月開始建設(shè)的新工廠Fab 6，2018年Q3開始量產(chǎn)3D NAND，以及更新現(xiàn)有設(shè)備等。

　　另外，西部數(shù)據(jù)已在2016年5月完成了對(duì)閃迪（SanDisk）的收購，并于Q3整合了兩家的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)。未來西部數(shù)據(jù)仍在NAND Flash技術(shù)與資源上與東芝保持合作關(guān)系。

　　2016年東芝股價(jià)走勢(shì)

　　SK海力士

　　海力士還未被SK集團(tuán)收購以前，由于2008年爆發(fā)的全球金融危機(jī)讓其陷入了嚴(yán)重的債務(wù)危機(jī)，當(dāng)時(shí)虧損高達(dá)4.75兆韓元。2011年SK集團(tuán)收購海力士，并逆境大手筆投資研發(fā)和生產(chǎn)，終于在2013年扭虧為盈，之后依然保持較高的營(yíng)收和利潤(rùn)成長(zhǎng)。

　　2016年SK海力士累積前三季營(yíng)收11.8兆韓元，較2015年同期下滑18%，凈利潤(rùn)則下滑63%，這是被SK集團(tuán)收購后首次出現(xiàn)營(yíng)收和利潤(rùn)下滑。3D NAND采用36層制造，并在2016年初積極向各家合作伙伴送樣，開始規(guī)模試產(chǎn)，第三代48層3D NAND已在年底開始銷售。2017年SK海力士計(jì)劃提升至72層3D NAND量產(chǎn)，將在Q1推出樣品，Q2開始小批量生產(chǎn)，從堆疊層數(shù)來看，已經(jīng)趕上甚至反超競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，但同時(shí)也將面臨著更大的量產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。

　　另外，為了提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，SK海力士計(jì)劃與硬盤大廠希捷合作，將設(shè)立合資公司，目標(biāo)是搶占快速成長(zhǎng)的SSD市場(chǎng)。

　　SK海力士2016年價(jià)格漲幅超過70%

　　美光

　　由于美光DRAM業(yè)務(wù)約占整體營(yíng)收60%，受PC市場(chǎng)需求下滑影響，2016年前三季度凈利潤(rùn)虧損高達(dá)4.8億美元，在Q4終于扭虧為盈。2016年美光32層3D NAND MLC版本單Die容量32GB，TLC版本容量48GB，是目前除原廠品牌之外，市場(chǎng)3D SSD的主要貨源之一，64層3D NAND已于2016年12月送樣，2017年將逐步進(jìn)入量產(chǎn)階段。

　　美光2015年擴(kuò)建的Fab 10x于2016年投產(chǎn)，英特爾2015年宣布獨(dú)自投資55億美元升級(jí)設(shè)備的大連Fab68工廠，在2016年Q3開始試產(chǎn)32層3D NAND，預(yù)計(jì)2017年中期轉(zhuǎn)至64層量產(chǎn)。

　　美光2016年股價(jià)漲幅超一倍